Geri Dön

Farklı sıcaklıklarda termal tavlamanın Mo/n-Si schottky diyotların bazı elektriksel karakteristiklerine etkileri

The effects of thermal annealing at different temperatures on some electrical characteristics of Mo/n-Si schottky diodes

  1. Tez No: 724795
  2. Yazar: HÜLYA ÖLÇER
  3. Danışmanlar: PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Diyodlar, Schottky engelleri, Schottky kontakları, Diodes, Schottky barriers, Schottky contacts
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında magnetik saçtırma yöntemi kullanılarak imal edilen Mo/nSi Schottky diyotu 300ºC, 400ºC, 500ºC de tavlama işlemine tabi tutuldu. Yapının tavlanmamış ve ısıl işlem uygulanmış durumu için I-V ve C-V karakteristiklerin her biri için ayrı ayrı alındı. Diyot parametreleri idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φ_b) ve seri direnç (R_s) değerleri hem I-V hem de C-V karakteristikleri kullanılarak farklı yöntemlerle hesaplandı. I-V karakteristiğinden, tavlanmamış numune için n ve Φ_b 2,36 ve 0,69 eV iken 300ºC,400ºC ve 500ºC'de tavlanmış numuneler için sırasıyla 2,20 ve 0,70 eV, 1,63 ve 0,73 eV ve 1,49 ve 0,74 eV olarak hesaplandı. Ayrıca farklı tavlama sıcaklıkları için ara yüzey hallerinin enerji yoğunluk dağılım profilleri araştırıldı. Böylece ısıl işlemin diyot parametrelerinde yaptığı değişlikler belirlendi.

Özet (Çeviri)

In this thesis work the Mo/nSi Schottky diode manufactured using the magnetic scattering method was subjected to annealing at 300ºC, 400ºC, 500ºC. Diode parameters were calculated separately from the I-V and C-V characteristics for the non-annealed and heat-treated state of the structure. As a result of the measurements, the ideality factor (n), barrier height (Φ_b) and series resistance (R_s) values were calculated. n and Φ_b were calculated as 2.36 and 0.69 eV for the non-annealed sample. After annealed at 300ºC, 400ºC, and 500ºC, n and Φ_b were found as 2.20 and 0.70 eV, 1.63 and 0.73 eV and 1.49 and 0.74 eV, respectively. In addition, the energy density distribution profiles of the interface states for different annealing temperatures were investigated. Thus, the changes made by the heat treatment in the diode parameters were determined.

Benzer Tezler

  1. On step-etching and ambient temperature annealing of apatite fission tracks

    Apatit fisyon izlerinin kademeli asitlenmesi ve ortam sıcaklığında tavlanması üzerine

    MURAT TANER TAMER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Jeoloji MühendisliğiThe Unıversıty Of Texas At Austın

    Jeoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RİCHARD KETCHAM

  2. Synthesis and characterization of two-dimensional nano-layered ternary transition metal carbide and boride (MAX/MAB) phases

    İki boyutlu nano-tabakalı üçlü geçiş metali karbür ve borür (MAX/MAB) fazlarının sentezi ve karakterizasyonu

    BERK ŞENYURT

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. DUYGU AĞAOĞULLARI

    DOÇ. DR. NAZLI AKÇAMLI KAYA

  3. Production and characterization of al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) high entropy alloys by combustion synthesis method

    Al-CoCrFeNi-M (M=Mo, Cu, Mn) yüksek entropili alaşımlarının yanma sentezi yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu

    FARUK KAYA

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVAT BORA DERİN

  4. Yüksek manganlı çeliklerde alaşım elementlerinin mekanik özelliklere etkisi

    Effect of alloying elements on the mechani̇cal properties of high-manganese steels

    İSMAİL KANKAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET UYSAL

    DOÇ. DR. UĞUR GÜROL

  5. Preparation and electrical structural optical characterization of İn Se thin films

    İn Se ince filmlerin hazırlanışı ve elektrik yapı, optik karakterizasyonu

    MEHMET PARLAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ