Geri Dön

Metal katkılı ∑3(111) tanecik sınırlı CdS yapının elektronik ve yapısal özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teori ile incelenmesi

Investigation of electronic and structural properties of metal doped ∑3(111) grain-confined CdS structure with density functional theory

PDF İndir

  1. Tez No: 911095
  2. Yazar: CAN ALTUNDAŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

II – VI grubu bir yarı iletken olan Kadmiyum Sülfürün (CdS) optoelektronik cihazlarda potansiyel birçok uygulamaları vardır. 2,42 eV'lik doğrudan bant aralığı nedeniyle hacimsel CdS, fotokatalizde, fotodedektörlerde, kuantum nokta ledlerinde, ince film transistörler (TFT), sensor uygulamalarında kullanılır. Termal ve kimyasal stabilitesi nedeniyle renk pigmentlerinde de kullanılır. n tipi yarı iletken olması nedeni ile (Sülfür boşluğundan dolayı) CdTe, Cu(In, Ga)Se2 ve Cu2ZnSn(S, Se)4 ile ince film güneş pilleri emiciler için uygun bir tampon katman olarak kabul edilir. Ayrıca CdS bu tip ince film güneş pillerinde minimum kafes uyumsuzluğu sunar. CdS çinko blende (zb), wurtzite (wz) ve kaya tuzu (rs) şeklinde üç farklı yapıda kristalleşir. Bu fazlar arasında zb-CdS, optoelektonik sistemlerde yaygın olarak kullanılır. İnce film CdS üretimi sonucunda tanecik sınırlı yapılar oluşur. Bu tanecik sınırlı yapılar, CdS ile yapılan aygıtların performansını etkilemektedir. Bu tanecik sınırlı yapılardan en muhtemel olanı ∑3(111) şeklinde betimlenen türüdür. Bu çalışmada ∑3(111) CdS tanecik sınırlı yapı Yoğunluk Fonksiyonel Teori (GGA yaklaşımı) ile incelenmiş olup Ag ve Cu katkının yapısal ve optik özelliklerine etkisi incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Cadmium Sulfide (CdS), a group I – VI semiconductor, has many potential applications in optoelectronic devices [1]. Due to its direct band gap of 2.42 eV, volumetric CdS [2] is used in photocatalysis [3], photodetectors [4], quantum dot LEDs [5], thin film transistors (TFT) [6], sensor applications [7] is used. It is also used in color pigments due to its thermal and chemical stability [8]. Because it is an n-type semiconductor (due to the sulfur gap) [6], it is considered a suitable buffer layer for thin-film solar cell absorbers with CdTe, Cu(In, Ga)Se2 and Cu2ZnSn(S, Se)4 [9], [10] is done [11]. Additionally, CdS offers minimal lattice mismatch in this type of thin-film solar cells. CdS crystallizes in three different structures: zinc blende (zb), wurtzite (wz) and rock salt (rs). Among these phases, zb-CdS is widely used in optoelectronic systems. As a result of thin-film CdS production, grain-bounded structures are formed. These grain-limited structures affect the performance of devices made with CdS. The most likely of these grain-bounded structures is the type described as ∑3(111). In this study, ∑3(111) CdS grain confined structure was examined with Density Functional Theory (GGA approach) and the effects of Ag and Cu dopant on structural and optical properties were examined.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    269672

    Metal katkılı dolgulu kolon ve UV kolon kullanılarak Escherichia coli ve Staphylococcus aureus dezenfeksiyonu

    Disinfection of Escherichia coli ve Staphylococcus aureus using antibacterial material filled column and uv column

    BETÜL TUBA AKÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Çevre MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ SAVAŞ KOPARAL

  2. Tez No

    299207

    Metal katkılı camsı yapıların üretimi ve elektron paramanyetik rezonans spektroskopisi ile incelenmesi

    Production of metal doped glassy states and investigation of glassy states by electron paramagnetic resonance spectroscopy

    YILDIRAY FIRAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RECEP TAPRAMAZ

  3. Tez No

    322986

    Metal katkılı karbon aerojel üretimi ve elektrokimyasal özelliklerinin incelenmesi

    Metal doped carbon aerogel production and investigation of their electrochemical properties

    BURAK ÖZTÜRK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Kimya MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. H. CANAN CABBAR

  4. Tez No

    333056

    Metal katkılı karbon nanotüplerde hidrojen adsorpsiyonu

    Hydrogen adsorption on metal decorated carbon nanotube

    AYNUR ŞENYER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ

    YRD. DOÇ. DR. ADEM TEKİN

  5. Tez No

    373118

    Metal katkılı TiO2 nanoliflerin elektroeğirme yöntemi ile hazırlanması ve karakterizasyonu

    Metal doped TiO2 nanofibers preparation and characterization with electrospinning method

    AYŞE OKTAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR

Geri Dön