Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri
Gama radiation effect on mos structure
- Tez No: 57937
- Danışmanlar: PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gama radyasyonu, MOS yapılar, Yarı iletkenler, Gamma radiation, Mos structure, Semiconductors
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kocaeli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
MOS YAPILARDA y RADYASYONUNUN ETKİLERİ Timur CANEL Özet: Bu çalışmada, Metal-Oksit- Yarıiletken (MOS) yapılan incelemeden önce yalıtkan, iletken, yarıiletken ve bant yapılan kısaca anlatılmıştır. Daha sonra n-tipi ve p-tipi yarıiletkenin kristal yapısı incelenmiştir. Kullandığımız MOS yapıyı incelemeden önce ideal bir MOS yapının yığılma, fakirleşme ve evirtim bölgelerinin enerji bant diyagramları, elektrik alan dağılımı, yük dağılımı ve potansiyel dağılımı incelenmiştir. Daha sonra Poisson denklemi ile yaniletkendeki yüzey alan yük yoğunluğu uzaklığa bağlı olarak hesaplanmıştır. İdeal MOS eğrisinden faydalanarak oksit kalınlığı, yaniletkenin tipi, önemli oksit kusurlan ve evirtim tabakasının yeri bulunmuştur. İdeal olmayan MOS yapıda, yapı içindeki yüzey ve arayüzey durumlan, sabit yüzey yükleri, hareketli iyonlar ve iyonize olmuş tuzaklar bulunmuş ve bunlann MOS 'un C- V eğrisinde oluşturduğu farklılıklar incelenmiştir. Daha sonra y-radyasyonunun MOS yapıya etkileri teorik olarak incelenmiştir. Deneysel metot da ise MOS örneklerimize çeşitli dozlarda y-radyasyonu uygulanmıştır ve C-V eğrileri çizilmiştir. İdeal teorik C-V eğrisi ile y-radyasyonu uygulandıktan sonra çizilen C-V eğrisinden, Silisyum'un yasak enerji bölgesinde oluşan enerji seviyeleri bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
y RADIATION EFFECT ON MOS STRUCTURE Timur CANEL Abstract: In this study, before investigating the Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structure, the crystal structure of n-type and p-type semiconductor will be explained. To understand MOS structure, we investigated energy band diagram, electric field distribution, charge distribution and potential distribution of the accumulation, depletion and inversion layers of an ideal MOS structure. After this, the surface space- charge density as dependent on distance of the semiconductor will be calculated by Poisson Equation. Oxide width, semiconductor type, important oxide defects and inversion layer location are found by the use of ideal MOS curve. In the non-ideal MOS structure, surface and interface states, fixed surface charge, mobile ions and ionized traps in the structure are found and the effect of these on C-V curve of MOS are investigated. After that, effects of y-radiation on the MOS structure are investigated theoretically in experimental method, various doses y-radiation is applied on MOS sample and C-V curves are drawn. Energy levels which are in forbidden gap of Silisium are found by the use of ideal theoretically C-V curve and C-V curves which are applied y-radiation.
Benzer Tezler
- Nanoyapıların radyasyona karşı davranışlarının deneysel ve simülasyon programıyla incelenmesi
Examination of the behavior of nanostructures against radiation by experimental and simulation program
HÜSEYİN SÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Nükleer MühendislikGazi ÜniversitesiNükleer Bilimler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEMA BİLGE OCAK
- Fabrication and characterization of nuclear radiation sensing field effect transistors (NurFETs) with high-K dielectrics
Yüksek-K dielektrikli alan etkili nükleer radyasyon dedektörlerinin (NürFET) üretimi ve karakterizasyonu
ŞENOL KAYA
Doktora
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERCAN YILMAZ
- Ark fiziksel buhar biriktirme yöntemiyle nanokompozit Mo-N-Cu kaplamaların üretimi ve karakterizasyonu
Production of Mo-N-Cu nanocomposite coatings by arc physical vapour deposition technique and their characterization
OSMAN LEVENT ERYILMAZ
- Computational screening of dual cation ammine metal borohydrides
Çift katyonlu amin metal bor hidrürlerin hesaplamalı taraması
YUSUF KIŞLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiHesaplamalı Bilim ve Mühendislik Ana Bilim Dalı (disiplinlerarası)
DOÇ. DR. ADEM TEKİN
- MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure
MUHARREM GÖKÇEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL