Epitaksiyel grafende saçılma mekanizmaları
Epitaxiial graphene scatteriing mechanisms
- Tez No: 542020
- Danışmanlar: PROF. DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 44
Özet
Bu çalışmada, SiC alt taş üzerine büyütülen grafenin sıcaklığa bağlı (12-300K) Hall etkisi ölçümleri gerçekleştirildi. Bu Hall verilerine ilk olarak, Basit Paralel İletim Ayrıştırma Yöntemi (SPCEM) uygulanarak, 3 boyutlu (3B) ve iki boyutlu (2B) kanalların sıcaklık bağımlı mobiliteleri ve taşıyıcı yoğunlukları elde edildi. Oda sıcaklığında grafen tabakasından 2296 cm2 / V.s yüksek taşıyıcı mobilitesi ve SiC‟den 813 cm2 / V.s düşük taşıyıcı mobilitesi elde edildi. SPCEM verileri kullanılarak, 3B ve 2B saçılma mekanizmaları analiz edilerek, düşük ve yüksek sıcaklıklarda baskın saçılma mekanizmaları belirlendi. İletim işleminin esas olarak 2B grafendeki saçılma mekanizmaları ile belirlendiği ortaya konuldu.
Özet (Çeviri)
In this thesis, the Hall effect measurement of graphene on SiC substrate was carried out as a function of temperature (12-300 K). Hall data were first analyzed to extract the temperature dependent mobilities and carrier densities of the bulk (3B) and two dimensional (2B) channels using a Simple Parallel Conduction Extraction Method (SPCEM) successfully. High carrier mobility 2296 cm2 / V.s from the graphene layer and low carrier mobility 813 cm2 / V.s from the SiC were obtained at room temperature. By using SPCEM extracted data, 3B and 2B scattering mechanisms were analyzed and the dominant scattering mechanisms in low and high temperature regimes were determined. It was found that the transport was mainly determined by scattering processes in 2B graphene.
Benzer Tezler
- Preparation and characterization of graphene samples on atomically smooth surfaces
Atomik boyutta pürüzsüz yüzeylerde grafen örneklerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
SERHAT YANIK
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. MEHMET BURAK YILMAZ
- The effect of atmospheric gases on the electrical stability of graphene
Atmosferik gazların grafenin elektriksel kararlılığı üzerindeki etkisi
SIRRI BATUHAN KALKAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
- Grafit soyma ve epitaksiyel yöntemlerle elde edilmiş grafenlerde manyetoiletim ve yüzey özellikleri incelemeleri
Investigation of magnetoconductivity and surface properties of exfoliated and epitaxially grown graphene samples
KENAN ELİBOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Nanotribological properties of epitaxial graphene grown on silicon carbide semiconductor
Silisyum karbür yarıiletkeni üzerinde büyütülen epitaksiyel grafenin nanotribolojik özellikleri
YASEMİN KESKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
YRD. DOÇ. DR. ÖZHAN ÜNVERDİ
- Epitaksiyel tek kristal ince filmlerin XRD yöntemi ile incelenmesi
Investigation of epitaxial single crystal thin films by XRD
AHMET BULUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ