Geri Dön

A3B3C26 ferroelektrik yarı iletkenlerinde faz geçişlerin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem geliştirilmesi

Development of a new optical method for determining the phase transitions in A3B3C26 ferroelectric semiconductors

  1. Tez No: 498267
  2. Yazar: ŞERİFE TUĞBA BAYER
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. EMİN YAKAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2018
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

Uzun zamandır, yapısal faz geçişine uğraması, ferroelektrik ve yarı iletken özelliklerin bir arada bulunmasından ve dış etkiler altında incelenen değişik parametrelerinin verdiği özel sonuçlardan dolayı tabakalı TlGaSe2 ve TIInS2 kristallerine olan ilgi artmıştır. Literatürde de sık sık rastlanıldığı gibi bu kristallerin faz geçişlerinin belirlenmesi için kullanılan yöntemler genellikle yüksek maliyetli cihazlar ve zahmetli metodlar içermektedir. Dolayısıyla faz geçişlerinin belirlenmesinin önemli olduğu kadar da zahmetli olduğunu da söylemek yanlış olmayacaktır. Bu sebeplerden ötürü faz geçişlerinin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem önerilmektedir. Bu çalışmada dahil oldukları simetri grubunun özelliklerinden ötürü oda sıcaklığında birbirinden küçük açılarla ayrılan iki adet optik eksene sahip TlGaSe2 ve TlInS2 kristallerinin ışık geçirgenliği verileri ve görüntülerinin 10-300 K aralığında sıcaklığa bağlı değişimlerinin incelenerek faz geçiş sıcaklıkları etrafındaki davranışlarının belirlenmesi bu değişimlerden yola çıkılarak kristal kusurları ve faz geçişleri üzerine çeşitli yaklaşımlarda bulunulması düşünülmektedir. Bu yaklaşımların yapılacak olan diğer ölçüm sonuçları (tavlama etkisi öncesi ve sonrası XRD, elektriksel ve optiksel ölçümleri) ve literatür ile kıyaslanması ile geliştirilmesi planlanan yöntem ve düzeneğin test edilmesi planlanmaktadır.

Özet (Çeviri)

For a long time, interest in layered TlGaSe2 and TIInS2 crystals has increased due to structural phase transition, coexistence of ferroelectric and semiconducting properties, and special results of various parameters studied under external influences. As is often the case in literature, the methods used to determine the phase transitions of these crystals generally involve costly devices and laborious methods. So, it would not be wrong to say that the determination of phase transitions is also as troublesome as it is important. For these reasons, a new optical method is proposed for the determination of phase transitions. Because of the characteristics of the group of symmetry they are involved in, the behavior of the TlGaSe2 and TlInS2 crystals with two optical axes separated by small angles at room temperature is investigated and their behavior around the phase transition temperature is investigated in the range of 10-300 K. The crystal defects and phase transition are considered to be used in various approaches. It is planned to test the method and apparatus that are planned to be developed by comparing these measurements with other measurement results (XRD, electrical and optical measurements before and after annealing effect) and the literature.

Benzer Tezler

  1. A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy

    YAKUP BAKIŞ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI

  2. Yarı iletken kalkogenid bileşiklerin yapısal, fonon ve elektronik özelliklerinin yoğunluk fonksiyoneli teorisi ile incelenmesi

    Density functional theory investigation of structural, electronic and vibrational properties of semiconducting chalcogenid compounds

    BURAK GÜRKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SAVAŞ BERBER

  3. A3B3C62 kalkojen yarıiletkenlerinde elektrik alanın optik özelliklere etkisi

    Başlık çevirisi yok

    DİLARA UYSAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  4. A3B3C6-2 tabakalı yarıiletken bileşimlerinde optik geçirgenlik ve soğrulma etkileri

    Optical transmission and absorption effects in A3B3C6-2 layered semiconductor compounds

    BURAK GÜRKAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV

  5. Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu

    Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects

    MEHMET ERDEM

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY