P tipi silisyum tabanlı altlık üzerine CuO maddesinin kaplanarak elde edilen yapıların akım iletim mekanizmaları
The currency transition mechanisms of structures obtained by covering CuO material on an p type silicon based graund
- Tez No: 382380
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İSMAİL ARSEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 79
Özet
Bu çalışmada, (100) yönelimine sahip, önceden parlatılmış ρ=1-10 Ωcm özdirençli, p-tipi Si (Silisyum) kristali kullanılmıştır. Metal yarıiletken arasına yerleştirilen CuO nano yapılı ince filmleri büyütmek için sol-jel döndürme tekniği olan spin coating metodu kullanılmıştır ve bir Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısı üretilmiştir. Metal-yarıiletken arasına yerleştirilen ince metal-oksit filmin diyot karakteristikleri üzerine etkisi araştırılmıştır. Elde edilen filmlerin, Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) görüntüleri alınmıştır. Diyot yapısını oluşturabilmek amacıyla, yapının omik ve doğrultucu kısmı, termal buharlaştırma metodu kullanılarak 5x10-6 Torr basınç altında ve %99,99 saflığında alüminyum metali kullanıldı. Üretilen Al/CuO/p-Si/Al diyot yapısının geleneksel I-V, Norde fonksiyonları kullanılarak; idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ΦB) ve seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Ayrıca CuO filmlerin optiksel özellikleri UV-VIS spektroskopisi yardımı ile incelenmiş ve buradan optiksel enerji bant aralığının 2,08 eV olduğu tayin edilmiştir. Yapılan hesaplamalardan sonra üretilen diyotun doğrultucu diyot olduğu ve fotodiyot özellik gösterdiği görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, a type-p Si (Silicon) crystal of orientation [100], having a resistivity of ρ = 1-10 Ωcm, and polished beforehand, has been used in order to grow a nano-thin film of CuO inserted between a metal and a semiconductor. Spin coating method which is a sol-gel rotating technique has been used and an Al/CuO/p-Si/Al diode has been produced. The effect on the diode characteristics of the thin-film metal oxide inserted between metal-semiconductor has been investigated. Images of the films thus acquired, has been obtained by the Scanning Electron Microscopy (SEM). To obtain the above mention diode and its ohmic and forward side by the fundamental evaporation technic, 5x10-6 Torr pressure and 99.99% pure aluminium metal was used. Employing the Norde function, the I-V characteristics of the diode, the value of the ideality factor (n), barrier height (ΦB) and serial resistance (Rs) were calculated. Furthermore the optical properties of the CuO films have been investigated by means of UV-VIS spectroscopy an from it the optical energy band interval was determined to be 2.08 eV. After the calculations it was found that the diode produced was forward side and showed the photodiode mode.
Benzer Tezler
- Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of silicon based organic-inorganic diodes
DİLEK DUYGU ORAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
- Yüzeyi nano boyutta kendiliğinden toplanan tekli tabaka (SAM) molekülü ile modifiye edilmiş organik arayüzeyli silisyum tabanlı schottky diyotların incelenmesi
Investigation of schottky diodes, whi̇ch are based-silicon, at the interface of organic whose surface modified with nano size self assembled monolayer (SAM) molecules
BAŞAK ASLIHAN BAĞCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Kimya MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER FARUK YÜKSEL
- Çok eklemli fotovoltaik yapılar için şeffaf elektrot temelli perovskit güneş hücresi üretimi ve performans incelemesi
Farbrication and performance analysis of transparent electrode based perovskite solar cell suitable for multijunction photovoltaic structures
ALPER EKİCİ
- Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
ORHAN ÖZDEMİR
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Optimization of fabrication steps for n-type c-Si solar cells
N-tipi kristal silisyum güneş gözesi üretimi için fabrikasyon basamaklarının optimizasyonu
EFE ORHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN