Investigation of electronic and optical properties of wurtzite MgZnO with first principles calculations
Hekzagonal MgZnO kristalinin elektronik ve optik özelliklerınin ilk prensipler hesaplamaları ile incelenmesi
- Tez No: 528999
- Danışmanlar: PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Bu çalışmada, hekzagonal ZnO ve farklı Magnezyum (Mg) alaşım oranlarına sahip MgxZn1-xO yapıların elektronik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) temelli Atomistix Toolkit-Virtual NanoLab (ATK-VNL) yazılımı kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Hesaplamalarımız, ZnO kristalinde Zn atomunun 3d ve O atomunun 2p orbitallerine Hubbard (U) parametreleri uygulanıp Genelleştirilmiş Gradyent Yaklaşımı (GGA+U) kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Tüm incelenen yapılar için elektronik bant yapısı, durum yoğunluğu (DOS) ve elektron etkin kütlesi gibi elektronik özelliklerin yanı sıra yapıların dielektrik fonksiyonu, kırılma indisi, sönüm katsayısı ve soğurma spektrumu gibi optik özellikleri incelenmiştir. Artan Mg alaşım oranına bağlı olarak MgxZn1-xO kristalinin yasak bant aralığının arttığı ve deneysel sonuçlara benzer olduğu görülmüştür. Mg alaşım oranına bağlı olarak elektron etkin kütlesi doğrusal olarak artış göstermektedir. Hesaplanan etkin kütle değerleri deneysel sonuçlarla kıyaslandığında benzer sonuçlar sergilemiştir. MgxZn1-xO kristalinin Mg oranı arttıkça kristalin soğurma kıyısı yüksek enerji bölgelerine (düşük dalga boyları) doğru kaymıştır. İncelenen yapıların statik dielektrik sabitleri artan Mg oranına bağlı olarak azalmıştır. Yüksek frekans dielektrik sabiti deneysel sonuçlara çok yakın olarak bulunmuştur. Ayrıca incelenen yapılar için kırılma indisleri belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the electronic and the optical properties of wz-ZnO and wz- MgxZn1-xO have been calculated for different Mg mole fractions using the Atomistic Toolkit-Virtual Nano Lab (ATK-VNL) software based on density functional theory (DFT). Our calculations are performed using the hybrid-generalized gradient approximation (GGA+U) formalism, where the Hubbard parameters are applied to Zn-3d electrons and O-2p electrons. The electronic properties calculations include the electronic band structures, the density of states and electron effective masses, whereas the optical properties calculations include the static dielectric functions, refractive indexes, extinction coefficients and absorption spectra of all the studied structures. The results show that the band gap energies increase as the Mg mole fractions increase, which corresponds with the previous experimental results. The electron effective masses calculation shows a linear dependence of the Mg mole fraction, but their values show overestimation. The absorption edges of studied structures move toward the higher energies region (the lower wavelengths region) as Mg mole fraction of MgxZn1-xO increases. The static dielectric constant of MgxZn1-xO decreases as Mg mole fraction increases. The dielectric constants of the high frequency of MgxZn1-xO are found to be very similar to the experimental results. In addition, the refractive indexes and the extinction coefficients move toward the higher energy region (the lower wavelength region).
Benzer Tezler
- Metal katkılı ∑3(111) tanecik sınırlı CdS yapının elektronik ve yapısal özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teori ile incelenmesi
Investigation of electronic and structural properties of metal doped ∑3(111) grain-confined CdS structure with density functional theory
CAN ALTUNDAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN
- Investigation of the structural and electro-optical properties of chemically deposited ZnS and CdS thin films and the thermoluminecence properties..
ZnS ve CdS ince filmlerinin yapısal, elektriksel ve optik ve ZnS ince filmlerinin termoluminesans özelliklerinin incelenmesi
MUSTAFA ÖZTAŞ
Doktora
İngilizce
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiDOÇ. DR. RAMAZAN ESEN
DOÇ.DR. REFİK KAYALI
- The use of doped ZnO nanomaterials with enhanced optoelectronic properties as an electrode
Optoelektronik özellikleri geliştirilen katkılı ZnO nanomalzemelerin elektrot malzemesi olarak kullanılması
OSMAN ÜRPER
Doktora
İngilizce
2021
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction
ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri
YELİZ KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Nanocrystalline ZnO:Al thin films prepared by sol-gel dip coating technique and ZnO: Al/p-Si heterojunctions
Sol-gel daldırmalı kaplama tekniği ile üretilmiş nano yapılı ZnO:Al ince filmler ve ZnO: Al/p-Si heterokavşaklar
ÖZGE KARACASU
Yüksek Lisans
İngilizce
2010
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU