Geri Dön

Si (111) alttaşı üzerine büyütülmüş AIN ince filmlerin elipsometri tekniği ile optik karakterizasyonu

Optical characterization of AIN thin films grown on Si(111) substrate by ellipsometry

  1. Tez No: 712140
  2. Yazar: İLHAN KARAKUŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. İLKAY DEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Optik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 64

Özet

Bu çalışmada Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik Uygulama ve Araştırma Merkezi Laboratuarlarında Kurulu bulunan MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) cihazı ile Si (111) alttaş üzerine büyütülmüş epitaksiyel AIN tek kristal ince filmlerin optik karakterizasyonu spektroskopik elipsometri tekniği yardımıyla gerçekleştirilmiştir. Ayrıca AIN tek kristal ince filmlerin kalınlığı ile kırılma indisi ve sönümlenme katsayısı gibi optik parametreleri belirlenmiştir. Spektroskopik elipsometri tekniği ile yapılan ölçümler ve üretilen modeller ile AIN tek kristal ince filmlerin büyütülmesi sırasında yüksek sıcaklık etkisine bağlı olarak Si (111) alttaş ile ince film arasında oluşan ara tabakanın yapısının amorf bir yapıya sahip olan silikon tabaka olduğu bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

In this study, optical characterization of epitaxial AIN single crystal thin films grown on Si(111) substrate with MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) device installed in Sivas Cumhuriyet University Nanophotonics Application and Research Center Laboratories was carried out with the help of spectroscopic ellipsometry technique. In addition, optical parameters such as thickness of AIN single crystal thin films, refractive index and fading coefficient were determined. With the measurements made by the spectroscopic ellipsometry technique and the models produced, it was found that the structure of the intermediate layer formed between the Si(111) substrate and the thin film due to the high temperature effect during the growth of AIN single crystal thin films was a silicon layer with an amorphous structure.

Benzer Tezler

  1. Investigation of two dimensional materials with simultaneous atomic force/scanning tunneling microscopy

    İki boyutlu malzemelerin eşzamanlı atomik kuvvet / taramalı tünelleme mikroskobu ile incelenmesi

    MAJID FAZELI JADIDI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN ÖZGÜR ÖZER

  2. A comparative study on Poly-Si thin film solar cell characterization validated by machine learning

    Makine öğrenimi ile doğrulanan Poly-Si ince film güneş pili karakterizasyonu üzerine karşılaştırmalı bir çalışma

    ŞEYMANUR SELVER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiMuğla Sıtkı Koçman Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. PINAR DOĞAN

    DR. CEM AYYILDIZ

  3. Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE

    Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    BURCU ARPAPAY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

    PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN

  4. [Ni/Pt/CoO]x çok katlı ince filmlerin yapısal ve manyetik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural and magnetic properties of [Ni/P/CoO]x multilayer thin films

    AYŞE SÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NUMAN AKDOĞAN

  5. Magnetic properties of Mn5Ge3/PZT heterostructures

    Mn5Ge3/PZT hetero yapıların manyetik özellikleri

    CAN TANER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Bilim ve TeknolojiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. LEYLA ÇOLAKEROL ARSLAN