Geri Dön

Electronic and optoelectronic devices based on 2d materials

İki boyutlu malzemeler tabanlı elektronik ve optoelektronik aygıtlar

  1. Tez No: 600761
  2. Yazar: HÜSEYİN ŞAR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. FERİDUN AY
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering, Engineering Sciences
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 129

Özet

Bu tez çalışmasında, iki boyutlu (2B) malzemeler üzerine, bir çok karakterizasyon metodu kullanılarak kapsamlı bir araştırma yapılmıştır. 2B yapılar, bizim tarafımızdan kurulmuş kimyasal buhar biriktirme (KBB) sistemi ile büyütülmüş, büyütme parametreleri ve konfigürasyonları optimize edilmiştir. Bu malzemelerin tek katmanlarının yanı sıra, farklı tek katmanlardan oluşan heteroyapılar da üretilmiş ve Raman ve Fotolüminesans (PL) spektroskopi yöntemleri ile incelenmişlerdir. Grafen üzerine yerleştirilmiş MoS2'nin PL şiddetinin, tek katman haline oranla, grafen ve MoS2 arasındaki yük geçişinden kaynaklı 10 kat sönümlendiği görülmüştür. Ayrıca, grafen yüzeyinde yüksek yoğunluktaki çekirdeklenme noktalarından kaynaklı olarak, grafen üzerine doğrudan MoS2 büyütme işlemi, nanometre boyutlarında tek katman yapraklar ve mikrometre boyutlarında kalın MoS2 yığınları ile sonuçlanmıştır. Bunlara ek olarak, KBB ile büyütülmüş MoS2 nin uzun dönem dayanıklılığı incelenmiştir. Yüksek yoğunluktaki çekirdeklenmeden dolayı yüksek büyüme hızı ile büyümüş MoS2 yapılarının normal ortam koşulları altında kararsız oldukları ortaya konmuştur. Bu nedenle, düşük büyüme hızı sağlayan özgün bir büyütme konfigürasyonu önerilmiş ve bu önerilen metodun yetkinliği, uzun dönem gözlemler, termal yaşlandırma deneyleri ve yoğunluk fonksiyonelleri teorisi hesaplamaları ile kanıtlanmıştır. Ayrıca, MoS2 ve WS2'nin FET aygıt performansları, özdeş koşullarda koşulları altında incelenmiş ve bu cihazlar, sırası ile ~104 ve ~105 gibi akım AÇ/KAPA oranları ve yine sırası ile 1.45 ve 0.98 cm2V-1s-1 gibi nispeten yüksek taşıyıcı mobiliteleri göstermişlerdir. WS2 tabanlı aygıtların, ortam koşullarına karşı daha hassas oldukları ortaya çıkarılmıştır. Bunlara ek olarak, performans artırma metodu olarak, MoS2 tabanlı fototransistorler, kolloidal kuantum kuyuları ile hassaslaştırılmış ve enerji transeri yoluyla yükseltilmiş soğurmadan kaynaklı ~11 katlık bir foto-duyarlılık artışı elde edilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, a comprehensive study on 2D materials has been carried out and investigated by various characterization tools. The 2D materials have been grown by in-house CVD system and the growth parameters and configuration have been optimized. Not only individual monolayers, but also their heterostructures, have been obtained and investigated by Raman and Photoluminescence spectroscopy. It has been found that, the PL intensity of MoS2 on top of the graphene is quenched with a factor of 10 due to charge transfer between MoS2 and graphene. In addition, direct growth of MoS2 on top of graphene resulted in nanometer sized flakes and bulky micrometer stacks of MoS2, mainly due to higher density of seeding spots on graphene. Furthermore, the long-term stability of the CVD-grown MoS2 has been investigated. It has been found that higher growth rate due to higher seeding density, results in relatively unstable MoS2 structures under ambient atmosphere conditions. A novel growth configuration with slower growth rate is proposed and the effectiveness of the proposed method has been verified by long-term observations, thermal aging experiments and DFT calculations. Device performance investigations of MoS2 and WS2 have been investigated under identical conditions. The FETs of MoS2 and WS2 show reasonably high current ON/OFF ratios and mobilities of ~104 and ~105 and 1.45 cm2V-1s-1 and 0.98 cm2V-1s-1, respectively. It is found that WS2 shows higher sensitivity to environmental conditions. Furthermore, as a performance enhancement method, the MoS2 phototransistor has been sensitized by colloidal quantum wells and ~11-fold photoresponsivity enhancement has been achieved by increase of absorbance via energy transfer.

Benzer Tezler

  1. İki boyutlu yarıiletken TMDC malzemelerin katkılanması ve optik/elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Doping of two-dimensional semiconductor TMDC materials and characterisation of optical/electrical properties

    YUSUF KEREM BOSTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Bilim ve Teknolojiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FAHRETTİN SARCAN

  2. Development of force fields for novel 2d materials for temperature dependent vibrational properties

    Yeni 2b malzemeler için etkileşim potensiyellerinin geliştirilmesi: Sıcaklığa bağlı titreşim özellikleri

    ARASH MOBARAKI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OĞUZ GÜLSEREN

    PROF. DR. CEM SEVİK

  3. Graphene-based electrically tunable terahertz optoelectronics

    Grafen-tabanlı elektrik ayarlı terahertz optoelektroniği

    NURBEK KAKENOV

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. COŞKUN KOCABAŞ

  4. Exploring the electronic and magnetic characteristics of lithiated holey Mo8S12: A study in inorganic chemistry

    Lityumlanmış delikli Mo8S12'nin elektronik ve manyetik özelliklerinin araştırılması: Anorganik kimya çalışması

    FIRAT TAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ONUR BÜYÜKÇAKIR

    PROF. DR. HASAN ŞAHİN

  5. Deposition and characterization of two-dimensional materials for avionic and optoelectronic applications

    İki boyutlu malzemelerin aviyonik ve optoelektronik uygulamalar için büyütülmesi ve karakterizasyonu

    ELİF SEVGİ SİCİM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİHAN KOSKU PERKGÖZ