Geri Dön

P-tipi Si alttaban üzerine nanotel CdSe ince filmlerin üretilmesi ve yapısal özellikleri

The production and structural properties of nanowire CdSe thin films on p-type Si substrates

  1. Tez No: 562195
  2. Yazar: FATİH ÖKSÜZOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mersin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada p-tipi Silisyum alttaban üzerine nanotel Kadmiyum Selenür (CdSe) ince filmleri kimyasal depolama yöntemi kullanılarak büyütülmüştür. Cam ve FTO alttabanlar üzerine büyütülen filmlerinin karakterizasyonu incelendikten sonra bir heteroeklem oluşturmak için silisyum (Si) alttaban üzerinde oluşan CdSe filmlerinin güneş pili olarak kullanılabilirliği burada incelenmiştir. Silisyum alttabanın mat ve parlak yüzeyi olmak üzere 2 farklı yüzeyde depolama işlemi gerçekleştirilerek CdSe filmleri üretilmiştir. Oluşturulan p-n ekleminin karakteristiğini X-ışını difraksiyonu (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), Raman ve Fotolüminesans spektroskopisi, I-V ölçümleri, 4 'lü prob ölçümleri kullanılarak belirlenmiştir. Farklı alttaban üzerinde ve farklı depolama sürelerinde oluşturulan CdSe ince filmlerin morfolojik özellikleri karşılaştırmalı olarak verilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, CdSe nanowire thin films have been produced on p-type Si substrate by using chemical bath deposition. After the characterization of thin films grown on glass and FTO substrates, a heterojunction has been formed by growing an n-CdSe thin film on a p-Si substrate and we have investigated the use of this heterojunction as solar cell. CdSe thin films have been deposited on both faces, front face (polished face) and back face (unpolished face), of Si substrate. The characteristics of p-n heterojunctions have been determined by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman and Photoluminescence spectroscopy, I-V measurements, and four probe method. The morphological properties of CdSe thin films grown on different substrates at different deposition times have been presented comparatively.

Benzer Tezler

  1. Pre-eklampsi ve eklampsi vakalarında immünoglobülin düzeylerinin değerlendirilmesi (Klinik ve immünobiolojik araştırma)

    Examination des valeurs d'immunoglobulines en cas de la toxemie gravidique

    M. MURAT SEMİZ

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Kadın Hastalıkları ve DoğumGazi Üniversitesi

    Kadın Hastalıkları ve Doğum Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MÜLAZIM YILDIRIM

  2. Enez kili ve asitle etkileşmesinin kristal yapı bakımından x-ışını kırınım yöntemi ile incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    NEZİHE ÇALIŞKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİnönü Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİZAMETTİN ARMAĞAN