Geri Dön

In, Al, Ga, Sn ve Sb katkılı ZnO ince film özelliklerinin incelenmesi

Investigation of properties of In, Al, Ga, Sn and Sb doped ZnO thin films

PDF İndir

  1. Tez No: 593602
  2. Yazar: EMEL BULDUK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasının amacı farklı cins katkı atomlarının ZnO ince filmin elektriksel, optiksel ve yapısal özellikleri üzerindeki etkisini araştırmaktır. Bunu gerçekleştirmek için %3 oranında In, Ga, Al, Sn ve Sb katkılı ince filmler cam alt tabakalar üzerinde sol-gel yöntemi ile büyütülmüştür. İnce filmlerin yasak enerji bant aralıkları geçirgenlik spektrumları yardımıyla belirlenmiştir. Sb ve In katkısının yasak enerji bant aralığını daralttığı, Al, Ga ve Sn katkısının yasak enerji bant aralığını genişlettiği belirlenmiştir. Ayrıca filmlerin Wemple-DiDomenico parametreleri bulunmuştur. İnce filmlerin aktivasyon enerjileri ve iletkenlikleri iki nokta yöntemiyle I-V-T ölçümlerinden bulunmuştur. Kalay katkılı ince filmin iletkenliğinin Al, Ga ve In katkılanan ince filmlerinkinden daha küçük olduğu bulunmuştur. İnce filmlerin yapısal özellikleri XRD spektrumları yardımıyla incelenmiştir. XRD spektrumları ile filmlerin hekzagonal wurtzite yapıda büyüdüklerini katkı atomlarının yapıyı değiştirmediği bulunmuştur

Özet (Çeviri)

The aim of this thesis is to investigate the effect of different types of additive atoms on the electrical, optical and structural properties of ZnO thin film. To achieve this, thin films with 3% In, Ga, Al, Sn and Sb doped were grown on glass substrates by sol-gel method. Forbidden energy band intervals of thin films were determined with the help of permeability spectra. It has been determined that the contribution of Sb and In narrows the forbidden energy bandgap and the contribution of Al, Ga and Sn broadens the forbidden energy bandgap. Wemple-DiDomenico parameters of the films were also found. Activation energies and conductivity of thin films were determined by two-point I-V-T measurements. It was found that the conductivity of tin doped thin film was smaller than that of Al, Ga and In doped thin films. The structural properties of thin films were examined with XRD spectra. It was found that film swith XRD spectra grew in hexagonal wurtzite structure and that the additive atoms did not change the structure.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  2. Tez No

    779775

    Çevresel etkileri bakımından bazı mineral beton katkı maddelerinin kimyasal içeriklerinin karşılaştırılması

    Comparison of chemical contents of some mineral concrete additives in terms of environmental effects

    IBRAHIM SALEH IBRAHIM ELAJAIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Çevre MühendisliğiKastamonu Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN ŞEVİK

  3. Tez No

    776222

    Atmosferik partikül maddelerin (PM) kimyasal karakterizasyonunun belirlenmesi ve kaynaklarının tespit edilmesi: Şanlıurfa örneği

    Determining the chemical characterization of atmospheric particulate matters (PM) and source appointment: The case of Sanlıurfa

    MUHAMMED YEŞİLDAĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Çevre MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ TUBA RASTGELDİ DOĞAN

    DOÇ. DR. MELİK KARA

  4. Tez No

    121473

    Organik pyronin-B, polipirol ve inorganik yarıiletken schottky diyotların fabrikasyonu ve karakteristik parametrelerinin tayini

    The Fabrication and determination of the characteristics parameters of the organic pyronin-B, polypyrrole and inorganic semiconductor schottky diodes

    MUZAFFER ÇAKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YAVUZ ONGANER

  5. Tez No

    887669

    Uyarılmış hal proton ve yük transfer duyarlı iyon-çifti kompleks oluşumuna dayanan ekstraktif ayırma-zenginleştirme sonrası spektrofotometrik yöntemle eser kalay türlerinin (Sn(II), Sn(IV), total Sn olarak) tayini

    Determination of uv-visible spectrophotometric trace tin (as Sn(II), Sn(IV), total Sn) after extractive separation-enrichment based on excited state proton and charge transfer-sensitive ion-pair complex formation

    NAJIBULLAH BALOOCH

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    KimyaSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAMAZAN GÜRKAN

Geri Dön