Geri Dön

Au/ZnO/p-InP (MOS) kapasitörün elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

Investigation of electric and dielectric properties of frequency and temperature of Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor

PDF İndir

  1. Tez No: 728311
  2. Yazar: FATMA ZEHRA ACAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 115

Özet

Bu çalışmada, p-InP yarıiletken üzerine arayüzey dielektrik tabaka olarak çinko oksit (ZnO), radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Termal buharlaştırma sisteminde omik ve doğrultucu kontakları oluşturulduktan sonra Au/ZnO/p-InP (MOS) kondansatörü hazırlanmıştır. ZnO filminin kristal yapısı ve yüzey morfolojisi, sırasıyla X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile karakterize edildi. MOS kapasitörün admitans (Y=G+iωC) ölçümleri ilk önce oda sıcaklığında geniş bir frekans aralığında (1 kHz-1 MHz), sonra 100 kHz ve 500 kHz için geniş bir sıcaklık aralığında (100 K-400 K) gerçekleştirilmiştir. Frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans (C) ve iletkenlik (G) ölçümleri kullanılarak kondansatörün seri direnç (Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss), dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjantı (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve elektrik modülüs (M) gibi elektrik ve dielektrik parametreleri elde edilmiştir. Bu parametrelerin hem frekansa hem de sıcaklığa oldukça duyarlı olduğu bulunmuştur. Sonuç olarak, hazırlanan Au/ZnO/p-InP (MOS) kapasitör elektronik devrelerde enerji depolama cihazı olarak kullanılabilir.

Özet (Çeviri)

In this study, zinc oxide (ZnO) was deposited as an interfacial dielectric layer on a p-InP semiconductor by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method. After forming the ohmic and rectifier contacts in the thermal evaporation system, the Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor was prepared. The crystal structure and surface morphology of ZnO film were characterized by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. The admittance (Y=G+iωC) measurements of the MOS capacitor were first performed in a wide frequency range (1 kHz-1 MHz) at room temperature, then over a wide temperature range (100 K-400 K) for 100 kHz and 500 kHz. Electrical and dielectric parameters such as the series resistance (Rs), the interface state density (Nss), dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), dielectric loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac) and electric modulus (M) of the capacitor were obtained by using these frequency and temperature-dependent capacitance (C) and conductance (G) measurements. It was found that these parameters are quite sensitive to both frequency and temperature. As a result, the prepared Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor can be used as an energy storage device in electronic circuits.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    269690

    Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN

  2. Tez No

    619736

    N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması

    Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode

    EMRECAN EMEKSİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

  3. Tez No

    541554

    Flor(F) katkılı ZnO ince filmlerin büyütülmesi, karakterizasyonu ve güneş pili potansiyeli

    Growth and charachterization of F doped ZnO thin films and their solar cell potential

    AHMET ÖZMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET YILMAZ

  4. Tez No

    287592

    Al/ZnO/p-Si ve Au/CuO/p-Si Schottky yapıların farklı metotlarla elde edilmesi ve karakterizasyonu

    Production and characterizations of Al/ZnO/p-Si and Au/CuO/p-Si Schottky structures by different methodes

    SAMED ÇETİNKAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. H. ALİ ÇETİNKARA

  5. Tez No

    654367

    N-ZnO/p-Si heteroeklem diyot yapılarının üretilmesi ve elektriksel karakteristiklerinin aydınlık ve karanlık ortamlar için zno ince film kalınlığına bağlı olarak belirlenmesi

    Production of N-ZnO / p-Si heterojunction diode structuresand determination of electrical characteristics depending on the thickness of the zno thin film under the illumination and dark environments

    BAHRİ GEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ YASEMİN GÜNDOĞDU

Geri Dön