Si tabanlı Ru(II) kompleks yapısına Alq3 organik bileşiğinin elektriksel ve fotovoltaik özelliklerini arttırmadaki etkisi
The effect of the Alq3 organic compound on increasing the electrical and photovoltaic properties of the Si based Ru (II) complex structure
- Tez No: 609876
- Danışmanlar: PROF. DR. NEZİR YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Bingöl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Kompleks yapıların diyot üzerinde karakterizasyonlarını anlayabilmek amacıyla Ru(II) ve Alq3 kompleks-organik molekülleri döndürerek kaplama/spin coating ve termal buharlaştırma teknikleri kullanılarak yarıiletken malzeme olan p-tipi-Si alttaş üzerine shottky diyot fabrikasyonu yapıldı. Kompleks moleküllerin diyot akım iletimine etkisi incelenirken bir adet referans olarak arayüzeysiz Al/p-Si/Al üç adet arayüzey madde miktarları değişen Al/Ru(II)+Alq3/p-Si/Al shottky diyot fabrikasyonu gerçekleştirildi. Arayüzey solisyonlarının optik özellikleri UV-Absorbasyon'da analiz edilerek bant aralığı 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV olarak hesaplanıldı. Spin coating cihazı ile p-Si parlak yüzeyine komplekslerimiz ince film şeklinde kaplandı. SEM ve AFM cihazları kullanılarak yüzey morfolojisi incelendi. Fotovoltaik performansını anlayabilmek için karanlık ve güneş simülatörü altında 30-100 mW/cm2 arasında farklı ışık şiddetleri altında açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, doluluk faktörü FF, güneş enerji verimliliği gibi fotovoltaik parametreleri incelendi. Organik arayüzeye sahip fotodiyotların, arayüzeysiz referans diyota nazaran ışık şiddetinin artması ile ters beslem bölgesinde akımın nisbeten daha fazla arttığı gözlemlenildi. Karanlık ortamda alınan ölçümlerin TE teorisi ile referans ve organik madde miktarındaki artan oranlarla engel yüksekliği 0,78 eV/ 0,79 eV/ 0,76 eV/ 0,79 eV ve idealite faktörleri 1,82 / 4,73 / 3,65 / 4,29 olarak hesaplanıldı. Bir diğer diyot karakteristiği analiz yöntemi olarak sıcaklığa bağlı diyot parametreleri incelendi. 60-320 K aralığında sıcaklık değişiminde yapılan ölçümlerde yarı logaritmik akım-gerilim eğrileri TE, Norde ve Cheung fonksiyonları yardımıyla Io sızıntı akımı, idealite, bariyer yüksekliği ve Rs seri direnç diyot parametreleri hesaplanıldı. Frekansa bağlı diyot parametrelerini incelemek üzere 100-2000 kHz aralığında kapasite, iletkenlik, seri direnç diyot parametreleri incelendi.
Özet (Çeviri)
In order to understand the characterization of complex structures on the diode, the shottky diode fabrication was performed on p-type-Si substones, semiconductor material, by using Ru (II) and Alq3 complex-organic molecules by using spin coating and thermal evaporation techniques. While the effect of complex molecules on diode current conduction was examined, Al / Ru (II) + Alq3 / p-Si / Al shottky diode fabrication was performed as a reference. The optical properties of the interfacial solutions were analyzed by UV-Absorption and the band gap was calculated as 2.23 eV, 2.31 eV, 2.33 eV. Our complexes were coated with thin coating on the p-Si wafer surface with spin coating device. Surface morphology was examined using SEM and AFM instruments. In order to understand photovoltaic performance, photovoltaic parameters such as open circuit voltage Voc, short circuit current Isc, fullness factor FF, solar energy efficiency , under dark and solar simulator under different light intensities between 30-100 mW/cm2 were examined. It was observed that the photodiodes with organic interface increased the current in the reverse feed region relatively with the increase in light intensity compared to the reference diode without interface. Barrier height 0.78 eV / 0.79 eV / 0.76 eV / 0.79 eV and ideality factors 1.82 / 4.73 / 3.65 / 4.29. Temperature-dependent diode parameters were analyzed as another diode characteristic analysis method. In the measurements carried out in the temperature range of 60-320 K, semi-logarithmic current-voltage curves were calculated by using TE, Norde and Cheung functions, I0 leakage current, n ideality, barrier height and Rs series resistance diode parameters. In order to examine frequency dependent diode parameters, capacitance, conductivity, series resistance diode parameters in 100-2000 kHz range were examined
Benzer Tezler
- Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi
Determination of electrical and photoelectrical characteristics of metal/semiconductor schottky photodiodes with organometallic intermediate layer using experimental and optimization techniques
FATMA ZEHRA BAYAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜLYA DOĞAN
DOÇ. DR. MUSTAFA ŞEKER
- Learning from demonstration and adaptive shared control for effective human-robot collaboration
Etkili insan-robot işbirliği için gösterimden öğrenme ve adaptif paylaşımlı kontrol
NEGIN AMIRSHIRZAD
Doktora
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolÖzyeğin ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Prof. Dr. ERHAN ÖZTOP
- Türkiye'de ihracata yönelik dış ticaret politikası ve ihracatın yapısal analizi (1980-1987)
Başlık çevirisi yok
TANER BİÇER
- Growing and characterization of Si based sculptured nano columns in 2D and 3D
Si tabanlı şekilli nano kolonların 2 ve 3 boyutta büyütülmesi ve karakterizasyonu
SEBAHATTİN GÜVENDİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. LEVENT TRABZON
- Si tabanlı solar hücrelerde pasivasyon, 2D haritalama ile karakterizasyon
Passivation of Si-based solar cells, 2D mapping characterization
ZEYNEP ELİF GÜLDÜREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Bilim ve TeknolojiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU