Investigation of structural, optical and electrical properties of undoped and boron doped indium oxide films growth by spray prolysis technique
Püskürtme tekniği ile bor katkılı ve katkısız indiyum oksit filmlerin yapısal, optik ve elektrik özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 682081
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RABİA GÜLER YILDIRIM, PROF. DR. MUSTAFA ÖZTAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 129
Özet
Katkısız ve bor katkılı indiyum oksit filmler, katkı kaynağı olarak borik asit (H3BO3) kullanılarak cam altlık üzerinde 380 °C'lik bir altlık sıcaklığında püskürtme yöntemi ile üretildi. Katkılama konsantrasyonunun katkısız ve bor katkılı In2O3 filmlerin özelliklerine etkisi incelenmiştir. XRD analizleri, tüm filmlerin kübik yapıya sahip polikristal olduğunu ve yaklaşık 9-10 Å kafes parametresine sahip (222), (400), (440) ve (622) yansıma düzlemlerinin baskın zirveleri olduğunu göstermektedir. Yapı bor ile katkılanınca bant aralığı enerjisinde azalma meydana gelir. Bu düşüş 0.03 M bor katkı maddesine kadar devam etmekte ve yine bu değerin üzerinde artma eğilimindedir. Bor konsantrasyonu 0.03 M'ye kadar yükseldikçe, artan kristal kalitesi nedeniyle taşıyıcıların saçılması ciddi bir şekilde zayıfladığından direnç değeri azalır diğer taraftan taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall hareketlilik değerleri artar.
Özet (Çeviri)
Indium oxide films with undoped and boron doped were produced by spray pyrolysis method at a substrate temperature of 380 °C on the glass substrate using boric acid (H3BO3) as the dopant source. The effects of doping concentration on the features of undoped and boron doped In2O3 films have been investigated. The XRD analyses indicate that all films are polycrystalline with cubic structure, which is the dominant peaks of the (222), (400), (440) and (622) reflection planes with lattice parameter, approximately 9-10 Å. When the structure doped with boron, a decrease in band gap energy occurs. This decrease continues up to 0.03 M of boron additives and tends to increase again above this value. As the boron concentration increases up to 0.03 M, the resistivity value decreases whereas the carrier concentration and Hall mobility values increase, which caused by the scattering of carriers that are severely weakened due to increased crystal quality.
Benzer Tezler
- Kimyasal yöntemle büyütülen çinko oksit ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigations of structural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films grown by chemical method
YASEMİN ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NECMİ SERİN
- The growth of doped ZnO thin films by the silar method and investigation of structural, optical and electrical properties
Büyütülen katkılı ZnO filmlerin sılar yöntemiyle ve yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
DHEYAALDAIN MOHAMMED HUSSEIN ALHASANI
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA
- Sol-jel yöntemiyle elde edilen bor katkılı ZnO ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of structural, optical and electrical properties of bor doped ZnO thin films deposited by sol-gel method
GÖKNİL BABÜR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR KÖLEMEN
PROF. DR. GÜVEN ÇANKAYA
- Katkısız ve katkılı CdSe ince filmlerinin optik ve elektrik özelliklerinin araştırılması
Investigation of optical and electrical and properties of undoped and doped CdSe thin films
DUYGU TAKANOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN KARABULUT
- Tantal oksit filmlerin yapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electrical and optical properties of tantalum oxide films
ESİN TATLI YEŞİLTEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL
YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ