GaAsP/GaP yarıiletken yapılarının si üzerine epitaksiyel büyütülmesi ve karakterizasyonu
Epitaxial growth and characterization of GaAsP/GaP on si
- Tez No: 352578
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 97
Özet
Bu tez çalışmasında, Si alttaş üzerine III-V grubu yarıiletkenlerden GaP katmanın iyi kristal kalitesinde moleküler demet epitaksi (MBE) tekniği ile büyütüldü. Büyütülen bu yapının yapısal, elektriksel, morfolojik ve optik özellikleri analiz edildi. GaP/Si yapısının Hall etkisi ölçümleri ile taşıyıcılar üzerindeki etkin saçılma mekanizmaları belirlendi. Ayrıca, faklı P oranına sahip GaAsP yapısının Si alttaş üzerine ardışık iki pn-eklem olarak büyütülmesi gerçekleştirildi. Büyütülen iki pn-eklemli yapının yapısal ve optik özellikleri SEM, SIMS ve PL analizleri ile incelendi. Yapılan analizler, ardışık iki eklemli yapının, iki farklı dalga boyunda ışıma yaptığı PL ölçümleri ile belirlenerek iki renkli LED aygıtları için uygun olduğu görüldü. İki eklemli GaAsP/GaP/Si yapısından litografik teknikle diyot fabrikasyonu gerçekleştirilerek, üretilen yapının diyot özelliğine sahip olduğu gösterildi.
Özet (Çeviri)
In this thesis, GaP layer that is III-V group semiconductors was grown in good crystal quality by using molecular beam epitaxy (MBE) technique. Structural, electrical, morphological and optical properties of the grown structure were analyzed. Effective scattering mechanisms on carriers were determined by Hall effect measurements. In addition, growing of two tandem pn-junction GaAsP layers with different P content was successfully achieved on GaP/Si structure. Structural and optical properties of the grown tandem structure were characterized by SEM, SIMS and PL measurements. It is observed that the structure has two PL emission peaks at different wavelength. This result show that grown structure with two pn-junctions is suitable for the fabrication of two color LED devices. In addition, A diode device was fabricated by lithographic technique and it was determined that fabricated structure has diode properties by I-V measurements.
Benzer Tezler
- Seyreltik azotlu p-n eklem yapılarının MBE tekniği ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Dilute nitride p-n junctions grown by MBE technique and their characterizations
TUNÇ SERTEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Computational modelling of highly mis-matched alloys of GaNAsP and GaNAsBi as a laser gain material
Yüksek örgü uyumsuz GaNAsP ve GaNAsBi alaşımlarının lazer kazanç malzemesi olarak bilgisayarlı modellenmesi
ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Investigation of an infrared image converter with a semiconductor photodetector
GÜLŞEHRİ ERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- First-principles study of GaAs/AlAs nanowire heterostructures
GaAs/AlAs nanotel heterojen yapılarda ilk-prensipler hesabı
SELMA ŞENOZAN
Doktora
İngilizce
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- HEMTs yapılarının sonlu elemanlar yöntemi ile kanal modülasyonu açısından modellenmesi
Modeling of HEMTs structures with finite element method in terms of channel modulation
YASİN DOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN ÇİÇEK