Geri Dön

SnS ince filmlerinin kimyasal depolama yöntemi ile üretilmesi ve karakterizasyonu

Production and characterization of the SnS thin films by chemical bath deposition

  1. Tez No: 695208
  2. Yazar: ŞAFAK HAZAL TEMİZ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HÜLYA METİN GÜBÜR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Science and Technology
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Mersin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 36

Özet

SnS ince filmler kimyasal depolama yöntemi ile 65 °C' de 1 saat cam alttaban üzerinde depolandı. SnS ince filmlerin biriktirilmesi, aynı alttaban üzerinde 1 saat süreyle 30 kez tekrarlandı ve depolama çözeltisi her seferinde yenilendi. Depolamanın sonunda beş benzer SnS filmi elde edildi. Bunlardan bir tanesi tavlanmadı, diğer dört tanesi ise azot ve hava atmosferlerinde 150 °C ve 250 °C' de 30 dakika tavlandı. Filmlere uygulanan farklı sıcaklık ve ortamdaki tavlama işleminin etkisi X‐ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve Hall ölçüm metodu kullanılarak belirlendi. Filmin soğurma grafiği incelendiğinde yasak enerji aralığının (Eg), tavlama sıcaklığının artışına bağlı olarak azaldığı görüldü. SnS ince filmlerin yüzey morfolojisi, SEM görüntüleri ile incelendiğinde küresel tanecikli yapıda olduğu gözlendi. XRD analizi ile filmlerin ortorombik yapıya sahip olduğu belirlendi. Hall ölçüm metodu ile SnS ince filmlerin p tipi iletkenliğe sahip olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

SnS thin films were deposited on glass substrates with the chemical bath deposition technique at 65 °C for 1 hour. The deposition of the SnS thin films was repeated 30 times for 1 h duration time on the same substrate and the deposition solution was refreshed each time. Five similar SnS films were obtained at the end of deposition. One of them was not annealed, the other four were annealed for 30 minutes at 150 °C and 250 °C in nitrogen and air atmospheres. The effects of the annealing in different atmospheric conditions on the films were determined by UV-Visible spectrophotometer, scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Hall - effect measurement system. When the absorption graph of the films was examined, it was observed that the optical band gap energy (Eg) value decreased with increasing annealing temperature. The surface morphology of the SnS thin films was determined by SEM images as sphere-like grain. According to the XRD analysis, the films were polycrystalline with an orthorhombic structure. Finally, Hall - effect measurements indicated that SnS films had p-type conductivity.

Benzer Tezler

  1. Kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiş SnS ince filmlerin yapısal , elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Structural, electrical and optical properties of sns thin films grown with the chemical bath deposition method

    EMİNE GÜNERİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ

  2. Fotovoltaik uygulamalar için CZTS (Cu2SnZnS4) ince filmlerin sentezi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of CZTS (Cu2SnZnS4) thin films for photovoltaic applications

    ALİ RIZA YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    EnerjiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH CEYLAN

  3. Çözelti tabanlı SnS yarıiletkenlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    Preparation and characterisation of solution based SnS semiconductor

    FERİT ARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FERHAT ASLAN

  4. Effects of substrates on characteristics of SnS thin films and device application on silicon

    Alttaşların SnS ince filmlerin özelliklerine etkisi ve silikon üzerine cihaz uygulaması

    CEREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    EnerjiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HASAN HÜSEYİN GÜLLÜ

  5. SnS tabanlı heteroeklem yapıların hazırlanması, güneş hücresi ve fotosensör özelliklerinin incelenmesi

    Preparation of SnS based heterojunction structures, investigation of solar cell and photosensor properties

    HAMİT ÖZTÜRK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FERHAT ASLAN