Çok tabakalı InGaN/GaN küresel kuantum noktasının elektronik ve optik özellikleri
Electronic and optical properties of multilayer InGaN/GaN spherical quantum dot
- Tez No: 572173
- Danışmanlar: PROF. DR. AYHAN GÜLDESTE
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Quantum dot, density matrix, dielectric constant, donor impurity
- Yıl: 2019
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
Bu çalışmada, geniş uygulama alanına sahip çok tabakalı InGaN/GaN/InGaN/GaN kuantum noktasının elektronik ve optik özellikleri teorik olarak araştırılmıştır. Sayısal hesaplamalar etkin ku¨tle yaklaşımı altında sonlu farklar-shooting yöntemiyle yapılmıştır. Kuantum mekaniksel yaklaşımlarla doğrusal ve doğrusal olmayan optik özelliklerin gelen ışığın frekansına bağlılığı yoğunluk matris formalizmi kullanılarak elde edilmiştir. Çok tabakalı küresel kuantum noktasının taban durum-uyarılmış durumlar için enerji seviyeleri, verici safsızlığının bağlanma enerjileri, dielektrik sabitleri (bağıl dielektrik geçirgenlikleri), soğruma katsayısı ve kırılma indis değişimleri incelenmiştir. Hesaplama sonuçlarından, bağlanma enerjisinin ve optik özelliklerin kuantum nokta boyutlarına ve safsızlığa güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmüştür. Anahtar Kelimeler: Kuantum nokta, yoğunluk matrisi, dielektrik sabiti, verici safsızlığı
Özet (Çeviri)
In this study, the electronic and optical properties of multilayered InGaN/GaN/InGaN/GaN quantum dot which have wide applications, have been theoretically investigated. The numerical calculations have been performed using nite di erences-shooting method within framework of the e ective mass approximation. The photon energy-dependence of the linear and nonlinear optical properties have been obtained by using density matrix formalism under quantum mechanical approach. The energy levels of multilayered quantum dot for ground state-excited state, the binding energy of donor impurity, the dielectric constants (relative dielectric permittivities), absorption coecient and refractive index changes have been investigated. The calculation results show that the binding energy and the optical properties strongly depend on the quantum dot sizes and impurity.
Benzer Tezler
- GaN hemt aygıtlarda çift katmanlı Si3N4 dielektrik tabakasının elektriksel özellikleri
Electrical properties of double-layer Si3N4 dielectric layer in GaN hemt devices
YILDIRIM DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEREN TAYRAN
- Glisil-L-Histidil-L-Lisin-Bakır (II) peptitinin lipozomlanması
Characterization of Glycyl-L-Histidyl-L-Liysine-Cu(2+) Loaded Liposomes
SETENAY ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Eczacılık ve FarmakolojiMarmara ÜniversitesiFarmasötik Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT TÜRKOĞLU
- İnsan olfaktör kök hücrelerin izolasyonu kültürünün yapılması karakterizasyonu ve hasar görmüş fasiyal sinirin (ratlarda) rejenerasyonuna etkisinin incelenmesi
Isolation, culture and characterization of human olfactory stem cells and investigation of their effect on regeneration of damaged rat facial nerves
OLGA NEHİR ÖZTEL
Doktora
Türkçe
2014
BiyomühendislikYıldız Teknik ÜniversitesiBiyomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADIL ALLAHVERDIYEV
- Görüntü sınıflandırması için yapay sinir ağlarının analiz ve optimizasyonu
Analysis and optimization of artificial neural networks for image classification
OZAN ARSLAN
Doktora
Türkçe
2001
Jeodezi ve Fotogrametriİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF. DR. OĞUZ MÜFTÜOĞLU
PROF. DR. CANKUT ÖRMECİ
- Deriden geçişin tahmin edilmesinde kullanılabilecek karbon nanotüp yapılı membran sistemi geliştirme üzerine çalışmalar
Development of carbon nanotube based system for predıctıon of skın permeabılıty
MUSTAFA TAKSIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Eczacılık ve FarmakolojiGazi ÜniversitesiFarmasötik Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İ. TUNCER DEĞİM