Geri Dön

A3B3C62 kalkojen yarıiletkenlerinde elektrik alanın optik özelliklere etkisi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 579901
  2. Yazar: DİLARA UYSAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 94

Özet

Bu tezin amacı TlGaSe2 katmanlı yarıiletkeninde elektrik alan etkisiyle aktive olan kusurların oluşturduğu iç elektrik alanın varlığını incelemektir. Deneysel çalışmalar sonucunda TlGaSe2 kristalinin elektrik alan, sıcaklık gibi dış etkilere karşı hassasiyet gösterdiği gözlenmiştir. Çalışma içerisinde TlGaSe2 kristalinin literatürdeki yeri, fiziksel, elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Ayrıca kristalin bant yapısından da bahsedilmektedir. Bunların yanı sıra yarıiletkenlerin optik soğurma özelliklerine de değinilmiştir. Bu incelemelerin hepsi Franz-Keldysh etkisi ve Urbach kuralına temel hazırlamak amacıyla yapılmıştır. Franz-Keldysh etkisiyle ilgili detaylı bir literatür incelemesi yapılmış ve çalışmayla ilgili olan tüm bilgiler tez içerisinde detaylı bir şekilde anlatılmıştır. Aynı işlem Urbach kuralı içinde yapılmıştır. Bu çalışmada kristalde gömülü elektrik alanın optik soğurmaya etkisi incelenmiştir. Ayrıca TlGaSe2 kristalinin optik soğurma katsayısının yasak bant kenarındaki davranışı Urbach kuyruğu olarak tanımlanmıştır. Literatürde TlGaSe2 kristali için iç elektrik alanın optik soğurma kenarı üzerindeki etkisiyle ilgili bir çalışmaya rastlanmamıştır. Bu tez çalışması literatürdeki bu boşluğu doldurmayı amaçlamaktadır.

Özet (Çeviri)

The aim of this thesis is to investigate the presence of an internal electric field in the TlGaSe2 layered semiconductor caused by defects activated by the external electric field. As a result of experimental studies, it's shown that TlGaSe2 crystal is sensitive to external effects such as electric field and temperature. In this study, the place of TlGaSe2 crystal in the literature, its physical, electrical and optical properties were examined. Crystalline band structure and in addition, optical absorption properties of semiconductors are mentioned. All of these investigations were conducted to prepare a basis for the Franz-Keldysh effect and the Urbach rule. A detailed literal review of the Franz-Keldysh effect has been made and all the information that could contribute to the study was explained in detail in the thesis and the same path was followed for Urbach rule. In this study, the effect of embedded electric field on optical absorption of the crystal was investigated. In addition, the behaviour of the optical absorption coefficient of the TlGaSe2 crystal at the forbidden band edge is defined as the Urbach tail. In the literature, a study related to the effect of internal electric field on the optical absorption edge of TlGaSe2 crystal is missing. This thesis aims to fill this gap in the literature.

Benzer Tezler

  1. A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy

    YAKUP BAKIŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  2. Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu

    Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects

    MEHMET ERDEM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  3. A3B3C26 ferroelektrik yarı iletkenlerinde faz geçişlerin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem geliştirilmesi

    Development of a new optical method for determining the phase transitions in A3B3C26 ferroelectric semiconductors

    ŞERİFE TUĞBA BAYER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. EMİN YAKAR

  4. A3B3C6-2 tabakalı yarıiletken bileşimlerinde optik geçirgenlik ve soğrulma etkileri

    Optical transmission and absorption effects in A3B3C6-2 layered semiconductor compounds

    BURAK GÜRKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV

  5. Yarı iletken kalkogenid bileşiklerin yapısal, fonon ve elektronik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi

    Density functional theory investigation of structural, electronic and vibrational properties of semiconducting chalcogenid compounds

    BURAK GÜRKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SAVAŞ BERBER