Theoretical analysis of gain switching InAs-InP (113)B quantum dot laser
Kazanç anahtarının kuramsal analizi InAs-InP (113)B kuantum nokta lazerleri
- Tez No: 577974
- Danışmanlar: PROF. DR. NURAN DOĞRU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2019
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 79
Özet
Bu tezde, ultrakısa darbeler elde etmek için InAs-InP (113)B kuantum nokta (KN) lazerin kazanç-anahtarlama karakteristikleri incelenmiştir. Bu materyali seçmenin esas sebebi onun lazer emisyonunun telekomünikasyon sistemlerde kullanılan 1.55 μm' olmasıdır. Biz kip-kilitleme ve Q-anahtarlamadan daha iyi ve kolay olan kazanç-anahtarlama üzerine odaklandık. KN'nın numerik analizi oran denklemlerine dayanarak tanımlanır. Oran denklemleri InAs-InP (113)B KN lazer için 4. dereceden Runge–Kutta metodu ile çözülür. InAs-InP (113)B KN için iki enerji seviyeli numerik sonuçlar KN'aya taşıyıcı gevşemenin, KN' da taşıyıcı birleşmesinin ve kendiliğinden kavrama faktörünün kazanç-anahtarlamalı çıkış darbelerini etkilediğini gösterdi. Bununla birlikte, tüm frekanslar için kazanç sıkıştırma faktörünün, ıslak seviyedeki (IS) taşıyıcı birleşmesinin ve KN' dan IS' yeye taşıyıcı emisyonunun çıkış üzerine önemli bir etkisi olmamıştır. Üç enerji seviyeli direk gevşeme kanal modu için, sonuçlarımız temel seviyedeki (TS) kendiliğinden ışımanın, kendiliğinden kavrama faktörünün, IS'den uyarıcı seviyeye (US) yakalanma zamanının ve US'den TS'ye gevşeme zamanının çıkış darbelerini güçlü bir şekilde etkilediğini gösterdi. Bununla birlikte, iki enerji seviyesinde olduğu gibi kazanç sıkıştırma faktörünün darbeler üzerine bir etkisi olmamıştır. Bunun yanında, sonuçlarımız kazanç-anahtarlama ile kısa ve yüksek güçlü darbeler oluşturmak için yakalanma süresinin hızlı ve gevşeme süresinin yavaş olması gerektiğini gösterdi. Frekansın çıkış darbeleri üzerine güçlü etkisinden dolayı kısa ve yüksek güçlü darbeler üretebilmek için en uygun frekansın seçilmesi gerektiği gözlemlendi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, gain switching characteristics of InAs-InP (113)B quantum dot (QD) laser is investigated to generate ultrashort pulses. The main reason for choosing this material is its emission laser at 1.55μm which is used in the telecommunication systems. We focused on gain-switching QD lasers, which has been better and simpler than mode-locked and Q-switching. The numerical analysis of the QD is described based on rate equations. The rate equations are solved using the fourth-order Runge–Kutta method for InAs-InP (113)B QD laser. The numerical results of the two energy levels for InAs-InP (113)B QD show that the carrier relaxation into QD, the carrier recombination in the QD, and spontaneous coupling factor affect the gain switching output pulses. However, the gain compression factor, the carrier recombination in the wetting layer (WL), and the carrier emission from QD to WL are not significant effect on output for all frequencies. In three energy levels for direct relaxation channel mode, the results indicated that the spontaneous emission from ground state (GS), the spontaneous coupling factor, the capture time from WL to excited state (ES), and the relaxation time from ES to GS strongly affect the laser output pulses. However, there is no effect of gain compression factor on pulses as is the case in two energy levels. Furthermore, the results showed that in order to generate short and high power pulses by gain switching capture rate should be fast and the relaxation rate should be slow. It is also observed that optimum frequency should be chosen to produce shorter and high-power pulses because of the significant effect of frequency on output pulses.
Benzer Tezler
- Dağıtık enerji kaynakları için yumuşak anahtarlamalı DA-DA dönüştürücü tasarımı ve analizi
Design and analysis of a soft switching DC-DC converter for distributed energy soures
SARAH YAHYA SALIH AL-HAJM
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET UÇAR
- Increasing the voltage gain of the high step-up dc / dc converter by using of coupling inductors and capacitors
Yüksek kazançlı yükseltici dc-dc çeviricinin akuple endüktanslar ve kapasitörler ile gerilim kazancının arttırılması
HOOSHANG ZEYNALI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAMAZAN ÇAĞLAR
- Multiple input multiple output transmission techniques and link adaptation in wireless systems with dual-polarized antennas
Çift yönlü kutuplanmış antenli kablosuz sistemlerde çok girdili çok çıktılı iletim teknikleri ve link uyarlama
YAKUP KILIÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMİN ANARIM
YRD. DOÇ. DR. MUTLU KOCA
- Markov zincirleri ile pazar payı tahmini ve renkli televizyon pazarına ilişkin bir uygulama
Market share estimation of colored TV with markov chains for the period of 1990-1995
BÜLENT MENGÜÇ
- Klima dış ünite devresi için totem kutuplu yükselten PFC çevirici tasarımı
Totem pole boost PFC converter design for air conditioneroutdoor unit circuit
BERK GÖKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ DENİZ YILDIRIM