Investigation of structural, optical and electrical properties of undoped and boron doped indium oxide films growth by spray prolysis technique
Püskürtme tekniği ile bor katkılı ve katkısız indiyum oksit filmlerin yapısal, optik ve elektrik özelliklerinin incelenmesi
- Tez No: 682081
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RABİA GÜLER YILDIRIM, PROF. DR. MUSTAFA ÖZTAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Gaziantep Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Katkısız ve bor katkılı indiyum oksit filmler, katkı kaynağı olarak borik asit (H3BO3) kullanılarak cam altlık üzerinde 380 °C'lik bir altlık sıcaklığında püskürtme yöntemi ile üretildi. Katkılama konsantrasyonunun katkısız ve bor katkılı In2O3 filmlerin özelliklerine etkisi incelenmiştir. XRD analizleri, tüm filmlerin kübik yapıya sahip polikristal olduğunu ve yaklaşık 9-10 Å kafes parametresine sahip (222), (400), (440) ve (622) yansıma düzlemlerinin baskın zirveleri olduğunu göstermektedir. Yapı bor ile katkılanınca bant aralığı enerjisinde azalma meydana gelir. Bu düşüş 0.03 M bor katkı maddesine kadar devam etmekte ve yine bu değerin üzerinde artma eğilimindedir. Bor konsantrasyonu 0.03 M'ye kadar yükseldikçe, artan kristal kalitesi nedeniyle taşıyıcıların saçılması ciddi bir şekilde zayıfladığından direnç değeri azalır diğer taraftan taşıyıcı konsantrasyonu ve Hall hareketlilik değerleri artar.
Özet (Çeviri)
Indium oxide films with undoped and boron doped were produced by spray pyrolysis method at a substrate temperature of 380 °C on the glass substrate using boric acid (H3BO3) as the dopant source. The effects of doping concentration on the features of undoped and boron doped In2O3 films have been investigated. The XRD analyses indicate that all films are polycrystalline with cubic structure, which is the dominant peaks of the (222), (400), (440) and (622) reflection planes with lattice parameter, approximately 9-10 Å. When the structure doped with boron, a decrease in band gap energy occurs. This decrease continues up to 0.03 M of boron additives and tends to increase again above this value. As the boron concentration increases up to 0.03 M, the resistivity value decreases whereas the carrier concentration and Hall mobility values increase, which caused by the scattering of carriers that are severely weakened due to increased crystal quality.
Benzer Tezler
- Reaktif buharlaştırma ve sol gel teknikleri ile hazırlanan filmlerin optik ve elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
DENİZHAN ATEŞALP
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. GALİP TEPEHAN
- Cd1-xNixS filmlerinin elektriksel, optiksel, yapısal ve yüzeysel özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical, optical, structural and surface properties of Cd1-xNixS films
FERHUNDE ATAY
Doktora
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. SALİH KÖSE
- CdS ince filmlerin farklı yöntemlerle büyütülmesi, yapısal, elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
The Production of CdS thin films and the investigation of their structural, electrical and optical properties
EMİN BACAKSIZ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. VAGİF NOVRUZOV
- Investigation of InSe thin film based deviges
İnSe ince film tabanlı aygıtların incelenmesi
KORAY YILMAZ
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET PARLAK
PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ
- Kimyasal yöntemle büyütülen çinko oksit ince filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigations of structural, optical and electrical properties of zinc oxide thin films grown by chemical method
YASEMİN ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NECMİ SERİN
- Çinko oksit yarı iletkeninin yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyon teknikleriyle incelenmesi
An investigation of semiconductor zinc oxide via structural, optical and electrical characterization techniques
EMRE GÜR
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN