TlGaSe2 yarıiletken kristalin memristif özelliklerinin incelenmesi
Investigation of memristive properties of crystalline semiconductor TlGaSe2
- Tez No: 647110
- Danışmanlar: PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gebze Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 134
Özet
Bu çalışmada akım tarama yöntemiyle farklı kontaklarla oluşturulmuş metalTlGaSe2 katmanlı p-tipi yarıiletken kristalin akım-voltaj (I-V) karakteristiği iki-prob ölçme yöntemiyle araştırılmıştır. İncelenen tüm kristal örneklerinde akım-kontrollü memristif etki ve anahtarlama gözlemlenmiştir. Gözlenen anahtarlama karakteristiğinin, deneysel olarak üretilen memristif sistemlere yakın olduğu görülmüştür. TlGaSe2-metal yapıların voltaj tarama yöntemi ile kaydedilen I-V grafiklerinde Mott diyot parametreleri hesaplanmış ve kontak mekanizmasının metalyalıtkan-yarıiletken mekanizma olduğu görülmüştür. Bu yapı metal-yalıtkanyarıiletken-yalıtkan-metal (MISIM) sandviç tipi şeklindedir. Yapının voltaj tarama grafikleri Mott diyot hesaplamalarıyla uyumlu olduğu gösterilmiştir. Sandviç MISIM cihazın elektroforming uygulanarak kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri incelenmiş, memkapasitif özellik gösterdiği belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the current-voltage (I-V) characteristics of the TlGaSe2 layered ptype semiconductor crystal an electric current which was passed through under the influence of the electric field was investigated by two-probe measurement method. Memory effect and threshold-type switching have been observed in all examined crystal samples. The observed switching characteristic of the crystals was found to be similar to the experimentaly produced memristive systems. The Metal-TlGaSe2-Metal Mott diot parameters were calculated in I-V graphics recorded with voltage scanning method and contact mechanism has been found to be a metal-insulatorsemiconductor mechanism. The structure is in type metal-insulator-semiconductorinsulator-metal (MISIM) sandwich. The voltage sweeping graphics of the structure have been shown to be compatible with Mott diode calculations. The capacitance-voltage (C-V) characteristics of sandwich type was investigated and memcapacitive properties revealed
Benzer Tezler
- TlGaSe2 yarıiletken-ferroelektrik kristalinin oransız fazındaki (INC) yeni polarize durumlar ve hafıza etkisi
Memory effect new polarized state in the incommensurate phase TlGaSe2 ferroelectric-semiconductor crystal
YASİN ŞAHİN
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİR HASAN SEYİTSOY
- TlGaSe2 kristalinin iletkenlik geçişlerindeki hafıza etkisi
Memory effect in transport phenomenon in TlGaSe2
YASİN ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MİR HASAN SEYİDOV
- TlGaSe2 katmanlı kristalinin negatif ısıl genleşmesinin dış etkiler altında incelenmesi
Effect of external fields on negative thermal expansion Of TlGaSe2 layered crystals
EMİN YAKAR
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAUF SÜLEYMANLI
- TlInS2, TlGaS2 ve TlGaSe2 bileşiklerinin elektron paramanyetik rezonans yöntemi ile incelenmesi
Electron paramagnetic resonance studies of TlInS2, TlGaS2 and TlGaSe2 compounds
SİNAN KAZAN
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FAİK MİKAİLOV
- Tabakalı yarıiletken kristallerden TIGaSe2, TIInS2 ve GaSe kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TIGaSe2, TIIns2 and GaSe crystals which are layered semiconductors
SULTAN ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AYDIN GULUBAYOV