Geri Dön

Yüksek özdirençli n-tipi Si da sıcaklığa bağlı galvanomagnetik özellikler

Temperature depenence of galvanomagnetic properties fo n-type Si whic has high resistivity

  1. Tez No: 58476
  2. Yazar: AYTUNÇ ATEŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHAMMET YILDIRIM
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 36

Özet

ÖZET Oda sıcaklığındaki özdirenci 1400 0,-cra. olan ve tipi n-Si numunelerinde 210-320 K sıcaklık aralığında magnetorezistans ve Hail ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak enine ve boyuna magnetorezistans katsayıları, Hail mobilitesi, anizotropi parametreleri, taşıyıcı konsantrasyonu ve elektriksel iletkenlik değerleri hesaplandı. ve tipi numunelerde enine ve boyuna magnetorezistans etkisinin benzer eğilim gösterdiği gözlendi. tipi numunede hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi tipi numunesindekinden daha büyük olduğu tesbit edildi. ve tipi numunelerde 210-240 K aralığında artan sıcaklıkla birlikte hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi artmakta, 240-320 K sıcaklık aralığında ise artan sıcaklıkla enine ve boyuna manetorezistans etkisi azalmaktadır. Her iki numunede magnetorezistans etkisinin sıcaklıkla değişimi, anizotropi parametrelerinin sıcaklıkla değişimiyle uyum içerisindedir. ve tipi numunelerde taşıyıcı konsantrasyonunun ve elektriksel iletkenliğin artan sıcaklıkla arttığı, Hail mobilitesinin 260 K' e kadar arttığı ve 260 K' den sonra azaldığı gözlendi.

Özet (Çeviri)

11 SUMMARY Hall and magnetorezistance measurements are made at the temperature range 210-320 K in and n-Si having the resistivity 1400 CI cm at the room temperature. The transverse and longitidunal magnetorezistance coefficients and Hall mobility, anisotropy parameters, carrier concentration and electrical conductivity are calculated by using Hall and magnetorezistance measurements. The transverse magnetorezistance variation is similar to the longitidunal magnetorezistance variation in and n-Si samples. It is observed that, in sample, the transverse and logitidunal magnetorezistance coefficients are bigger than that sample. In both sampels the variation of magnetorezistance with temperature is similar to the variation of anizotropy parameters with temperature. In and samples, the transverse and longitidunal magnetorezistance coefficents increase with increasing temparature at the temperature range 210-240 K and decrease with increasing temparature at the temperature range 240-320 K. The carrier concentration and electrical conductivity increase with increasing temparature and Hall mobility increase up to 260 K and decrease with increasing temparature after 260 K.

Benzer Tezler

  1. SCL akımları yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-germanyum alaşımı n-i-n sandviç yapılarda elektronik kusur dağılımlarının incelenmesi

    Investigation of electronic defect distribution on amorphous silicon-germanium alloy n-i-n sandwich structure by using SCL current

    ZEYNEP RUKİYE ÖZGE CAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ

  2. Production and characterizaton of SnO2:Cu/CdS films for solar cell applications

    Güneş pili uygulamaları için SnO2:Cu/CdS filmlerinin üretim ve karakterizayonu

    WALEED WASEA KHALAF ALKUBAISI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OLCAY GENÇYILMAZ

  3. Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi

    Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures

    ENİSE ÖZERDEN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU

  4. Electron-selective contacts for N-type crystalline silicon solar cells: A study on an ultrathin zirconium oxide layer

    Elektron-taşıyıcı kontaktlar N-tipi kristal silikon güneş hücreleri için: Ultra ince zirkonyum oksit katmanı üzerine bir çalışma

    LOAY AKMAL MOSTAFA KAMAL MADBOULY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  5. Au/p-si/al, au/go/p-si/al ve au/au-rgo/p-si/al yapılarının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

    The investigation of the electrical characteristics of au/p-si/al, au/go/p-si/al and au/au-rgo/p-si/al structures depending on sample temperature

    MERVE ODABAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM