İki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör geliştirilmesi
2-dimension material based field effect transistor fabrication
- Tez No: 654126
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Necmettin Erbakan Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
İki boyutlu malzemelere olan ilgi son yıllarda hızla artmaktadır. Bunun sebebi de iki boyutlu malzeme kavramının literatürde oldukça yeni konu olmasıdır. Bu çalışmada iki boyutlu malzeme temelli alan etkili transistör (FET) üretimi gerçekleştirilmeye çalışılmıştır. Bu üretim için özgün bir tasarım gerçekleştirilmiş ve bu tasarımın gerçekleştirilmesi için gerekli maske tasarımı Klayout programı yapılmıştır. Bu maske tasarımında elektrotlar arasındaki mesafe, iki boyutlu malzemenin kalınlığı ve kapı elektrodunun genişliği gibi farklı parametrelerde tasarımlar yapılmıştır. Tasarlanan bu maske ile transistörler üretilmiştir. Yapılan testler sonucunda bir transistörün yaklaşık olarak 27 Volt değerinde dirac gerilimi olduğu gözlemlenmiş ve bu dirac voltajı değerinde 52 kOhm değerinde iç direnç ölçülmüştür. Necmettin Erbakan Üniversite'sinde ilk defa iki boyutlu malzemeler kullanılarak transistör üretilmiştir ve bu konuda bilgi ve tecrübe birikimi elde edilmiştir. Bu elde edilen bilgi birikimi ile iki boyutlu malzeme temelli transistörlerle yapılacak sensör gibi uygulamalara temel oluşturulmuştur.
Özet (Çeviri)
Interest in two-dimensional materials has been increasing rapidly in recent years. This is because the concept of two-dimensional material is a fairly new topic in the literature. In this study, two dimensional material based field effect transistor (FET) production has been tried to be practiced. An original design was made for this production and the mask design required for the realization of this design was made with the Klayout program. In this mask design, different parameters such as the distance between the electrodes, the thickness of the two-dimensional material and the width of the gate electrode are designed. Transistors were produced with this designed mask. As a result of the tests, it was observed that a transistor had a dirac voltage of approximately 27 Volts and an internal resistance of 52 kOhm was measured at this dirac voltage value. Transistors were produced for the first time in Necmettin Erbakan University by using two-dimensional materials and knowledge and experience was gained in this regard. With this knowledge, the basis for applications such as sensors to be made with two-dimensional material-based transistors was formed.
Benzer Tezler
- Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications
Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu
AYŞE KARAGÖZ
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik BilimleriÖzyeğin ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN
- Grafen tabanlı alan etkili transistörler
Graphene based field-effect transistors
MERVE AKIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNecmettin Erbakan ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET AKİF ERİŞMİŞ
- Machine learning analysis on nanomaterials literature data and knowledge exploration
Makine öğrenimi ile nanomalzeme literatür verisinin analizi ve bilgi keşfi
CUMHUR YILDIRIM
Doktora
İngilizce
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Metal-oksit nanotel tabanlı aygıtların üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of metal-oxide nanowire based devices
MUSTAFA COŞKUN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ
PROF. DR. AHMET ALTINDAL
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN