Yarıiletkenlerin sabit hacimde ve basınçta öz ısı kapasitelerinin einstein-debye yaklaşımı kullanılarak incelenmesi
Analytical investigation of specific heat capacities at constant volume and pressure of semiconductors by using einstein-debye approach
- Tez No: 672622
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU, DOÇ. DR. EBRU ÇOPUROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu tezde Einstein- Debye yaklaşımı dikkate alınarak bazı yarıiletkenlerin ısı kapasiteleri sıcaklığın geniş aralığında incelenmiştir. Formüllerden görüldüğü gibi öz ısının hassas hesaplanması Debye fonksiyonu için oluşturulan analitik formüllerden alınan sonuçlara bağlıdır. Einstein- Debye yaklaşımı için oluşturulan formüller Einstein ve Debye yaklaşımlarına göre arzu edilen hassaslıkta sonuçlar verdiği yapılan çalışmalardan görülmektedir. Bu nedenle tezde örnek olarak düşünülen yarıiletkenlerin ısı kapasitelerinin hesaplanması önerilen yönteme ve formüllere göre incelenmiştir. Literatürde Einstein-Debye yaklaşımına göre katıların termodinamik özelliklerinin incelenmesi ile ilgili az sayıda çalışma vardır. Önerilen tezde yarıiletkenlerinin ısı kapasitelerinin sıcaklığa göre değişmesi Einstein-Debye yaklaşımına göre hesaplanarak sonuçlar karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar yarıiletkenlerinin teknolojik uygulamalarında faydalı olacaktır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, taking into account the Einstein-Debye approach, the specific heat capacities of some semiconductors have been investigated in a wide range of temperatures. As can be seen from the formulas, the precise calculation of the self-heat depends on the results obtained from the analytical formulas created for the Debye function. It is seen from the studies that the formulas created for the Einstein-Debye approach give results with the desired precision according to the Einstein and Debye approaches. For this reason, the calculation of the specific heat capacities of semiconductors, which are considered as examples in the thesis, has been examined according to the proposed method and formulas. There are few studies in the literature on the investigation of thermodynamic properties of solids according to the Einstein-Debye approach. In the proposed thesis, the changes in the specific heat amount of semiconductors according to the temperature are calculated according to Einstein-Debye approach and the results are compared. The results obtained will be useful in technological applications of semiconductors.
Benzer Tezler
- Isıl yönetim uygulamaları için bakır-elmas kompozitlerinin elektroşekillendirme ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of electroformed copper-diamond composites for thermal management applications
BURAK EVREN
Doktora
Türkçe
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- Yarıiletkenler için yerel olmayan kinetik enerji yoğunluk fonksiyonelinin incelenmesi
The study of non-local kinetic energy density functional for semiconductors
ALEV SAKARYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Thermoelectric properties investigation of copper based chalcogenide and cobalt based skutterudite structures
Bakır tabanlı kalkojenit ve kobalt tabanlı skutterudite yapılarının termoelektrik özelliklerinin incelenmesi
TUĞBA TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURAK ÖZKAL
DOÇ. DR. SEDAT BALLIKAYA
- Design and comparative analysis of an enhanced solid-state power controller for UAVs accommodating wide-band gap semiconductor switches
Geniş bant aralıklı yarı iletken anahtarları destekleyen iyileştirilmiş katı hal güç kontrol cihazı tasarımı ve karşılaştırmalı analizi
ÖMER SOLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2025
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DERYA AHMET KOCABAŞ
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ