Geri Dön

Fabrication and electrical characterization of Cu/n-Si schottky contacts by creating H-terminated surface

H-sonlanmış yüzey ile Cu/n-Si schottky kontaklarının üretimi ve elektriksel karakterizasyonu--sent from gmail mobile

PDF İndir

  1. Tez No: 655232
  2. Yazar: SHKAR DALSHAD HAMEED
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, ρ=1-10 cm öz dirençli n-tipi (100) yönelimli silisyum (Si) tek kristali kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinden sonra, kristalin arka yüzeyine % 99,999 saflıkta alüminyum (Al) metali buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırını kullanılarak azot atmosferinde tavlanarak omik kontak oluşturuldu. n-Si kristalinin ön yüzeyinin H-sonlu olması için seyreltik hidroflorik asit ile yüzey iyileştirme işlemi uygulandı. Böylece Schottky kontakları, n-Si kristalinin ön yüzeyine %99,99 saflıktaki bakır metali (Cu) termal olarak buharlaştırılarak üretildi. Üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve bunların grafikleri çizildi. Akım-gerilim verileri grafiklerle birlikte değerlendirilerek Schottky diyotların idealite faktörleri (n), bariyer yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametreler elde edildi. Cheung fonksiyonlarını kullanarak diyotların seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ek olarak, yine Cheung fonksiyonlarını kullanarak, numunelerin idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri yeniden belirlendi. Böylelikle üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının karakteristik parametrelerine H sonlandirma ile yapilan yüzey pasivasyon yönteminin katkısı incelendi. Üretilen Cu/n-Si Schottky kontakların C-V, C-f, G-V, G-f ölçümleri de yapılarak, elde edilen ölçüm verilerinden grafikleri çizildi ve Schottky kontak parametreleri ile ilgili hesaplamalar yapıldı. Elde edilen bulgular yorumlanarak, sonuçlar değerlendirildi.

Özet (Çeviri)

In this study, an n-type silicon single crystal (Si) with (100) orientation and has a resistivity of ρ = 1-10 cm was used. After conventional chemical cleaning processes, 99.999% pure aluminum (Al) metal was evaporated to the crystal's back surface and an ohmic contact was formed by annealing in a nitrogen atmosphere using a quartz tube furnace. The surface treatment process was applied with dilute hydrofluoric acid so that the front surface of the n-Si crystal was H-terminated. Thus, Schottky contacts were produced by thermally evaporating copper metal (Cu) with 99.99% purity to the front surface of the n-Si crystal. Current-voltage (I-V) measurements of n-Si/Cu Schottky contacts were performed and their graphs were drawn. Characteristic parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) of the Schottky diodes were obtained by evaluating the current-voltage data together with the graphs. The series resistance (Rs) values of the diodes were determined using Cheungs' functions. In addition, using the Cheungs functions, the ideality factor and barrier height values of the samples were re-determined. Thus, the contribution of the surface passivation by the H-termination method to the characteristic parameters of the n-Si/Cu Schottky contacts produced was examined. C-V, C-f, G-V, G-f measurements of the produced Cu/n-Si Schottky contacts were performed, the graphs were drawn from the obtained measurement data, and calculations were made for Schottky contact parameters. The obtained findings were interpreted and the results were evaluated.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    728786

    Atomik katman biriktirme tekniği kullanılarak opto-elektronik cihaz üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of opto-electronic device by atomic layer deposition method

    NURİYE KAYMAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ELİF ORHAN

  2. Tez No

    39525

    Alümina fiber takviyeli Al-si metal matriksli kompozitlerin üretimi ve mikroyapı-özellik ilişkilerinin incelenmesi

    production of alumina fiber reinforced Al-si metal matrix composites and the investigation of their microstructure-propetry relation ships

    HATEM AKBULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. FEVZİ YILMAZ

  3. Tez No

    75508

    Sr katkılı kurşun zirkonat titanat tipi piezoseramiklerin x ışınları difraksiyonu ve taramalı elektron mikroskobu ile karakterizasyonu

    Başlık çevirisi yok

    KORAY KARAKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ADNAN TEKİN

  4. Tez No

    350440

    Design, fabrication and characterization of subwavelength-scale distance sensors based on optical directional coupling

    Optik yönlü bağlaşım temelli dalgaboyu-altı mesafe ölçüm sensörlerinin tasarımı, imalatı ve karakterizasyonu

    SHAHAB BAKHTIARI GORAJOOBI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Mekatronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDAL BULĞAN

  5. Tez No

    406283

    Yüksek dielektrik sabitli yalıtkan filmlerin üretilmesi ve mos yapıda incelenmesi

    Fabrication and characterization of high-k dielectric films in mos structure

    AYŞE EVRİM SAATCİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KUBİLAY KUTLU

Geri Dön