Yarıiletkenlerin sabit hacimde ve basınçta öz ısı kapasitelerinin einstein-debye yaklaşımı kullanılarak incelenmesi
Analytical investigation of specific heat capacities at constant volume and pressure of semiconductors by using einstein-debye approach
- Tez No: 672622
- Danışmanlar: PROF. DR. BAHTİYAR MEHMETOĞLU, DOÇ. DR. EBRU ÇOPUROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
Bu tezde Einstein- Debye yaklaşımı dikkate alınarak bazı yarıiletkenlerin ısı kapasiteleri sıcaklığın geniş aralığında incelenmiştir. Formüllerden görüldüğü gibi öz ısının hassas hesaplanması Debye fonksiyonu için oluşturulan analitik formüllerden alınan sonuçlara bağlıdır. Einstein- Debye yaklaşımı için oluşturulan formüller Einstein ve Debye yaklaşımlarına göre arzu edilen hassaslıkta sonuçlar verdiği yapılan çalışmalardan görülmektedir. Bu nedenle tezde örnek olarak düşünülen yarıiletkenlerin ısı kapasitelerinin hesaplanması önerilen yönteme ve formüllere göre incelenmiştir. Literatürde Einstein-Debye yaklaşımına göre katıların termodinamik özelliklerinin incelenmesi ile ilgili az sayıda çalışma vardır. Önerilen tezde yarıiletkenlerinin ısı kapasitelerinin sıcaklığa göre değişmesi Einstein-Debye yaklaşımına göre hesaplanarak sonuçlar karşılaştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar yarıiletkenlerinin teknolojik uygulamalarında faydalı olacaktır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, taking into account the Einstein-Debye approach, the specific heat capacities of some semiconductors have been investigated in a wide range of temperatures. As can be seen from the formulas, the precise calculation of the self-heat depends on the results obtained from the analytical formulas created for the Debye function. It is seen from the studies that the formulas created for the Einstein-Debye approach give results with the desired precision according to the Einstein and Debye approaches. For this reason, the calculation of the specific heat capacities of semiconductors, which are considered as examples in the thesis, has been examined according to the proposed method and formulas. There are few studies in the literature on the investigation of thermodynamic properties of solids according to the Einstein-Debye approach. In the proposed thesis, the changes in the specific heat amount of semiconductors according to the temperature are calculated according to Einstein-Debye approach and the results are compared. The results obtained will be useful in technological applications of semiconductors.
Benzer Tezler
- Isıl yönetim uygulamaları için bakır-elmas kompozitlerinin elektroşekillendirme ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of electroformed copper-diamond composites for thermal management applications
BURAK EVREN
Doktora
Türkçe
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
- Bilgisayar kontrollü termoelektrik performans analiz sistemi
Computer controlled thermoelectric performance analysis system
SERKAN DİŞLİTAŞ
Doktora
Türkçe
2009
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolGazi ÜniversitesiElektronik-Bilgisayar Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT AHISKA
- Hall olayı ve rezistivite ölçümleri için enstrumentasyon
Instrumentation for hall effect and rezistivity measurement
CEVDET COŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Elektron tünelleme spektrokopisi
Electron tunelling spectroscopy
SABİT KORCAK
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiY.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
- Steady the distortion of the transmitting data due to the spectral shift effect of semiconductor laser with increasing of frequency in optical communication systems
Optik iletişim sistemlerinde frekans artışı ile yarı iletken lazerin spektral kayma etkisine iletilen verilerin sabit distorsiyonu
MUSTAFA GHAZI FAHAD AL-AZZAWI
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
İletişim BilimleriAltınbaş ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Ana Bilim Dalı
Prof. Dr. OSMAN NURİ UÇAN