Geri Dön

The preparation of au/al2o3/n-si schottky diodes and the investigation of their electrical properties of as function of frequency

Au/al2o3/n-si schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

PDF İndir

  1. Tez No: 621441
  2. Yazar: MURAT AK
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HÜSEYİN TECİMER
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Karabük Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 63

Özet

Bu çalışmada, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diyotları (SDs) hazırlandı ve elektriksel karakteristikleri doğru ve ters ön-gerilim altındaki kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri 3kHz-1MHz geniş frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (ND), Fermi enerji seviyesi (EF), potansiyel engel yüksekliği (B) ve tüketim tabakasının kalınlığı (WD) gibi temel diyot parametleri ters-öngerilim C-2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca yapının direnci (Ri), Nicollian ve Brews tarafından geliştirilen admitans metodu ve arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) düşük-yüksek frekans metodu kullanılarak elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçların frekans ve uygulanan gerilime oldukça bağlı olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diodes (SDs) were prepared and their electrical characteristics were analyzed using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements under direct and inverse pre-voltage. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements were carried out in the wide frequency range of 3 kHz-1 MHz at room temperature. The main diode parameters such as density of additived donor atoms (ND), fermi energy level (EF), potential barrier height (B), consumption layer thickness (WD) were obtained from inverse pre-voltage C-2-V curves. In addition, resistance of structure (Ri) was obtained using the admittance method developed by Nicollian and Brews and the intensity of the interface states (Nss) using the low-high frequency method. The obtained experimental results were seen to be highly dependent on frequency and applied voltage.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    537876

    Aladağ-yatağan-kızılören (konya güneybatısı) arasındaki bölgede yer alan volkanik kayaçların maden potansiyelinin araştırılması

    Investigation on the ore potential of volcanic rocks in the region among the aladağ-yatağan-kizilören towns (southwest konya-turkey)

    EVREN SOLGUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Jeoloji MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİCAN ÖZTÜRK

  2. Tez No

    245876

    Selective co oxidation over monolithic Au/Al2O3 promoted by metal oxides

    Metal oksitler ile desteklenmiş monolitik Au/Al2O3 ile seçimli co oksidasyonu

    SEVAL ÖZDEMİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Kimya MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Bölümü

    DOÇ. RAMAZAN YILDIRIM

    PROF. ZEYNEP İLSEN ÖNSAN

  3. Tez No

    315327

    Langmuir Blodgett assembly of peptide functionalized nanoparticles onto silicatebased surfaces and their characterization

    Peptit ile fonksiyonlandırılmış nanoparçacıkların Langmuir Blodgett yöntemi ile silika tabanlı yüzey üzerine kaplanması ve karakterizasyonu

    NUR MUSTAFAOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Biyolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN

  4. Tez No

    343671

    Au/n-4H-SiC (MS) schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel karekteristiklerinin frekansa bağlı incelenmesi

    The preparation of Au/n-4H-SiC (MS) schottky diodes and the investigation their electrical characteristicsas function of frequency

    ÖMER SEVGİLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Tez No

    200980

    Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si yapıların hazırlanması, elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The preparation of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si structures, investigation of the electrical and dielectric properties based on frequency and temperature

    FUNDA PARLAKTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

Geri Dön