AIN tampon tabakaların kalıntı gerilmelerinin HR-XRD ile analizi
Analysis of residual stresses of AIN buffer layers by HR-XRD
- Tez No: 569514
- Danışmanlar: PROF. DR. METİN ÖZER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde, metal-organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) tarafından safir alttaşlarda biriktirilmiş farklı kalınlıkta AlN tamponlu iki, yüksek elektronlu mobilite transistör yapısı (HEMT) üretildi. AlN tampon tabakası cihazın performansı için kritik öneme sahiptir. Bu nedenle mozaik model kullanılarak analiz edilen gerilmelerin etkisi gözlemlendi. AlGaN / AlN / GaN hetero-yapıları, X-Ray difraksiyonu (XRD) ve Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile incelendi. Yapılarda GaN, AlGaN, AlN katmanlarının mozaikliğini değerlendirmek için mozaik modeli de kullanıldı. Yanal ve düşey kristal büyüklüğü, çıkık, eğim ve leke tabakaları, HR-XRD cihazı ile Vegard ve William Hall (WH) yarı deneysel yöntemleriyle incelenmiştir. XRD sonuçlarına göre; Tampon tabakası kalınlığı azaldıkça, simetrik (002) ve asimetrik zirvelerin (105) pik yükseklik yarı genişliği (FWHM) değerleri artmaktadır. Daha kalın tampon katmanı yapıyı daha fazla kristalize eder. AFM sonuçlarına göre düşük kalınlıkta AlN tamponu daha sık çukurlara ve tepeciklere sahiptir ve daha pürüzlüdür. Sonuç olarak, 520 nm kalınlığında AlN tampon tabakası daha iyi bir yapısal performans göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, two high-electron mobility transistor structures (HEMTs) with different thicknesses of AlN buffer deposited in sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) were produced. The AlN buffer layer is of great importance for the performance of the device, so the effect of the wrinkles analyzed using the mosaic model was investigated by AlGaN / AlN / GaN hetero-structures, X-Ray Diffraction (XRD) and Atomic Force Microscopy (AFM). Mosaic model was also used to evaluate the mosaicity of GaN, AlGaN, AlN layers in the structures. Lateral and vertical crystal size, dislocation, slope and stain layers were examined with HR-XRD device and Vegard and William Hall (WH) semi-experimental methods. According to XRD results; as the thickness of the buffer layer decreased, symmetrical (002) and asymmetrical peaks (105) were found to increase FWHM values. The thicker buffer layer the further crystallizes the structure. According to the AFM results, the fine AlN buffer has more frequent pits and strokes and is more rough. Finally, the 520 nm thick AlN buffer layer showed better structural performance.
Benzer Tezler
- MOCVD tekniği ile farklı kalınlıklarda büyütülen ALN tampon tabakalarının yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural and optical properties of ALN buffer layers grown at different thicknesses by MOCVD technique
DURMUŞ DEMİR
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK
- Katkılı tampon tabakaların organik güneş hücrelerinde verimlilik üzerine etkileri ve bu hücrelerin kimyasal buhar biriktirme tekniği ile enkapsülasyonu
The effects of doped buffer layers on efficiency of organic solar cells and encapsulation of these solar cells by chemical vapor deposition technique
SEMİH YURTDAŞ
Doktora
Türkçe
2021
Kimya MühendisliğiKonya Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KARAMAN
DOÇ. DR. CEM TOZLU
- Ge üzeri Ti, Si, Au ve ZnO tampon tabakaların pik profil yardımıyla dislokasyon ve korelasyon uzunluklarının tayini
The dislocation and correlation lengths's determination of the Ti, Si, Au and ZnO layers on Ge with the help of the peak profile
HASAN CELAL DERVİŞOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- PECVD yöntemiyle a-Si:H tabanlı HIT güneş pili üretimi ve karakterizasyonu
Characerization of a-Si:H based HIT solar cell fabricated by PECVD method
UĞUR DENEB MENDA
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR
DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ
- Production of amorphous silicon /p-type crystalline silicon heterojunction solar cells by sputtering and PECVD methods
Amorf silisyum/p-tipi kristal silisyum heteroeklem güneş gözelerinin saçtırma ve PECVD tekniği ile üretilmesi
ZEYNEP DENİZ EYGİ
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. RAŞİT TURAN
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ