Geri Dön

The effect of radiation on the current-voltage (I-V) characteristics of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures

Radyasyonun Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) yapılarının akım-gerilim (I-V) özellikleri üzerine etkisi

PDF İndir

  1. Tez No: 650795
  2. Yazar: SEZGİN DULKADİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖMER KARAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky kontakları, Schottky contacts
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Üretilen yüksek dielektrikli MFIS yapılarının temel elektriksel parametreleri üzerindeki radyasyon etkilerini belirlemek için, hazırlanan yapı 60Co γ ışınlarının yüksek enerjisine maruz bırakıldı. Bu amaçla, standart termiyonik emisyon teorisi (TE), Cheung ve Norde fonksiyonları gibi çeşitli yöntemler kullanılarak radyasyondan önce ve sonra ileri voltaj I-V verilerinden idealite faktörü (n), sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (Bo) ve seri direnç değerleri (Rs) hesaplanmıştır. Ek olarak, ara durumlarının Nss 'in enerjiye bağlı profili, voltaja bağlı n,  ve Rs değerleri dikkate alınarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, artan radyasyon dozu ile ters doyma akımı (Io), n ve Rs değerlerinin arttığını, değerinin azaldığını göstermektedir. Nss hesaplamasında Rs değeri dikkate alındığında, önemli ölçüde azaldığı bulunmuştur. Radyasyon sonrası Nss arasında gözlenen düşük tutarsızlıklar, kullanılan yüksek dielektrikli ferroelektrik ara katmanın, MS'nin radyasyona karşı direncinde bir artışa yol açtığını göstermektedir. Bu, özellikle uzayda sert radyasyon nedeniyle uydulardaki radyasyona dirençli bir elektronik cihaz için daha önemlidir. Sonuç olarak, Nss, Rs ve ara katmanın varlığı, elektriksel parametrelerin hesaplanmasında dikkate alınması gereken I-V özellikleri üzerinde daha etkilidir.

Özet (Çeviri)

Determining the radiation effects on the basic electrical parameters of the fabricated high-dielectric MFIS structures, they were exposure to the high-energic of 60Co γ-rays. For this purpose, the values of ideality factor (n), zero-bias barrier height (Bo) and series resistance (Rs) of them were extracted from the forward biases I-V data before and after irradiation by using various method such as standard thermionic-emission (TE) theory, Cheung's and Norde functions. Additionally, the energy dependent profile of surface states Nss were extracted by considering voltage dependent of n, , and Rs and compared each other. Experimental results show that the reverse saturation current (Io), n, and Rs values increase with increasing radiation dose,  decreases. When the value of Rs by considering in the calculation of Nss, they were found considerably decrease. The observed low discrepancies between Nss after irradiation show that the used a high-dielectric ferroelectric interlayer leads to an increase the resistance of MS across to radiation. This is more important to fabricated radiation-resisted an electronic device, especially in the satellites due to hard-radiation in space. As a result, Nss, Rs and the existence of interlayer are more effectual on the I-V characteristics which must be considering in the electrical parameters calculation.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    518200

    Polikristal tür bir fotovoltaik panelin I-V karakteristiğinin analitik modellenmesi ve deneysel validasyonu

    Analytical modelling and experimental validation of the I-V characteristics of a polycristalline type of photovoltaic panel

    FATİH KOÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    EnerjiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. ALİ NACİ ÇELİK

  2. Tez No

    372530

    Nötronlara maruz kalmış ZnO: Al/P-Si heterokavşakların akım-voltaj karakteristiklerinde oluşan değişimlerin incelenmesi

    The investigation of the changes in the current-voltage characteristics of ZnO: Al/P-Si heterojunctions irradiated by neutrons

    EMRAH GÜNAYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİLGÜN DOĞAN BAYDOĞAN

  3. Tez No

    710810

    Al/Congo Red/p- tipi Si yarıiletken diyotlarının elektronik ve arayüzey özellikleri üzerine gama ışınlamasının etkisi

    The effect of gamma irradiation on electronic and interfacial properties of the Al/Congo Red/p- type Si semiconductor diodes

    CELAL ALTUNIŞIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ

  4. Tez No

    338681

    Au/PVA:Zn/n-Si (MPS)schottky engel diyodun elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature and radiation dependent electrical characteristics of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) schottky barrier diodes

    İLKE TAŞÇIOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Tez No

    216682

    Al/SiO2/p-Si (MIS) yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekansa ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of frequency and radiation dependent of main physical parametres of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures

    İLKE TAŞÇIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY

Geri Dön