Au/ZnO/p-InP (MOS) kapasitörün elektrik ve dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of electric and dielectric properties of frequency and temperature of Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor
- Tez No: 728311
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Admitans ölçümü, Dielektrikler, Frekans, MOS, Modülüs fonksiyonu, İletkenlik, Admittance measurement, Dielectrics, Frequency, MOS, Modulus function, Conductivity
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, p-InP yarıiletken üzerine arayüzey dielektrik tabaka olarak çinko oksit (ZnO), radyo frekansı (RF) magnetron püskürtme yöntemi kullanılarak biriktirildi. Termal buharlaştırma sisteminde omik ve doğrultucu kontakları oluşturulduktan sonra Au/ZnO/p-InP (MOS) kondansatörü hazırlanmıştır. ZnO filminin kristal yapısı ve yüzey morfolojisi, sırasıyla X-ışını kırınımı (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile karakterize edildi. MOS kapasitörün admitans (Y=G+iωC) ölçümleri ilk önce oda sıcaklığında geniş bir frekans aralığında (1 kHz-1 MHz), sonra 100 kHz ve 500 kHz için geniş bir sıcaklık aralığında (100 K-400 K) gerçekleştirilmiştir. Frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans (C) ve iletkenlik (G) ölçümleri kullanılarak kondansatörün seri direnç (Rs), arayüzey durum yoğunluğu (Nss), dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε''), dielektrik kayıp tanjantı (tanδ), ac iletkenlik (σac) ve elektrik modülüs (M) gibi elektrik ve dielektrik parametreleri elde edilmiştir. Bu parametrelerin hem frekansa hem de sıcaklığa oldukça duyarlı olduğu bulunmuştur. Sonuç olarak, hazırlanan Au/ZnO/p-InP (MOS) kapasitör elektronik devrelerde enerji depolama cihazı olarak kullanılabilir.
Özet (Çeviri)
In this study, zinc oxide (ZnO) was deposited as an interfacial dielectric layer on a p-InP semiconductor by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method. After forming the ohmic and rectifier contacts in the thermal evaporation system, the Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor was prepared. The crystal structure and surface morphology of ZnO film were characterized by X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), respectively. The admittance (Y=G+iωC) measurements of the MOS capacitor were first performed in a wide frequency range (1 kHz-1 MHz) at room temperature, then over a wide temperature range (100 K-400 K) for 100 kHz and 500 kHz. Electrical and dielectric parameters such as the series resistance (Rs), the interface state density (Nss), dielectric constant (ε'), dielectric loss (ε''), dielectric loss tangent (tanδ), ac conductivity (σac) and electric modulus (M) of the capacitor were obtained by using these frequency and temperature-dependent capacitance (C) and conductance (G) measurements. It was found that these parameters are quite sensitive to both frequency and temperature. As a result, the prepared Au/ZnO/p-InP (MOS) capacitor can be used as an energy storage device in electronic circuits.
Benzer Tezler
- Çinko oksit esaslı dielektrik malzemelerin üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin araştırılması
Production of zinc-oxide based dielectric materials and research of their dielectric properties
ÖZKAN GÖÇGELDİ
- Gemilerin manevra denklemlerinin bilgisayarla çözümü
The Solutions of equations of ship manoeuvres by the computer
EMİN KORKUT
- Dallı dağıtım şebekesi yük akışı çözüm metodları
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA ÇELENLİOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
İstanbul Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Yükleniyor...
- Aspect verbal en grec Istanbouliote: modele de description fonctionnaliste
Başlık çevirisi yok
EMİNE YAVAŞGEL
- İçerisinde akışkan bulunan öngerilmeli elastik tüplerde harmonik dalga yayılımı
Propagation of harmonic waves in prestressed elastic tubes containing a fluid
ALİ ERCENGİZ
