Geri Dön

P-tipi Si alttaban üzerine nanotel CdSe ince filmlerin üretilmesi ve yapısal özellikleri

The production and structural properties of nanowire CdSe thin films on p-type Si substrates

  1. Tez No: 562195
  2. Yazar: FATİH ÖKSÜZOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mersin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 48

Özet

Bu çalışmada p-tipi Silisyum alttaban üzerine nanotel Kadmiyum Selenür (CdSe) ince filmleri kimyasal depolama yöntemi kullanılarak büyütülmüştür. Cam ve FTO alttabanlar üzerine büyütülen filmlerinin karakterizasyonu incelendikten sonra bir heteroeklem oluşturmak için silisyum (Si) alttaban üzerinde oluşan CdSe filmlerinin güneş pili olarak kullanılabilirliği burada incelenmiştir. Silisyum alttabanın mat ve parlak yüzeyi olmak üzere 2 farklı yüzeyde depolama işlemi gerçekleştirilerek CdSe filmleri üretilmiştir. Oluşturulan p-n ekleminin karakteristiğini X-ışını difraksiyonu (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), Raman ve Fotolüminesans spektroskopisi, I-V ölçümleri, 4 'lü prob ölçümleri kullanılarak belirlenmiştir. Farklı alttaban üzerinde ve farklı depolama sürelerinde oluşturulan CdSe ince filmlerin morfolojik özellikleri karşılaştırmalı olarak verilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, CdSe nanowire thin films have been produced on p-type Si substrate by using chemical bath deposition. After the characterization of thin films grown on glass and FTO substrates, a heterojunction has been formed by growing an n-CdSe thin film on a p-Si substrate and we have investigated the use of this heterojunction as solar cell. CdSe thin films have been deposited on both faces, front face (polished face) and back face (unpolished face), of Si substrate. The characteristics of p-n heterojunctions have been determined by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Raman and Photoluminescence spectroscopy, I-V measurements, and four probe method. The morphological properties of CdSe thin films grown on different substrates at different deposition times have been presented comparatively.

Benzer Tezler

  1. p tipi Si ve iletken tabanlı CdS heteroeklemlerin kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmesi ve karakterizasyonu

    Obtaining and characterization of p type Si and conductive substrated CdS heterojunctions by chemical bath deposition method

    EMEL YILDIRIM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMersin Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR

    DOÇ. DR. ALİ KEMAL HAVARE

  2. Growth and morphological characterization of intrinsic hydrogenated amorphous silicon thin film for a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

    a-Si:H/c-Si heteroeklem güneş pilleri için katkısız hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ince filmlerin büyütülmesi ve morfolojik karakterizasyonu

    ÖZLEM PEHLİVAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  3. a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu

    The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells

    OKAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  4. P tipi silisyum tabanlı altlık üzerine CuO maddesinin kaplanarak elde edilen yapıların akım iletim mekanizmaları

    The currency transition mechanisms of structures obtained by covering CuO material on an p type silicon based graund

    MEHMET FARUK KARABAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. İSMAİL ARSEL

  5. Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al kontağın elektronik özellikleri

    The study of the electronics properties of Al/PNpClPhPPy/p-Si/Al structures

    SİNEM GÜRKAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. AHMET FARUK ÖZDEMİR