Geri Dön

Dark current optimization desings for mesa and planar type processed short wavelength infrared photodetectors

Mesa ve planar yapılı kısa dalgaboyu kızılötesi dedektörlerin karanlık akım optimizasyon tasarımları

  1. Tez No: 663503
  2. Yazar: MUHAMMET HALİT DOLAŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ALPAN BEK, DR. YETKİN ARSLAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Science and Technology
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 148

Özet

Bu tez çalışması, mesa ve planar tipte üretilen pin heteroeklem yapısındaki InGaAs/InP bazlı SWIR fotodiyotların karanlık akım seviyelerinin optimize edildiği özgün tasarımları raporlamaktadır. Mesa tip dedektörler için yapılan çalışma kapsamında geliştirilen özgün pasivasyon çalışması, tamamen boşalmış bölge içerisinde kalan p tipi katkılanmış ince InP tabakasının geliştirilmesi temeline dayanmaktadır. Mesa tipindeki dedektörler multi renk, hiperspektral görüntüleme gibi uygulamalar için kullanılmaktadır. Yapılan çalışma kapsamında pasivasyon etkisinin izlenilebilirliği için, tamamı boşalmış bölge içerisinde bulunan InP katmanının aşındırıldığı ve aşındırılmadığı durumların karşılaştırmalı olarak çalışılabileceği, değişik boyut ve sayılarda test dedektörleri üretilmiştir. Test dedektörlerinin I-V karakterizasyonları oda sıcaklığında yapılmıştır. Değişik boyut ve sayılarda üretilen test dedektörleri kullanılarak karanlık akımın hacim ve yüzey bileşenleri ayrılmıştır. Sonuçlar ışığında geliştirilen özgün pasivasyon yaklaşımının yüzey karanlık akım bileşenini baskılayarak genel karanlık akımı 3 kata kadar azalttığı görülmüştür. Planar yapılı dedektörler için yapılan çalışmada ise geliştirilen özgün epikatman yapısı ile boşalmış bölge derinliği ve katkılama seviyelerinin optimize edilmesi sayesinde karanlık akımın hacim ve yüzey bileşenleri beraber düşürülmüştür. Üretilen 15 μm adımlı pikseller için piksel başına oda sıcaklığında 12 fA karanlık akım ve %86 kuantum verimliliğine karşılık gelen 1.08 A/W tepkisellik elde edilmiştir. Karanlık akım, difüzyon, GR ve tünelleme akım bileşenlerine ayrılmıştır ve modelleme çalışmalarında deneysel çalışmalarla birebir örtüşen sonuçlar elde edilmiştir. Üretilen ve dünya standartlarında en yüksek performansa sahip olan dedektörlerden biri olan bu planar yapılı dedektörler ile temiz oda prosesi sonrasındaki hibritleştirme adımları da optimize edilerek rekor seviyede işlerliğe sahip hibrit sensör geliştirilmiştir.

Özet (Çeviri)

This thesis aims to report novel designs to achieve lower dark current values for modified pin heterojunction InGaAs/InP SWIR photodiodes for both mesa and planar type production methodologies. Mesa type studies cover novel passivation methodology based on a fully depleted thin p-InP layer. Mesa structured detectors are targeted due to their competitive advantages for applications such as multicolor/hyperspectral imaging. Test detector pixels with different perimeter/area ratios are fabricated with and without etching the thin InP passivation layer between pixels in order to comparatively examine passivating behavior. I-V characteristics of the test detectors are measured at room temperature. Based on the results from differently sized pixel groups, bulk and surface dark current components are separated. Results show that thin InP layer decreases dark current by a factor of 3 while increasing photo current due to higher carrier collection efficiency Planar type studies with developing novel epilayer structures, junction depth optimization and successful suppression of surface and bulk generation and recombination (GR) dark current components resulted in diffusion current limited high performance planar type SWIR detectors. For 15 μm pixel pitch, we obtained12 fA pixel dark current at room temperature (~26°C) and 1.08 A/W responsivity (at 1.55 μm) that is corresponding 86% quantum efficiency (QE). Dark current modeling analysis is performed based on bias dependency of diffusion, GR and tunneling current components. Results show excellent match with experimental data. Utilizing the developed planar type detectors with the state-of-the-art performance, post process optimizations also completed which result high performance megapixel SWIR imaging sensors with record level operability.

Benzer Tezler

  1. Waveguide-integrated germanium photodetector design and optimization for sensing and telecom applications

    Dalgakılavuzu ile tümleşik germanyum fotodedektörlerin sensör ve telekom uygulamaları için tasarım ve optimizasyonu

    HASAN FIRAT YILDIZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MEHMET CENGİZ ONBAŞLI

  2. Optimization of III-V materials based short wavelength infrared photodetectors

    III-V malzeme tabanlı kısa dalgaboyu kızılotesi fotodedektörlerin optimizasyonu

    KÜBRA ÇIRÇIR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN

  3. Numerical modeling and optimization of HgCdTe infrared photodetectors for thermal imaging

    Termal görüntüleme amaçlı HgCdTe kızılötesi fotodedektörlerin sayısal modelleme ve optimizasyonu

    HASAN KOÇER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  4. Optimization, fabrication, and characterization of dual-band InGaAs NBN photodetectors

    Çift bantlı InGaAs NBN fotoalgılayıcıların optimizasyonu, üretimi ve karakterizasyonu

    ALPER ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERDAR KOCAMAN

  5. Performance optimization in PbS quantum dot based infrared thin-film photodetectors

    PbS kuantum noktacık içeren ince film fotodedektörlerde performans optimizasyonu

    İREM SÜTCÜ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURAY ÇELEBİ

    DOÇ. DR. KUROŞ SALİMİ