Si tabanlı Ru(II) kompleks yapısına Alq3 organik bileşiğinin elektriksel ve fotovoltaik özelliklerini arttırmadaki etkisi
The effect of the Alq3 organic compound on increasing the electrical and photovoltaic properties of the Si based Ru (II) complex structure
- Tez No: 609876
- Danışmanlar: PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Kompleks yapıların diyot üzerinde karakterizasyonlarını anlayabilmek amacıyla Ru(II) ve Alq3 kompleks-organik molekülleri döndürerek kaplama/spin coating ve termal buharlaştırma teknikleri kullanılarak yarıiletken malzeme olan p-tipi-Si alttaş üzerine shottky diyot fabrikasyonu yapıldı. Kompleks moleküllerin diyot akım iletimine etkisi incelenirken bir adet referans olarak arayüzeysiz Al/p-Si/Al üç adet arayüzey madde miktarları değişen Al/Ru(II)+Alq3/p-Si/Al shottky diyot fabrikasyonu gerçekleştirildi. Arayüzey solisyonlarının optik özellikleri UV-Absorbasyon'da analiz edilerek bant aralığı 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV olarak hesaplanıldı. Spin coating cihazı ile p-Si parlak yüzeyine komplekslerimiz ince film şeklinde kaplandı. SEM ve AFM cihazları kullanılarak yüzey morfolojisi incelendi. Fotovoltaik performansını anlayabilmek için karanlık ve güneş simülatörü altında 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, doluluk faktörü FF, güneş enerji verimliliği gibi fotovoltaik parametreleri incelendi. Organik arayüzeye sahip fotodiyotların, arayüzeysiz referans diyota nazaran ışık şiddetinin artması ile ters beslem bölgesinde akımın nisbeten daha fazla arttığı gözlemlenildi. Karanlık ortamda alınan ölçümlerin TE teorisi ile referans ve organik madde miktarındaki artan oranlarla engel yüksekliği 0,78 eV/ 0,79 eV/ 0,76 eV/ 0,79 eV ve idealite faktörleri 1,82 / 4,73 / 3,65 / 4,29 olarak hesaplanıldı. Bir diğer diyot karakteristiği analiz yöntemi olarak sıcaklığa bağlı diyot parametreleri incelendi. 60-320 K aralığında sıcaklık değişiminde yapılan ölçümlerde yarı logaritmik akım-gerilim eğrileri TE, Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla Io sızıntı akımı, idealite, bariyer yüksekliği ve Rs seri direnç diyot parametreleri hesaplanıldı. Frekansa bağlı diyot parametrelerini incelemek üzere 100-2000 kHz aralığında kapasite, iletkenlik, seri direnç diyot parametreleri incelendi.
Özet (Çeviri)
In order to understand the characterization of complex structures on the diode, the shottky diode fabrication was performed on p-type-Si substones, semiconductor material, by using Ru (II) and Alq3 complex-organic molecules by using spin coating and thermal evaporation techniques. While the effect of complex molecules on diode current conduction was examined, Al / Ru (II) + Alq3 / p-Si / Al shottky diode fabrication was performed as a reference. The optical properties of the interfacial solutions were analyzed by UV-Absorption and the band gap was calculated as 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV. Our complexes were coated with thin coating on the p-Si wafer surface with spin coating device. Surface morphology was examined using SEM and AFM instruments. In order to understand photovoltaic performance, photovoltaic parameters such as open circuit voltage Voc, short circuit current Isc, fullness factor FF, solar energy efficiency , under dark and solar simulator under different light intensities between 30-100 mW/cm2 were examined. It was observed that the photodiodes with organic interface increased the current in the reverse feed region relatively with the increase in light intensity compared to the reference diode without interface. Barrier height 0.78 eV / 0.79 eV / 0.76 eV / 0.79 eV and ideality factors 1.82 / 4.73 / 3.65 / 4.29. Temperature-dependent diode parameters were analyzed as another diode characteristic analysis method. In the measurements carried out in the temperature range of 60-320 K, semi-logarithmic current-voltage curves were calculated by using TE, Norde and Cheung functions, I0 leakage current, n ideality, barrier height and Rs series resistance diode parameters. In order to examine frequency dependent diode parameters, capacitance, conductivity, series resistance diode parameters in 100-2000 kHz range were examined
Benzer Tezler
- Onkojenik Hpv genotiplerinin Pcr-elisa yöntemi ile saptanması
Detection of oncogenic hpv genotypes by Pcr-Elisa assay
ALPER KANDİŞER
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2007
MikrobiyolojiAkdeniz ÜniversitesiTıbbi Mikrobiyoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MERAL GÜLTEKİN
- Besinsel liflere bağlı biyoaktif maddelerin antioksidan kapasitesi ve rejenerasyon davranışının quencher metoduyla belirlenmesi
Determination of antioxidant capacity and regeneration behaviour of bioactive materials bound to dietary fibers with quencher procedure
ECEM EVRİM ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Gıda MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. VURAL GÖKMEN
- Ergenlerde (13-18 yaş) cinsel istismar sonrası immün sistem değişikliklerinin değerlendirilmesi
The evaluation of the immüne system changes after sexual abuse in adolescents(13-18 year old)
HAMZA AYAYDIN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2012
Allerji ve İmmünolojiİstanbul ÜniversitesiÇocuk Ruh Sağlığı ve Hastalıkları Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN ABALI
- 135° dinamik kalça çivisi ile tedavi edilen intertrokanterik femur kırıklarında tip-apeks mesafesi ölçümleri ve sonuçlara etkisi
Tip–apex distance measurements in patients with intertrochanteric femur fracture who have been treated with 135° degree dynamic hip screw and impacton on outcomes
KUBİLAY BENG
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
2005
Ortopedi ve TravmatolojiSağlık BakanlığıOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İRFAN ÖZTÜRK
- Samsun ili buğday üretim alanlarında enfeksiyon oluşturan bakteriyel etmenlerin belirlenmesi
Determination of bacterial agents in wheat production areas in samsun province
ARMAĞAN ÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
ZiraatOndokuz Mayıs ÜniversitesiBitki Koruma Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN MURAT AKSOY