Katkısız ve azot katkılı NiO ince filmlerin magnetron söktürme ile büyütülmesi, yapısal ve optik özelliklerinin incelenmesi
Growth of undoped and nitrogen-doped NiO thin films by magnetron sputtering, investigation of their structural and optical properties
- Tez No: 711382
- Danışmanlar: PROF. DR. EBRU ŞENADIM TÜZEMEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Mühendislik Bilimleri, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Optik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 96
Özet
Bu çalışmada, katkısız ve azot katkılı ince filmler farklı alttaşlar üzerine NiO hedefi kullanılarak farklı büyütme basıncı, farklı kalınlık, farklı alttaş sıcaklığı ve farklı miktarlarda azot katkısıyla RF magnetron söktürme yöntemi ile büyütülmüştür. Farklı büyütme şartlarında üretilmiş olan filmlerin kristal yapı, geçirgenlik ve enerji bant aralığı ayrıntılı olarak incelenmiştir. Bir p-tipi oksit yarıiletken olan Nikel oksit (NiO), çok yönlü ve ayarlanabilir özelliklerinden dolayı büyük ilgi görmektedir. Dirençli anahtarlama rastgele erişimli bellek cihazları ve son derece hassas ve seçici sensör uygulamaları dahil olmak üzere çok çeşitli elektronik uygulamalarında kritik malzemelerden biridir. Ek olarak geniş bant aralığından dolayı (NiO veya Ni(II) oksit, yüksek dirence, 3,6 – 4,0 eV'luk geniş bir bant aralığına sahiptir) NiO'yu yeni ortaya çıkan optoelektronik ve p-n heteroeklemlerde çalışmalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. NiO ince filmlerin özellikleri büyük ölçüde depolama yöntemine ve koşullarına bağlıdır.
Özet (Çeviri)
In this study, pure and nitrogen-doped thin films have been grown on different substrates by using NiO target with different growth pressure, different thickness, different substrate temperature and different amounts of nitrogen additive by RF magnetron sputtering method. The crystal structure, transmittance, and energy band gap of the films to be produced under different growing conditions have been examined in detail. Nickel oxide (NiO), a p-type oxide semiconductor, has attracted great attention due to its versatile and tunable properties. Resistive switching is one of the critical materials in a wide variety of electronics applications, including random access memory devices and highly sensitive and selective sensor applications. In addition, due to its wide band gap (NiO or Ni(II) oxide has high resistivity, a wide band gap of 3.6 – 4.0 eV), NiO is widely used in studies in emerging optoelectronics and p-n heterojunctions. The properties of NiO thin films are highly dependent on the deposition method and conditions.
Benzer Tezler
- Metal/ametal katkılı ZnO nano taneciklerin sentezleri, fotokatalitik aktivitedeki ve boya duyarlı güneş hücrelerindeki performansları
Synthesis of metal/nonmetal doped ZnO nanoparticles, their performances in photocatalytic activity and in dye sensitized solar cells
MOHAMMAD SUTAIF
- Elektron siklotron mikrodalga plazma (ECR-MP) yöntemi ile farklı yüzeylerin karbon ve azot katkılı karbon filmler ile kaplanması
Coating on different surfaces with carbon and nitrogen doped carbon films by using electron cyclotron microwave plasma (ECR-MP) method
ÖZLEM ÇELİKEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAMİDE KAVAK
- Pfcvad sistemi ile üretilen n ve p tipi zno ince filmlerin fotoiletkenlik özelliklerinin karşılaştırılması
Comparison of the photoconductivity properties of the n and p type zno thin films which are grown by pfvad system
KAMURAN KARA
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- Improvement photocatalytic properties of doped nanoparticles synthesized by sol-gel method
Sol-jel yöntemi ile sentezlenen nanopartiküllerin fotokatalitik özelliklerinin geliştirilmesi
SILA CENGİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Mühendislik BilimleriDokuz Eylül ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ NECMİYE FUNDA AK AZEM
- Influence of nitrogen dopingon photoconductivity of 3C - SiCultraviolet photodetectors (UVPD )
Azot katkılamasının 3C-SiC ultraviyole fotodetektörlerin (UVPD) fotoiletkenliği üzerindeki etkisi
IQRA WASIF
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KAŞİF TEKER