The effect of radiation on the current-voltage (I-V) characteristics of Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) structures
Radyasyonun Au/Bi4Ti3O12/SiO2/n-Si (MFIS) yapılarının akım-gerilim (I-V) özellikleri üzerine etkisi
- Tez No: 650795
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ÖMER KARAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Üretilen yüksek dielektrikli MFIS yapılarının temel elektriksel parametreleri üzerindeki radyasyon etkilerini belirlemek için, hazırlanan yapı 60Co γ ışınlarının yüksek enerjisine maruz bırakıldı. Bu amaçla, standart termiyonik emisyon teorisi (TE), Cheung ve Norde fonksiyonları gibi çeşitli yöntemler kullanılarak radyasyondan önce ve sonra ileri voltaj I-V verilerinden idealite faktörü (n), sıfır-beslem potansiyel engel yüksekliği (Bo) ve seri direnç değerleri (Rs) hesaplanmıştır. Ek olarak, ara durumlarının Nss 'in enerjiye bağlı profili, voltaja bağlı n, ve Rs değerleri dikkate alınarak elde edildi. Deneysel sonuçlar, artan radyasyon dozu ile ters doyma akımı (Io), n ve Rs değerlerinin arttığını, değerinin azaldığını göstermektedir. Nss hesaplamasında Rs değeri dikkate alındığında, önemli ölçüde azaldığı bulunmuştur. Radyasyon sonrası Nss arasında gözlenen düşük tutarsızlıklar, kullanılan yüksek dielektrikli ferroelektrik ara katmanın, MS'nin radyasyona karşı direncinde bir artışa yol açtığını göstermektedir. Bu, özellikle uzayda sert radyasyon nedeniyle uydulardaki radyasyona dirençli bir elektronik cihaz için daha önemlidir. Sonuç olarak, Nss, Rs ve ara katmanın varlığı, elektriksel parametrelerin hesaplanmasında dikkate alınması gereken I-V özellikleri üzerinde daha etkilidir.
Özet (Çeviri)
Determining the radiation effects on the basic electrical parameters of the fabricated high-dielectric MFIS structures, they were exposure to the high-energic of 60Co γ-rays. For this purpose, the values of ideality factor (n), zero-bias barrier height (Bo) and series resistance (Rs) of them were extracted from the forward biases I-V data before and after irradiation by using various method such as standard thermionic-emission (TE) theory, Cheung's and Norde functions. Additionally, the energy dependent profile of surface states Nss were extracted by considering voltage dependent of n, , and Rs and compared each other. Experimental results show that the reverse saturation current (Io), n, and Rs values increase with increasing radiation dose, decreases. When the value of Rs by considering in the calculation of Nss, they were found considerably decrease. The observed low discrepancies between Nss after irradiation show that the used a high-dielectric ferroelectric interlayer leads to an increase the resistance of MS across to radiation. This is more important to fabricated radiation-resisted an electronic device, especially in the satellites due to hard-radiation in space. As a result, Nss, Rs and the existence of interlayer are more effectual on the I-V characteristics which must be considering in the electrical parameters calculation.
Benzer Tezler
- Düşük enerjili protonların fotovoltaik hücreler üzerindeki etkilerinin incelenmesi
Investigation of the effects of low energy protons on photovoltaic cells
DAMLA GÜL KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ HANDE KARADENİZ
- Atomik katman biriktirme tekniği kullanılarak opto-elektronik cihaz üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of opto-electronic device by atomic layer deposition method
NURİYE KAYMAK
Doktora
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ELİF ORHAN
- Al/SiO2/p-Si (MIS) yapılarda temel fiziksel parametrelerin frekansa ve radyasyona bağlı incelenmesi
The investigation of frequency and radiation dependent of main physical parametres of Al/SiO2/p-Si (MIS) structures
İLKE TAŞÇIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. AKİF ÖZBAY
- Polikristal tür bir fotovoltaik panelin I-V karakteristiğinin analitik modellenmesi ve deneysel validasyonu
Analytical modelling and experimental validation of the I-V characteristics of a polycristalline type of photovoltaic panel
FATİH KOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. ALİ NACİ ÇELİK
- Nötronlara maruz kalmış ZnO: Al/P-Si heterokavşakların akım-voltaj karakteristiklerinde oluşan değişimlerin incelenmesi
The investigation of the changes in the current-voltage characteristics of ZnO: Al/P-Si heterojunctions irradiated by neutrons
EMRAH GÜNAYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NİLGÜN DOĞAN BAYDOĞAN