The preparation of au/al2o3/n-si schottky diodes and the investigation of their electrical properties of as function of frequency
Au/al2o3/n-si schottky diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
- Tez No: 621441
- Danışmanlar: DOÇ. DR. HÜSEYİN TECİMER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Karabük Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diyotları (SDs) hazırlandı ve elektriksel karakteristikleri doğru ve ters ön-gerilim altındaki kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/-V) ölçümleri 3kHz-1MHz geniş frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Katkılanan verici atomlarının yoğunluğu (ND), Fermi enerji seviyesi (EF), potansiyel engel yüksekliği (B) ve tüketim tabakasının kalınlığı (WD) gibi temel diyot parametleri ters-öngerilim C-2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca yapının direnci (Ri), Nicollian ve Brews tarafından geliştirilen admitans metodu ve arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss) düşük-yüksek frekans metodu kullanılarak elde edildi. Elde edilen deneysel sonuçların frekans ve uygulanan gerilime oldukça bağlı olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, Au/Al2O3/n-Si (MIS) Schottky diodes (SDs) were prepared and their electrical characteristics were analyzed using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements under direct and inverse pre-voltage. Capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements were carried out in the wide frequency range of 3 kHz-1 MHz at room temperature. The main diode parameters such as density of additived donor atoms (ND), fermi energy level (EF), potential barrier height (B), consumption layer thickness (WD) were obtained from inverse pre-voltage C-2-V curves. In addition, resistance of structure (Ri) was obtained using the admittance method developed by Nicollian and Brews and the intensity of the interface states (Nss) using the low-high frequency method. The obtained experimental results were seen to be highly dependent on frequency and applied voltage.
Benzer Tezler
- Mikro ark oksidasyon işleminin seçici lazer ergitme yöntemi ile üretilen alsi10mg alaşımının yüzey özelliklerine etkisi
Effect of micro arc oxidation process on the surface properties of alsi10mg alloy fabricated by selective laser melting method
AYSİMA GÜZEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Zonguldak-Karadon bölgesinde kozlu formasyonu kömürlerinin petrolojisi ve değerlendirilmesi
Petrology and evaluation of the coals of kozlu formation in the Zonguldak-Karadon region
İBRAHİM BUZKAN
- Seydişehir alüminyum sisnterlenebilirliğinin artırılması ve tane büyüme kinetiğinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ŞENOL AVCI
- Zirkonyum oksit seramik restorasyonlarda farklı yüzey hazırlıklarının kompozit yapıştırma simanının bağlanmasına etkilerinin incelenmesi
The effect of different surface preparation methods on the bond strength of composite resin cements to zirconium oxide ceramic restorations
ALTAY ULUDAMAR
Doktora
Türkçe
2007
Diş HekimliğiSelçuk ÜniversitesiProtetik Diş Tedavisi Ana Bilim Dalı
PROF.DR. FİLİZ AYKENT
- Aladağ-yatağan-kızılören (konya güneybatısı) arasındaki bölgede yer alan volkanik kayaçların maden potansiyelinin araştırılması
Investigation on the ore potential of volcanic rocks in the region among the aladağ-yatağan-kizilören towns (southwest konya-turkey)
EVREN SOLGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Jeoloji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİCAN ÖZTÜRK