Geri Dön

Al-siox-psi aygıtların ve güneş pillerinin elektriksel karakteristikleri

Electrical characteristics of al-siox-psi devices and solar cells

  1. Tez No: 604423
  2. Yazar: ŞEMSETTİN ALTINDAL
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ATİLLA ÖZMEN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1993
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 160

Özet

20-30 A kalınlık arayüzey oksit tabakasına sahip metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) güneş pillerinin akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri 295-375 K sıcaklık aralığında incelendi. Orta beslem bölgesinde karanlık yarılogaritmik I-V eğrileri lineer ve eğimleri hemen hemen sıcaklıktan bağımsızdır.Diyot idealite faktörü n, sıcaklığa kuvvetlice bağlıdır ve sıcaklığın tersi ile lineer olarak değişmektedir ve aynı zamanda ters doyum akımı Io da sıcaklık ile lineer olarak değişmektedir. Bu çalışmada, güneş pillerinin orta beslem bölgesinde ve 295-375K sıcaklık aralığındaki etkin akım iletim mekanizması araştırıldı ve verilerin analizi sonucunda, alışılmış difüzyon proseslerinden ziyade çok katlı tünellemenin etkin olduğu görüldü. Buna ilaveten, Si ve SiO2 arasındaki arayüzey tuzak yoğunluklarının değişik teknikler kullanarak hesaplayabilmek için 70-660A oksit tabakalı MOY yapılar silikon yaprakların üzerine oluşturuldu. arayüzey durum yoğunluklarının büyüklük ve profili, farklı oksitlenme sıcaklıklarında aynı parçadan alınmış silikon yapraklar üzerine büyütülmüş farklı oksit kalınlığına sahip numuneler için gayet farklıdır. Farklı sıcaklıklarda oksitlenmiş numunelerin arayüzey durum dağılım profilindeki açık uyuşmazlıklara rağmen her bir numune için yüksek-düşük frekans kapasitans ve konduktans teknikleri arasında arayüzey durum yoğunluğu dağılımında iyi bir uyum vardır.

Özet (Çeviri)

Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics have been examined in the temperature range of 295-375 K for metal-insulator-semiconductor (MIS) solar cells with an interfacial oxide thickness of 20-30 A. In the intermediate bias voltage region, the semilogarithmic plot of dark I-V curves were found to be linear and the slope was almost independent of temperature. The diode quality factor n, strongly temperature dependent changing linearly with inverse temperature. And also, the reverse saturation current Io changes linearly with temperature. Analysis of the data indicated that predominant carrier transport mechanism of solar cells for the temperature range 295-375 K in the intermediate bias voltage region investigated in this work was multistep tunneling rather than usual process of diffusion. In addition MOs structures with an interfacial oxide thickness of 70-660A have been fabricated on silicon wafer in order to determine the interface state distribution Si and SiO2 by the use of various techniques. The magnitude and profile on the interface states densities are quite different for the samples having different oxide thickness fabricated on the substrate from the same batch under different oxidation temperatures. Despite the apparent disagreement in the interface state density distribution profile for the samples oxidized and different temperatures. However, there was a good agreement in the interface state density distribution between the high-low frequency capacitance and conductance techniques for each sample. This indicated the reliability of the observed interface state density profiles.

Benzer Tezler

  1. a-SiOx:H ve kristal silisyumdan (c-Si) oluşan a-SiOx:H/c-Si heteroeklem güneş pillerinin fabrikasyonunu ve karakterizasyonu

    The characterisation and fabrication of a-SiOx:H/c-Si heterojunction solar cells

    OKAN YILMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ORHAN ÖZDEMİR

    DOÇ. DR. ALP OSMAN KODOLBAŞ

  2. Polycrystalline silicon thin film processing on glass substrates for photovoltaic applications

    Fotovoltaik uygulamalar için cam alttaş üzerine silisyum ince filmlerin üretimi

    MEHMET KARAMAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    EnerjiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

    DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN

  3. Al3+ esaslı elektrokromik yapıların magnetron saçtırma yöntemiyle geliştirilmesi ve karakterizasyonu

    Development and characterization of Al3+ based electrochromic structures by magnetron sputtering method

    ALİ KEMAL MAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEVLÜT KARABULUT

  4. Mechanical properties of PM AI-Sic compasides produced by conventional hot-pressing method

    Geleneksel sıcak presleme yöntemi ile üretilmiş TM AI-Sic kompozitlerin mekanik özellikleri

    GÜRLER KAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RIZA GÜRBÜZ

  5. Al matrisli Al2O3 takviyeli kompozit malzemelerinin katı hal teknikleri ile kaynak edilebilirliğinin araştırılması

    The investigation of weldability of al matrix-Al2O3 reinforced composite materials with solid state bonding methods

    SONER BUYTOZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Eğitim ve ÖğretimFırat Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURİ ORHAN