A3B3C6-2 tabakalı yarıiletken bileşimlerinde optik geçirgenlik ve soğrulma etkileri
Optical transmission and absorption effects in A3B3C6-2 layered semiconductor compounds
- Tez No: 150228
- Danışmanlar: DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 82
Özet
/WITT g « ** I -A vr) s S g j 'Si..*>...««V '.'.? c“ A3B3C* formüllü, tabakalı yarıiletken TllnS2, TIGaSe2 veNQ kristallerinde optik soğrulma spektrumlannın ölçümü ve karakterizasyonu aracılığı İle bu kristallerin enerji bant yapısı araştırılmış ve optoelektronikte uygulanma alanları belirlenmeye çalışılmıştır. TlInS2, TlGaSe2 ve TlGaS2 kristallerinin yasak enerji bant aralığı 2 eV değerinden yüksek olduğundan, bu enerji değeri görülebilir bölgedeki optik ışınların foton değerlerine uygun gelmektedir. Soğrulma spektrumlannın ölçümleri bu açıdan önemlidir. Bu çalışmada kristallerin soğrulma verileri hem üç boyutlu hem de iki boyutlu modele göre incelenmiştir. Üç boyutlu modele göre yapılan fittinglerden (veriye uydurma) kristallerin izinli mi yoksa izinsiz mi geçişe sahip olduğu tam olarak anlaşılamamaktadır. Bu yüzden iki boyutlu modelden de yararlanılmış ve geçiş türü buna göre belirlenmiştir. Kristallerden elde ettiğimiz verileri kullanarak yaptığımız fittingler sonucunda TlInS2, TlGaSe2 ve TlGaS2 kristallerinin dolaylı bant aralığına sahip olduğunu ve bu kristallerin en çok dolaylı izinsiz geçişler için bulduğumuz verilere göre yaptığımız fittinglere uygun olduğu bulunmuştur. Oda sıcaklığında elde edilen verilerin değerlendirilmesi sonucu üç boyutlu modele ve iki boyutlu modele göre dolaylı yasaklı bant aralıklarının değerleri kristaller için sırasıyla şöyledir: TlInS2 (Eg =2, 2702 eV, Eg = 2,2836eV), TlGaSe2 (Eg=l,8758eV, Eg =l,9128eV), TlGaS2 (Eg = 2,396eV, Eg = 2,425eV). Bu geçişlerde yardımcı olan fononlann enerjileri de TUnS2 için tua0 =0,023 eV, faûe =0,02615eV, TlGaSe2 için ha0 =0,0531eV, hm0 =0,05565eV, TlGaS2 için &»”=0,029eV, ha0 =0,034eV olarak bulunmuştur.
Özet (Çeviri)
4? JV,^\ SUMMARY | $$0^ *$X In this thesis, band structures of A3B3C2 layered semiconductor^ öf f llttS^- ; / 'v-, *?' '.;?..'. 'V--'“.:?** ' '.*'*-.,, ”...
Benzer Tezler
- Ab initio hesaplamaları: Kusurların varlığında A3B3C62 üçlü ve A2B6 ikili tabakalı kalkojenit kristallerin elektron ve fonon spektrumu
Ab initio calculations: Electron and phonon spectrum of A3B3C62 ternary and A2b6 binary chalcogenite crystals in the existence of defects
MEHMET ERDEM
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- A3B3C62 yarı iletken ferroelektriklerin dielektrik spektroskopi yöntemi ile incelenmesi
Investigation of A3B3C62 ferroelectirics semiconductor with dielectric spectroscopy
YAKUP BAKIŞ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BAHATTİN ABAY
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU
- A3B3C62 kalkojen yarıiletkenlerinde elektrik alanın optik özelliklere etkisi
Başlık çevirisi yok
DİLARA UYSAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- A3B3C26 ferroelektrik yarı iletkenlerinde faz geçişlerin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem geliştirilmesi
Development of a new optical method for determining the phase transitions in A3B3C26 ferroelectric semiconductors
ŞERİFE TUĞBA BAYER
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇanakkale Onsekiz Mart ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. EMİN YAKAR