Fabrication and electrical characterization of Cu/n-Si schottky contacts by creating H-terminated surface
H-sonlanmış yüzey ile Cu/n-Si schottky kontaklarının üretimi ve elektriksel karakterizasyonu--sent from gmail mobile
- Tez No: 655232
- Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Bu çalışmada, ρ=1-10 cm öz dirençli n-tipi (100) yönelimli silisyum (Si) tek kristali kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinden sonra, kristalin arka yüzeyine % 99,999 saflıkta alüminyum (Al) metali buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırını kullanılarak azot atmosferinde tavlanarak omik kontak oluşturuldu. n-Si kristalinin ön yüzeyinin H-sonlu olması için seyreltik hidroflorik asit ile yüzey iyileştirme işlemi uygulandı. Böylece Schottky kontakları, n-Si kristalinin ön yüzeyine %99,99 saflıktaki bakır metali (Cu) termal olarak buharlaştırılarak üretildi. Üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve bunların grafikleri çizildi. Akım-gerilim verileri grafiklerle birlikte değerlendirilerek Schottky diyotların idealite faktörleri (n), bariyer yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametreler elde edildi. Cheung fonksiyonlarını kullanarak diyotların seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ek olarak, yine Cheung fonksiyonlarını kullanarak, numunelerin idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri yeniden belirlendi. Böylelikle üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının karakteristik parametrelerine H sonlandirma ile yapilan yüzey pasivasyon yönteminin katkısı incelendi. Üretilen Cu/n-Si Schottky kontakların C-V, C-f, G-V, G-f ölçümleri de yapılarak, elde edilen ölçüm verilerinden grafikleri çizildi ve Schottky kontak parametreleri ile ilgili hesaplamalar yapıldı. Elde edilen bulgular yorumlanarak, sonuçlar değerlendirildi.
Özet (Çeviri)
In this study, an n-type silicon single crystal (Si) with (100) orientation and has a resistivity of ρ = 1-10 cm was used. After conventional chemical cleaning processes, 99.999% pure aluminum (Al) metal was evaporated to the crystal's back surface and an ohmic contact was formed by annealing in a nitrogen atmosphere using a quartz tube furnace. The surface treatment process was applied with dilute hydrofluoric acid so that the front surface of the n-Si crystal was H-terminated. Thus, Schottky contacts were produced by thermally evaporating copper metal (Cu) with 99.99% purity to the front surface of the n-Si crystal. Current-voltage (I-V) measurements of n-Si/Cu Schottky contacts were performed and their graphs were drawn. Characteristic parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) of the Schottky diodes were obtained by evaluating the current-voltage data together with the graphs. The series resistance (Rs) values of the diodes were determined using Cheungs' functions. In addition, using the Cheungs functions, the ideality factor and barrier height values of the samples were re-determined. Thus, the contribution of the surface passivation by the H-termination method to the characteristic parameters of the n-Si/Cu Schottky contacts produced was examined. C-V, C-f, G-V, G-f measurements of the produced Cu/n-Si Schottky contacts were performed, the graphs were drawn from the obtained measurement data, and calculations were made for Schottky contact parameters. The obtained findings were interpreted and the results were evaluated.
Benzer Tezler
- Atomik katman biriktirme tekniği kullanılarak opto-elektronik cihaz üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of opto-electronic device by atomic layer deposition method
NURİYE KAYMAK
Doktora
Türkçe
2022
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ELİF ORHAN
- Alümina fiber takviyeli Al-si metal matriksli kompozitlerin üretimi ve mikroyapı-özellik ilişkilerinin incelenmesi
production of alumina fiber reinforced Al-si metal matrix composites and the investigation of their microstructure-propetry relation ships
HATEM AKBULUT
- Dalga kılavuzu entegreli grafen – SOI tabanlı fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of waveguide integrated graphene - SOI based photodiode
ELANUR SEVEN
Doktora
Türkçe
2021
Mühendislik BilimleriAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
PROF. DR. ELİF ORHAN
- Perovskit güneş hücreleri için boşluk taşıyıcı malzemelerin sentez ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of hole transporti̇ng materials for perovskit solar cells
BÜŞRA ÇUHADAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYFER KALKAN BURAT
- Sentezlenen tek kristal Cu(II) kompleksinin yapı-özellik ilişkilerinin incelenmesi
Investigation of structure-property relations of synthesized single crystal Cu(II) complex
HATİCE ESRA CÖMERT
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DAVUT AVCI