Geri Dön

MOS arayüzey yük yoğunluğu ölçümü ve özelliklerinin saptanması

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 5547
  2. Yazar: MUSTAFA METİN GÜZELGÖZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1989
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Uludağ Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 89

Özet

-~80 ~ ?, C-V yöntemiyle MO S kapa sit ör arayüzeyinde silisyum yasak enerji aralığa için de yaralan arayüzey durumları niteliksel ve 3ayısal olarak saptanmaya çalışa İmiş-*- tır. Bu arayüzey durumlarının enerji aralı/'andaki han#i enerji seviyelerinde yoğun laştıklarını saptamak için yüzey potansiyeli basit bir deneysel yöntem kullanıla rak elde edilmiştir. Ayrıca, yanlız C-V deneysel bulgularından C, oksit kapasi- tansı da elde olunarak buradan oksit kalınlığı da inos bir duyarlıkla bulunmuştur. Ancak, bu çalışmada incelenen yöntem ile arayüzey durumlarının yasak enerji aralı ğı içindeki konumları, Özellikle Formi seviyesi yakınlarında olanlarının sayısal olarak saptanmasına rağmen niteliklerinin anlaşılması mümkün olmamaktadır.

Özet (Çeviri)

81 ABSTRACT In thin work I have investigated and tided to determine the. interface states which 'ire in the ralloon -forbidden *»ap by extracting the results of the C-V measurements. The surface potontial or bond bonding of the semi conductor is obtained to determine the most probable energy levels of those states. Therefore, a simp lified experimental method is used to nolvo thin problpm. Besides, C, the oxide capacitance is calculated with utmost sensibility by the high frequency C-V measurements, it was possible quantitatively to obtain the interface- ccatoî especially nearby of the Fermi level but, it is impossible to interpret the chemical origins of the interface states by this experimental method.

Benzer Tezler

  1. Investigation of gamma irradiation response of Y2O3 metal-oxide-semiconductor capacitors

    Y2O3 metal-oksit-yarıiletkenler kapasitörlerinin gamma radyasyonu cevaplarının incelenmesi

    SALEH ABUBAKAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERCAN YILMAZ

  2. Mos tranzistorlarda kanal katkılama yönteminin oksit ve arayüzey tuzakları üzerine etkisi

    The Channel doping method's effect on oxide and interface traps in mos transistors

    ENGİN KONUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU

  3. Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri

    Gama radiation effect on mos structure

    TİMUR CANEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE

  4. Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors

    Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi

    PINAR ÖZDAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ