Yakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan tek piksel kızılötesi algılayıcılarda pasivasyon etkisinin incelenmesi
Observation of passivation effect on single pixel near and midwavelength infrared detectors
- Tez No: 535390
- Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2018
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 101
Özet
Günümüzde yarıiletkenler yaygın olarak askeri, sağlık ve astronomi alanlarında kullanılmaktadır. Dedektörler, transistörler, lazerler ve güneş pilleri bu alanlardaki en yaygın kullanılan yarıiletken malzemelere örnektir. Malzemelerin aygıt haline getirilme sürecinde kullanılan yöntemler ve işlemler aygıtların verimini doğrudan etkilemektedir. Malzemelerin tek piksel aygıta dönüştürülme sürecinde, açıkta kalmış, bağ yapmamış atomlar oluşur ve bu kopuk bağlar yüzey kaçak akımları meydana getirirler. Bu bölgelerde oluşan yüzey kaçak akımları, oluşturulan pikselin performansını kötü yönde etkiler. Yüzey kaçak akımlarını baskılamak için piksellere dielektrik sabiti yüksek malzemeler ile yalıtım (pasivasyon) uygulanmalıdır. Bu çalışma kapsamında, moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş, yakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan, III-V grubu tek piksel algılayıcılarda, farklı dielektrik malzemelerin algılayıcıların performansına etkileri araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
Nowadays, semiconductors are widely used in various areas such as military, health and astronomy. For instance, detectors, transistors, lasers and solar cells are the most common materials used in those areas. Performance of fabricated devices are directly related with the performed methods and processes during device fabrication that can create dangling atomic bonds and consequently generate surface leakage currents. Eventually, those surface leakage currents reduce the pixel's performance. To overcome those surface leakage currents, devices should be passivated with high dielectric constant materials. In this study, the effect of various dielectric materials on the performance of group III-V near and midwavelength infrared single pixel detectors grown by molecular beam epitaxy was investigated.
Benzer Tezler
- Design and synthesis of squarine-based long wavelength chemosensors for ions
Uzun dalga boyunda çalışan 'squaraine' tabanlı moleküler algılayıcılarının iyonlar için tasarımı ve sentezi
UMUT OĞUZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN UMUT AKKAYA
- Kızılötesi dedektör uygulamaları için ınassb ve gaınassb bileşiklerinin gaas alttaş üzerine mbe tekniği ile büyütülmesi
Growth of inassb and gainassb compounds on gaas substrate by mbe technique for infrared detector applicatons
MEHMET ERKUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Farklı sertlikte üretilen kefirlerin spektroskopi ve reoloji teknikleri ile araştırılması
Investigation of kefirs produced in different hardnesses with spectroscopy and rheology techniques
SAİM ÜNSAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiNiğde Ömer Halisdemir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHİTTİN ÖZTÜRK
- Investigating the emission properties and the geometry of black hole X-ray binaries in the outburst cycle
Karadelik X-ışın çiflerinin ışıma özellikleri ve geometrisinin patlama döngüsünde incelenmesi
ARMIN VAHDAT MOTLAGH
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KAZIM YAVUZ EKŞİ
- Makine öğrenme algoritmaları kullanılarak heyelan duyarlılık haritalaması
Landslide susceptibility mapping using machine learning algorithms
ASLI ILGIN HORZUM
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Jeoloji MühendisliğiAkdeniz ÜniversitesiJeoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEKİR TANER SAN