GaAsP/GaP yarıiletken yapılarının si üzerine epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of GaAsP/GaP on si
- Tez No: 352578
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tez çalışmasında, Si alttaş üzerine III-V grubu yarıiletkenlerden GaP katmanın iyi kristal kalitesinde moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği ile büyütüldü. Büyütülen bu yapının yapısal, elektriksel, morfolojik ve optik özellikleri analiz edildi. GaP/Si yapısının Hall etkisi ölçümleri ile taşıyıcılar üzerindeki etkin saçılma mekanizmaları belirlendi. Ayrıca, faklı P oranına sahip GaAsP yapısının Si alttaş üzerine ardışık iki pn-eklem olarak büyütülmesi gerçekleştirildi. Büyütülen iki pn-eklemli yapının yapısal ve optik özellikleri SEM, SIMS ve PL analizleri ile incelendi. Yapılan analizler, ardışık iki eklemli yapının, iki farklı dalga boyunda ışıma yaptığı PL ölçümleri ile belirlenerek iki renkli LED aygıtları için uygun olduğu görüldü. İki eklemli GaAsP/GaP/Si yapısından litografik teknikle diyot fabrikasyonu gerçekleştirilerek, üretilen yapının diyot özelliğine sahip olduğu gösterildi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, GaP layer that is III-V group semiconductors was grown in good crystal quality by using molecular beam epitaxy (MBE) technique. Structural, electrical, morphological and optical properties of the grown structure were analyzed. Effective scattering mechanisms on carriers were determined by Hall effect measurements. In addition, growing of two tandem pn-junction GaAsP layers with different P content was successfully achieved on GaP/Si structure. Structural and optical properties of the grown tandem structure were characterized by SEM, SIMS and PL measurements. It is observed that the structure has two PL emission peaks at different wavelength. This result show that grown structure with two pn-junctions is suitable for the fabrication of two color LED devices. In addition, A diode device was fabricated by lithographic technique and it was determined that fabricated structure has diode properties by I-V measurements.
Benzer Tezler
- Self-consistent field calculations for the electronic properties of semiconductor superlattices
Başlık çevirisi yok
BERRİN USLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. ŞAKİR ERKOÇ
- Wolfgang Borcherts Stellungnahme zum Krieg in seinen Kurzgeschichten ab 1945
Başlık çevirisi yok
ZEKİ KARAKAYA
- Microwave GaAs fet low noise amplifier design
Başlık çevirisi yok
NEVZAT YARAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
1989
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. CANAN TOKER
- Properties of shallow impurities in quantum wells and wires
Başlık çevirisi yok
MOHAMMAD KHALİL EL-SAİD
Doktora
İngilizce
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
