Geri Dön

Güç LED'lerinde yapı parametrelerinin ışık emisyonuna etkilerinin belirlenmesi

Determining the effects of solid state formation parameters on light emissions in power LEDs

  1. Tez No: 688445
  2. Yazar: TESLİME KARAYILAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER FARUK FARSAKOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Fotoemisyon, MOVPE, MBE, fotolüminesans, elektrolüminesans, Photoemission, MOVPE, MBE, photoluminescence, electroluminescence
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kilis 7 Aralık Üniversitesi
  10. Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Elektrik enerjisini ışık enerjisine dönüştüren yarıiletken cihazlar LED'lerdir. Ancak LED'ler uygulanan elektrik enerjisinin sadece %20'lik kısmını ışığa dönüştürebilir. Geri kalan elektrik enerjisi ısı enerjisi olarak ortaya çıkar. Oluşan bu ısı LED yapısını olumsuz yönde etkileyerek; ışık emisyonu, LED ömrü, kararlılık gibi parametrelerin durumunu negatif yönde etkiler. Özellikle güç LED'lerde jonksiyon sıcaklığının belirli bir seviyenin altında tutulması gerekir. Bu sebeple, üretilecek LED yapısına MBE, MOVPE ve LPE epitaksi yöntemleri kullanılarak katkılama yapılmaktadır. Bu tez çalışmasında, yapılan araştırmalar sonucunda LED'lerle bağlantılı olarak, aydınlatma, LED bağlantı şekilleri, kromatik koordinatlar, LED ışık yoğunluğu ölçümü ile ilgili bilgi verilmiştir. LED ışık emisyonunu etkileyen; başta epitaksi yöntemleri olmak üzere, Auger etkisi, termal yönetim, Stark etki gibi parametrelerle ilgili bilgi paylaşımı yapılmıştır. Sonrasında MOVPE ve MBE epitaksi yöntemleri ile üretilmiş GaN, GaN/InGaN LED'lerin ulaşılan fotolüminesans ve elektrolüminesans değerleri kıyaslanmıştır. Bu karşılaştırma neticesinde MOVPE yöntemi ile üretilen LED yapısının değerlerinin daha yüksek olduğu belirlenmiştir. Bu farkın sıcaklık artışının MOVPE ile üretilen p-n ekleminde daha az ışınsal olmayan ışımalar oluşturduğu için meydana geldiği belirlenmiştir. Yani, sıcaklığın MOVPE ile üretilmiş yapıyı daha az etkilediği görülmüştür. Ayrıca lüminesans değerlerine iç kuantum veriminin etkisi incelenmiştir. Son olarak, InGaN/GaN yapılarının ışık verimliliğini artırmak için katkılama yapılacak maddeler araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

Semiconductor devices that convert electrical energy into light energy are LEDs. However, LEDs can transform only 20% of the applied electrical energy into light. The remaining electrical energy occurs as heat energy. This heat negatively affects the LED structure; It negatively affects the status of parameters such as light emission, LED life, stability. Especially in power LEDs, the junction temperature should be kept below a certain level. For this reason, doping is made to the LED structure to be produced by using MBE, MOVPE and LPE epitaxy methods. In this thesis study, information was given about lighting, LED connection forms, chromatic coordinates, LED light intensity measurement in connection with LEDs as a result of the researches. Affecting the LED light emission; Information was shared on parameters such as primarily epitaxy methods, Auger effect, thermal management, Stark effect. Afterwards, the photoluminescence and electroluminescence values of GaN, GaN / InGaN LEDs produced by MOVPE and MBE epitaxy methods were compared. It has been determined that the temperature increase of this difference occurs because it creates less non-radial radiation in the p-n junction produced by MOVPE. In other words, it has been observed that the temperature affects the structure produced with MOVPE less. In addition, the effect of internal quantum efficiency on luminescence values were investigated. Finally, materials to be doped to increase the light efficiency of InGaN / GaN structures were investigated.

Benzer Tezler

  1. Bidirectional buck boost converter design

    Çift yönlü çalışabilen düşürücü yükseltici dönüştücü tasarımı

    İLYAS SARIGÜL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YÜKSEL ÇAKIR

  2. Türkiye'nin milli teknoloji odaklı hamlelerinin dijital diplomasi bağlamında incelenmesi

    Examination of Turkey's national technology-oriented moves in the context of digital diplomacy

    BÜŞRA HAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Halkla İlişkilerAtatürk Üniversitesi

    Halkla İlişkiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MERYEM OKUMUŞ

  3. Effect of microwave pretreatment on fate of antimicrobials and conventional pollutants during anaerobic sludge digestion and biosolids quality for land application

    Anaerobik çamur çürütme prosesinde uygulanan mikrodalga dezentegrasyon işleminin antimikrobiyallerin ve konvansiyonel kirleticilerin akıbetine ve arazi uygulaması için biyokatı kalitesine etkisi

    GÖKÇE KOR BIÇAKCI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Biyoteknolojiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Çevre Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EMİNE ÇOKGÖR

  4. Rasyonel sayılar ve rasyonel sayılarda işlemler konusunda ters-yüz sınıf uygulamasının etkileri

    The effect of the flipped classroom practice on the rational numbers and operations with rational numbers

    FİKRETCAN GÜÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Eğitim ve ÖğretimAmasya Üniversitesi

    İlköğretim Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KEZİBAN ORBAY

  5. Hydro-hegemony of The International Fund for saving The Aral Sea (IFAS) in Central Asia

    Uluslararsı Aral Gölü'nü Kurtarma Fonu'nun Orta Asya'daki hidro-hegemonyasi

    SAMAGAN ZHANALİEVA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Uluslararası İlişkilerOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Siyaset Bilimi ve Uluslararası İlişkiler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BARACCO LUCIANO