ALD yöntemi ile üretilen ZnO ince filmlerinin mikroyapısal, elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
The examination of microstructural, electrical and optical properties of ZnO thin films coated by ALD method
- Tez No: 727993
- Danışmanlar: PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 86
Özet
Günümüzde; ZnO ince filmleri özellikle optoelektronik devre ve elektronik cihazlarda olmak üzere oldukça yüksek kullanım potansiyeline sahiptir. Bu kullanım potansiyeline sahip ZnO ince filmlerin birçok üretim/büyütme yöntemi bulunmaktadır. Bu çalışmada, ZnO ince filmleri, Atomik Katman Biriktirme (ALD) tekniği ile Corning Gorilla Glass ile Cam alttaşlar üzerine kaplanmıştır. Kaplama işleminden ardından, ZnO ince filmler, 300 οC ile 600 οC sıcaklıklar arasında tavlanmıştır. Tavlama işlemi sonrası, mikroyapı, kalınlık ve yüzeydeki ZnO dağılımını tespit etmek amacı ile SEM ve EDS görüntülemeleri yapılmış, yapısal değişiklik ve kristal yapısını tespit etmek için ise X-ışını kırınımı incelemesi gerçekleştirilmiştir. Elde edilen ince filmlerin optik enerji bant aralıklarının tespiti için UV-Vis ile kalınlıkları, geçirgenlik ve yansıtıcılıkları belirlenmiştir. Tüm ince filmlerin optik enerji bant aralığı değerlerinin 3,24 eV ile 3,28 eV arasında değiştiği tespit edilmiştir. ZnO ince film yoğunluğunun, 500 οC ile 600 οC tavlama sıcaklığında tavlanan numuneler için 300οC'de tavlanan ilk numuneye kıyasla fazla olduğu ve bu durumun ise kristal yönelimlerinin, boyutlarının ve yoğunluklarının değişmesinden kaynaklandığı tespit edilmiştir. Buna ek olarak; 600 οC sıcaklıkta tavlanan ZnO ince filminin yapısal özelliğinin de geliştiği tespit edilmiştir.
Özet (Çeviri)
Today; ZnO thin films have a very high potential for use, especially in optoelectronic circuits and electronic devices. There are many production methods of ZnO thin films with this potential for use. In this study, ZnO thin films were coated on Corning Gorilla Glass and glass substrates by Atomic Layer Deposition (ALD) technique. After coating, the ZnO thin films were annealed between the temperatures of 300 οC and 600 οC. After annealing, while SEM and EDS imaging were performed to determine the microstructure, thickness and ZnO distribution on the surface, and X-ray diffraction analysis was performed to determine the structural change and crystal structure. In order to determine the optical energy band gaps of the thin films, which were coated, their thickness, transmittance and reflectivity were determined by UV-Vis measurements. It has been determined that the optical energy band gap values of all thin films vary between 3.24 eV and 3.28 eV. It has been determined that the density of ZnO thin film is higher for the samples annealed at 500 οC to 600 οC annealing temperatures compared to the first sample annealed at 300 οC, causing by the change in crystal orientations, sizes and densities. In addition to this; It was determined that the structural feature of ZnO thin film annealed at the temperature of 600 οC also improved.
Benzer Tezler
- ALD yöntemi ile düşük sıcaklıkta büyütülen ZnO esaslı TFT'lerin üretimi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of ZnO based TFT's deposited under low temperature by ALD
LÜTFULLAH DURNA
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Atomic layer deposition based titanium alloying of ZnO for microbolometer applications
Mikrobolometre uygulamaları için çinko oksidin atomik katmanlama yöntemiyle titanyum ile alaşımlanması
BİLGE TİLKİOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Metalurji Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Silisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonu
Formation of silicon nanostructure based metal oxide gas sensors
NİLÜFER USLU UZUN
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Zno,tio2 and exotic materials for thin film electronic devices
Zno, tio2 ve bazı egzotik malzemeler kullanılarak düşük sıcaklıkta oluşturulmuş ince film elektronik aygıtlar
FEYZA ORUÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Ditiyofen türevi polimerler ile üretilen organik güneş pillerinin optimizasyonu, karakterizasyon ve kararlılık çalışmaları
Optimization, characterization and stability studies of dithiophene polymers based organic solar cells
TÜLİN ATEŞ TÜRKMEN
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YUSUF YERLİ
DOÇ. DR. ELİF ALTÜRK PARLAK