Geri Dön

Organik boya ara tabakalı Al/safranine T/n-tipi InP MIS eklemlerin elektriksel ve arayüzey özellikleri

Electrical and interfacial properties of the Al/safranine T/n- type InP MIS junctions with organic dye interlayer

  1. Tez No: 548086
  2. Yazar: HİLAL AYDIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖMER GÜLLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Bu çalışmada; [100] doğrultusunda büyütülmüş, 300 μm kalınlıkta, donor konsantrasyonu 1-5x1017 cm-3 olan ve bir yüzü parlatılmış n-InP yarıiletkeni kullanıldı. Uygun kimyasal temizleme işleminden sonra yarıiletken kristalin alt yüzüne In omik kontak yapıldı. Üst yüzüne Safranine T boyası metanol çözeltisi (0.2'lik) ile kaplandıktan sonra organik tabakanın da üst yüzeyine alt kontak yapıldı. İmal edilen Al / ST / n-InP Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri, oda sıcaklığında karanlık ve ışık altında akım-gerilim (I-V) ölçümü ve 100 kHz'lik adımlarla 100-900 kHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V) ve kondüktans-gerilim (G-V) özellikleri araştırılmıştır. Bariyer yüksekliği (ɸB) ve seri direnç (Rs) gibi bazı parametreler, düz beslem I-V verisi kullanılarak modifiye Norde fonksiyonundan ve Cheung fonksiyonlarından elde edilmiştir. Diyotun arayüzey durum yoğunluğu (Nss) de hesaplanmıştır. Ortaya çıkan yapı mükemmel doğrultucu özelliklere sahiptir.

Özet (Çeviri)

In this study, the [100] direction is enlarged in a thickness of 300 µm, the donor concentration 1-5x1017cm-3,and a face-polished n-InP semiconductors was used.After appropriate chemical cleaning process,the semiconductor crystal of the lower face funny In contact was made .Methanol upper face Safranine T dye solution (0.2%) is covered with the organic layer to the upper surface of the lower contact was made. Manufactured Al/ST/n-InP Schottky diodes electrical and surface properties at room temperature in the dark and the light, under the current-voltage (I-V) in the frequency range 100-900 kHz with 100 kHz steps measurement and capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage their properties were investigated. The barrier height (ΦB) and series resistance (Rs), some parameters such as, plain feed, the I-V data were obtained from Cheung functions and modified using the Norde function.Diode interface state density (Nss) were also calculated. The resulting structure has the characteristics of a perfect rectifier.

Benzer Tezler

  1. ZnO tabakalı, TiO2 bazlı boya duyarlı organik güneş pillerinin sentezlenmesi, karakterizasyonu ve veriminin geliştirilmesi

    Synthesis, characterization and improvement of ZnO- layered, TiO2–based dye-sensitized organic solar cells

    KENAN ÖZEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLHAN KOŞALAY

  2. Advanced electrical characterization of organic–inorganic hybrid perovskite solar cells by impedance spectroscopy

    Organik–inorganik perovskit güneş hücrelerinin empedans spektroskopisi ile elektriksel karakterizasyonu

    MEHMET CEM ŞAHİNER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

  3. Manyetik mezogözenekli TiO2 fotokatalizörlerin hazırlanması ve uygulama alanları

    Preparation and application areas of magnetic mesoporous TiO2 photocatalysts

    SAMET SEVİNÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    KimyaBursa Uludağ Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEYHAN ERDEM

  4. Kargir yapı dış yüzeylerinde boya uygulamalarına yönelik sorunların belirlenmesi ve çözüm önrileri

    Başlık çevirisi yok

    S.MÜJDEM VURAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    MimarlıkYıldız Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SEVİNÇ İPEKAR

  5. Germanyum nano yapılar ve bodıpy boya molekülleri arasındaki enerji ve elektron transfer süreçlerinin incelenmesi

    Investigation of energy and electron transfer processes between germanium nanostructures and bodipy molecules

    AYŞEGÜL ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji MühendisliğiKaramanoğlu Mehmetbey Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SABRİYE AÇIKGÖZ