GaN hemt aygıtlarda çift katmanlı Si3N4 dielektrik tabakasının elektriksel özellikleri
Electrical properties of double-layer Si3N4 dielectric layer in GaN hemt devices
- Tez No: 795936
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CEREN TAYRAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2023
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 109
Özet
GaN HEMT teknolojisi; yüksek elektron hareketliliği, yüksek kırılma gerilimi gibi özellikleri nedeni ile günümüzde yeni nesil yüksek güç ve yüksek frekans uygulamalarında en önde yer almaktadır. Yüksek kırılma gerilimi ve yüksek elektron hareketliliği, AlGaN/GaN malzeme yapısı ve kullanılan pasivasyon tabakası ile sağlanmaktadır. GaN HEMT aygıtlarda epitaksiyel malzeme kaynaklı kusur etkilerini azaltmak ve yüksek elektron hareketliliğini korumak için pasivasyon tabakası çok önemlidir. Yüksek çıkış gücü sağlayabilmek için de iyi bir pasivasyon tabakası gereklidir. Bu tez çalışmasında AlGaN/GaN malzeme yapısına sahip epitaksiyel yapılar büyütülmüş ve bu yapıların karakterizasyonları yapılmıştır. Bu yapılar üzerine fotolitografi, elektron demeti litografisi, metal kaplama, kuru aşındırma ve pasivasyon kaplaması gibi yöntemlerle GaN HEMT aygıtların üretimi yapılmıştır. Üretimde pasivasyon kaplaması için farklı büyütme sıcaklığına ve farklı kalınlığa sahip çift Si3N4 dielektrik tabakası kullanılarak çalışmalar yapılmıştır. Bu çalışmaların GaN HEMT aygıtların elektriksel performansını nasıl etkilediğine bakılmış ve en iyi sonucu veren sıcaklık ve kalınlık değerleri belirlenmeye çalışılmıştır. Çalışma sonucunda; uygun tasarlanan çift Si3N4 dielektrik tabakasının, GaN HEMT aygıtın güç performansını tek Si3N4 dielektrik tabakasına göre oldukça arttırdığı ortaya çıkmıştır.
Özet (Çeviri)
GaN HEMT technology; Due to its features such as high electron mobility and high breaking voltage, it is at the forefront of new generation high power and high-frequency applications today. High breakdown voltage and high electron mobility are provided by the AlGaN/GaN material structure and the passivation layer used. The passivation layer is very important in order to reduce the effects of defects caused by epitaxial materials in GaN HEMT devices and to protect high electron mobility. A good passivation layer is also required to provide high output power. In this thesis study, epitaxial structures with AlGaN/GaN material structure are grown and characterizations of these structures are made. GaN HEMT devices were fabricated on these structures by methods such as photolithography, electron beam lithography, metal plating, dry etching and passivation coating. Studies have been carried out using double Si3N4 dielectric layers with different growth temperatures and different thicknesses for passivation coating in production. It has been examined how these studies affect the electrical performance of GaN HEMT devices and it has been tried to determine the temperature and thickness values that give the best result. As a result of the study, it was revealed that the properly designed double Si3N4 dielectric layer significantly increased the power performance of the GaN HEMT device compared to the single Si3N4 dielectric layer.
Benzer Tezler
- Si zengin pasivasyon malzemesinin GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistörlerin elektriksel özelliklerine etkisi
Effect of si rich passivation material on electrical properties of GaN based high electron mobility transistors
AHMET SERHAT DİNÇER
Doktora
Türkçe
2023
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
ÖZGÜR KELEKÇİ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Gate uzunluğunun GaN HEMT aygıtlarda güç performansına etkisi
Effect of gate length on power performance of GaN HEMT devi̇ces
AHMET TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Bilim ve TeknolojiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Yüksek güç elektroniği uygulamaları için GaN tabanlı FinFET yapısının optimizasyonu
Optimization of GaN-based FinFET structure for high power electronics applications
DOĞAN YILMAZ
Doktora
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK