Fe katkılı tio2 ince filmlerin eldesi
Fabrication and optical properties of fe-doped tio2 thin films
- Tez No: 618703
- Danışmanlar: DR. ÖĞR. ÜYESİ BURHAN COŞKUN, DOÇ. MUSTAFA KURBAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırklareli Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu çalışmada katkısız TiO2ve farklı oranlarda Fekatkılı (%1,%5, %10)TiO2 ince filmler Sol-jel tekniğiyle Silisyum (Si) alttaşlar üzerine oda sıcaklığında büyütüldü.Elde edilen TiO2 ince filmlerin yüzeysel, elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Numunelerin yüzeysel özelliği Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile incelendi. AFM yardımıyla ölçülen numunelerin yapısal özelliklerinin granüler yapıda olduğu ve alttaşın üzerinde homojen bir şekilde depolandığı görüldü. Büyütülen ince film numunelerinin elektriksel özelliklerinin incelenmesi amacıyla Akım- Voltaj (I-V), Kapasitans- Voltaj (C-V) ve Akım-Zaman (I-t) ölçümleri farklı ışık şiddetleri altındaki aydınlatmalarda yapıldı ve numunelerin doğrultucu özellik gösterdiği tespit edildi. Güneş ışığı altında fotodiyotların fotoakımının, artan ışık şiddeti ile arttığı ve ışık yok iken ilk değerine geri döndüğü tespit edildi. İnce filmlerin optik özellikleri UV-visspektrofotometrisi kullanılarak ölçülüp, bant aralığı enerjileri hesaplandı
Özet (Çeviri)
We have carried out the structural, electronic and optical properties of Iron (Fe)- doped TiO2 thin films by sol-gel technique. The results revealed that the thin films form in a granular structure where particle-like grains covers the surface. Photophysical features of the thin films were performed by UV-vis spectrometry. The optical band gap of undoped TiO2 thin film decreases from 3.17eV to 3.05eV with an increase in atomic ratios of Fe content, so the electron transfer is easier from the valence band to the conduction band. The current-voltage (I-V) and capacitance- voltage (C-V) characteristics of the undoped and Fe-doped TiO2 thin films were investigated under dark and various lighting intensities. Our results show that the photocurrentsincreased with increasing intensities of illumination. The photodiodes also show a decreasing capacitance with increasing frequency. From I-V and C-V plots, the photodiodes show rectifying properties and good photovoltaic behavior. Herein the results revealed that the produced new Fe-doped TiO2 thin film samples can be used for photodetector applications.
Benzer Tezler
- Gümüş ile katkılanmış tio2 ince filmlerin üretimi ve karakterizasyonu
Fabri̇cati̇on and characteri̇zati̇on of si̇lver dopi̇ng tio2 thi̇n_fi̇lms
BURÇİN TAÇ
- Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere katkılı ve katkısız yarıiletken ince filmlerin üretilmesi
Deposition of doped and un-doped semiconductor thin films for use in photovoltaic applications
ONUR ÖZDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİNAN TEMEL
DR. ÖĞR. ÜYESİ FATMA ÖZGE GÖKMEN
- Electron paramagnetic resonance studies on oxygen related defects in memristive system
Memristif sistemde oksijen ile ilgili kusurlar üzerinde elektron paramanyetik rezonans çalışmaları
BÜNYAMİN ÖZKAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SİNAN KAZAN
PROF. DR. LÜTFİ ARDA
- Structural and optical properties of modified titanium dioxide based films prepared by sol-gel dip-coating
Sol-jel daldırma yöntemi ile hazırlanan modifiye titanyum dioksit tabanlı filmlerin yapısal ve optik özellikleri
HOUMAN BAHMANI JALALI
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. LEVENT TRABZON
- Spintronik malzemelerin manyetik rezonans tekniği ile incelenmesi
Magnetic resonance study of spintronic materials
SÜMEYRA GÜLER KILIÇ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BULAT RAMEEV