Geri Dön

Yarıiletken gaz boşalma sisteminde plazma süreçlerinin modellenmesi ve uygulanması

Modeling and application of plasma processes in semiconductor gas discharge system

  1. Tez No: 674530
  2. Yazar: EVRİM TANRIVERDİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE HİLAL KURT
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 153

Özet

Çalışmamızda kızılötesi görüntü çevirici sistemlerinin dc argon plazma sistemleri kullanılarak farklı değerlerdeki değişimlerin incelenmesi gerçekleştirilmiştir. Dc Argon plazma sistemlerinde farklı yarıiletken malzemeler katot olarak kullanılan bir sistemde SnO2 kaplı cam plaka ise anot olarak tanımlanmıştır. Farklı basınç (P) ve elektrotlarası mesafe (d) için hem teorik olarak hem deneysel olarak araştırmalar yapılmıştır. Plazma oluşumu için sistemimizde Argon gazı kullanılmıştır. Özellikle düşük basınç değerlerinde plazma parametreleri kullanılarak farklı p ve d değerine göre çok değişkenli değerler gözlenirken atmosferik basınç seviyesinde veya yakın bir değerinde p ve d değerlerine bağlı olarak anlamlı bir değişiklik olmadığı gözlendi. Buna ek olarak akım voltaj karakteristiği ölçüm değerlerinde belirgin bir fark gözlenmemiştir. Teorik olarak elektron sıcaklığı, ortalama elektron enerjisi, mobilite, elektriksel potansiyel, yüzeysel yük yuğunluğu, termal Hız, uzaysal yük yoğunluğu, elektron yoğunluğu ve Townsend katsayıları hesaplanmıştır, deneysel olarak ise akım voltaj karakteristiklerinin farklı yarıiletken katot, P , d ve Disk çapları için ölçümler yapılmıştır. İkincil emisyon katsayı değerleri ölçülerek farklı parametrelere bağlı olarak plazma sisteminin paschen eğrisi belirlenir. Buradan elde edilen sonuçlarla plazma sisteminin çalışma gerilimi belirlenerek en verimli akım-voltaj karakteristiğinin nasıl olması gerektiği belirlenmiştir. Deneysel çalışmalarda uygulanan voltaj 1000V -2000V arasındadır, teorik çalışmalarımızda ise COMSOL Multiphysics programının Ac-Dc modülü ve Plazma modülü kullanılarak çalışmalar tamamlanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this study, we have investigated the changes in the infrared values by using dc argon plasma systems. In dc Argon plasma systems, different semiconductor materials are used as cathode and SnO2 coated glass plate is defined as anode. Both theoretically and experimentally researches have been made for different pressure (P) and electrode distance (d). Argon gas was used in our system for plasma formation. Multivariate values were observed for different P and d values by using plasma parameters, especially at low pressure values, but no significant change was observed at atmospheric pressure level or close to P and d values. In addition, no significant difference was observed in the measurement values of the current voltage characteristics. Theoretically, electron temperature, average electron energy, mobility, electrical potential, surface charge density, thermal velocity, spatial charge density, electron density and Townsend coefficients were calculated. it is made. By measuring the secondary emission coefficient values, the paschen curve of the plasma system is determined based on the different parameters. The results obtained here determined the operating voltage of the plasma system and how the most efficient current-voltage characteristic should be. The voltage applied in experimental studies is between 1000V - 2000V, and in our theoretical studies, Ac-Dc module and Plasma module of COMSOL Multiphysics program have been completed.

Benzer Tezler

  1. Yarı iletken gaz boşalma sisteminde plazma süreçlerinin özellikleri

    Pecularities of plasma processes over semiconductor gas discharge system

    AYŞE İNALÖZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TOFİG MAMMADOV

  2. Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri

    Photoelectric and spectral properties of photosensitive semiconductor gas discharge system

    SEMA KARAKÖSE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV

    DOÇ. DR. M.MAHİR BÜLBÜL

  3. Yarıiletken gaz boşalma sisteminde akımın davranışı ve kararlılığı

    Stabilization and behavior of current in a semiconductor gas discharge system

    EMRAH KOÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR G SALAMOV

    PROF. DR. MEHMET ÇİVİ

  4. Termal olmayan mikro plazma boşalma hücrelerinde gap fotodedektörünün karakteristiklerinin incelenmesi

    Study of characteristics of gap photodedector in the non-thermal micro plasma discharge cell

    DUYGU YİĞİT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HATİCE HİLAL KURT

  5. Nanogözenekli zeolit malzemeye dayalı yeni gaz boşalma elektronik cihazının özellikleri

    Pecularities of novel gas discharge electronic device based on nanoporous zeolite material

    KIVILCIM KÖSEOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAHTİYAR SALAMOV

    PROF. DR. SELİM ACAR