Geri Dön

Design of a low phase noise lc voltage controlled oscillator based on native transistors

Yerel transistörlere dayalı düşük faz gürültülü gerilim kontrollü lc osilatör tasarımı

  1. Tez No: 618904
  2. Yazar: MAHİR ŞANLI
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FATİH VEHBİ ÇELEBİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 59

Özet

En çok tercih edilen LC Gerilim Kontrollü Osilatör topolojilerinden biri tamamlayıcı LC VCO' dur. Bu topoloji, alçak gerilime sahip boşluk payından dolayı akım kontrollü osilatörlerde, osilatör çekirdeğine yeterli akımı sağlamakta zorluk çekmektedir. Bu sorunun üstesinden gelmek için tamamıyla tümleşik bir 7.5 GHz osilatör, besleme devresinde yerel transistörler kullanılarak, TSMC 65 nm teknolojisi ile tasarlanıp, benzetim sonuçları alınmıştır. Ölçülen faz gürültüsü, merkez frekansta 1 Mhz ofseti için -121 dBc / Hz' dir. Osilatör %5.58 ayar aralığına sahiptir. 1.2 V güç kaynağından 1.8 mA akım çekmektedir. Besleme devresinde normal transistorlar kullanılarak yapılan eşleniği VCO 'a göre 2.4 dB daha iyi faz gürültü performansı sağladığı gözlenmiştir.

Özet (Çeviri)

One of the most preferred LC VCO topologies is complementary LC VCO. The topology has difficulty in providing sufficient current to the oscillator core in the current controlled oscillators due to the low voltage headroom. A fully integrated 7.5 GHz VCO is designed and simulated using TSMC 65 nm CMOS technology using native transistors for the biasing circuit to overcome this problem. Measured phase noise is -121 dBc/Hz for 1 Mhz offset at the center frequency. The oscillator has %5.58 tuning range. It draws 1.8 mA current from a 1.2 V supply. 2 dB better phase noise performance is obtained compared to peer circuit used normal transistors in biasing circuit.

Benzer Tezler

  1. Düşük faz gürültülü osilatör tasarımı

    Low phase noise oscillator design

    MURAT AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERDEM YAZGAN

  2. Design of various VCO topologies and performance comparison at 2.4 GHz

    Farklı yapılarda VCO tasarımları ve 2.4 GHz'de performans karşılaştırması

    MEHMET BATI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİL TARIM

  3. Yeni tranzistor teknolojileri kullanılarak mikrodalga devre tasarımı

    RF circuit design using novel transistor technologies

    İBRAHİM ONUR ESAME

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYTEN KUNTMAN

  4. Spintronic devices for wireless communication,memory, and analog applications

    Kablosuz haberleşme, hafıza, ve analog uygulamalar için spintronik aygıtlar

    MESUT ATASOYU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ

  5. Quadrature signal generation in 5-6GHz range using SiGe BICMOS process

    5-6GHz aralığında SiGe BICMOS proses kullanılarak 90 derece faz farklı işaret üretimi

    PINAR TAŞCI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2002

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ALİ TOKER