Geri Dön

Polimer arayüzey kullanılarak hazırlanan Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

The investigation of frequency dependent electric and dielectric properties of Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky barrier diode prepared by using polymer interface layer

PDF İndir

  1. Tez No: 523064
  2. Yazar: AYNUR ÖZTÜRK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Düzce Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

Son yıllarda organik polimer malzemeler araştırmaların odağı haline gelmiştir. Organik malzemelerin yarıiletken teknolojisinde bu kadar öne çıkmasının sebepleri; düşük sıcaklıklarda çalışma imkanı sunması, düşük maliyetle kolay üretilebilir olmaları, geniş yüzeylere büyütülebilir olmaları ve üretilen cihazların yüksek verimliliğe sahip olmalarıdır. Bu özelliklerinden dolayı organik malzeme ile yapılan bir çok çalışmanın sonucu olarak, organik alan etkili transistör (OFET), organik ince film transistör (OTFT), Schottky bariyer diyot (SBD) ve organik ışık yayan diyot (OLED) gibi bir çok elektronik cihazın üretimi yapılmaktadır. Günümüzde kullanılan elektronik cihazların çoğunda bulanan diyot teknolojisinde ise SBD oldukça büyük yer kaplamaktadır. SBD'leri diğer diyotlardan daha çok tercih edilmesinin nedeni ise; tepki sürelerinin çok daha hızlı olması, yüksek frekans değerlerinde anahtarlama özelliğini kaybetmemesi ve daha düşük voltaj ile iletime geçebilmeleridir. Bu tez çalışmasında, altın/poly (3-hexylthiophene):2,3,5,6-tetrafluoro- 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (P3HT:F4:TCNQ)/n-tipi silisyum (Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si) metal-polimer-yarıiletken (MPY) SBD yapının dielektrik özellikleri incelenmiştir. Kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri, -10 V – +10 V voltaj aralığında, 10 kHz – 2 MHz frekans aralığında, oda sıcaklığında ve karanlıkta gerçekleştirilmiştir. Kapasitans ve iletkenlik değerlerinden yararlanılarak direnç (Ri) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) parametreleri elde edilmiştir. Frekans arttıkça direnç eğrilerindeki piklerin şiddetinin ve Nss değerlerinin azaldığı görülmektedir. Frekans ve voltaja bağlı dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), ac iletkenlik (σac), kayıp tanjantı (tanδ), gerçel ve sanal elektrik modülleri (M' ve M'') C-V ve G/w-V ölçümleri kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen deneysel sonuçlar doğrultusunda Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si MPY SBD için ε', ε'', σac, M' ve M'' parametrelerinin frekansa bağlı olduğu görülmüştür. Frekans değerlerinin artmasıyla birlikte Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si SBD'nin ε' ve ε'' parametreleri azalırken, σac, M' ve M'' parametreleri artış göstermektedir. Öte yandan, frekans arttığında tanδ neredeyse sabit kalmıştır. Sonuç olarak, Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si MPY SBD için σac, ε', ε'', M' ve M'' parametrelerinin frekansa güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmektedir.

Özet (Çeviri)

In the last few decades, the polymeric organic materials have been a subject of intensive research. The main reasons of being the center of attention of organic polymers in semiconductor technology are including low-temperature processing, low cost, easy fabrication techniques and large area processing, allow the variety of large application fields and opportunity to produce of high performance devices. Through these properties, many devices can be manufactured with organics such as organic field effect transistors (OFETs), organic thin film transistors (OTFTs), Schottky diodes and organic light emitting diodes (OLEDs). Schottky barrier diodes (SBDs) are the most widely used diodes in electronic devices, because of their faster response time, switching ability under the high frequency signals and low forward voltage drop compared to other diodes. In this thesis, the dielectric properties of the gold/poly (3-hexylthiophene):2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8- tetracyanoquinodimethane/n-type silicon (Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si) metal-polymer-semiconductor (MPS) Schottky barrier diode (SBD) structure were investigated. Capacitance- voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements were performed on -10 V – +10 V voltage range, in 10 kHz – 2 MHz frequency range, , at room temperature and in the dark. Resistance (Ri) and interface state density (Nss) parameters were obtained using the values of capacitance and conductivity. The intensity of the peaks in the resistance curves and the Nss values decrease by increasing the frequency. The frequency and voltage dependent dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), ac conductivity (σac), loss tangent (tanδ) and the real and imaginary parts of electric modulus (M' and M'') were calculated by using C-V and G/w-V measurements. The experimental results show that ε', ε'', σac, M' and M'' parameters are robust functions of the frequency for the Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si SBDs. If ε' and ε'' parameters of the Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si SBDs decrease, σac, M' and M'' parameters increase with increasing the frequency for each voltage values. On the other hand, tanδ remain almost constant even though the frequency increases. Finally, it can be concluded that σac, ε', ε'', M' and M'' parameters are strongly dependent on the frequency for the Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si SBDs.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    382265

    Si yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulmuş schottky diyotların özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the properti̇es of schottky diodes fabri̇cated by coati̇ng a conducti̇ve polymer on si̇li̇con semi̇conductor

    AHMAD ASİMOV

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

  2. Tez No

    534653

    Au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polimer-yarıiletken yapının elektriksel parametreleri üzerine sıcaklık ve frekans etkisi

    The effect of temperture and frequency on electrical parameters of au/(cu2o-cuo-pva)/n-si metal-polymer-semiconductor structure

    AYSEL BÜYÜKBAŞ ULUŞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADEM TATAROĞLU

  3. Tez No

    860414

    Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans/iletkenlik-voltaj (C/G-V) özelliklerinin karanlık ve 100 mw/cm2 ışık şiddeti altında incelenmesi

    Investigation of current-voltage (I-V) and apacitance/conductivity-voltage (C/G-V) properties of Au/(AgCdS:PVP)/n-Si schottky diodes in dark and under 100 mw/cm2 illumination intensity

    GAMZE ASLANBAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. PERİHAN DURMUŞ

    PROF. DR. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA

  4. Tez No

    392009

    Yarıiletken polimer (P3DMTFT) arayüzeyli Au/n-GaAs Schottky yapının akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) özelliklerinin karakterizasyonu )

    Characterization of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage-frequency (C-V-f) features of Au/n-GaAs Schottky structure with interface semiconducting polymer (P3DMTFT)

    DİLARA ECEM AKCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

  5. Tez No

    679024

    Au/(NiS:PVP)/n-Si (MPS) yapısının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerini kullanarak elektriksel özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

    Investigation of electrical properties of Au/(NiS:PVP)/n-Si (MPS) structure using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements depending on frequency

    MURAT ULUSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ

Geri Dön