Geri Dön

Cd katkılı ZnS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin etkisinin incelenmesi

Investigation of the effect on some physical properties of Cd doped ZnS films

  1. Tez No: 732332
  2. Yazar: MERVE ÖZGE YILMAZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SALİH KÖSE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Yüksek Enerji ve Plazma Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Zn1-xCdxS filmleri (x=0, 10, 20, 30 ve 40) ultrasonik spray mikroskop cam taban üzerinde ultrsonik kimyasal püskürtme tekniği (UCST) ile yaklaşık 350±5 °C taban sıcaklığında Cd katkılamanın yapısal, optik, elektriksel ve ZnS filmlerinin morfolojik özellikleri araştırılmıştır. X-ışını difraksiyon desenler, filmlerin polikristal kübik yapıda olduğunu doğrulamaktadır. Kristalit Cd katkı maddesi içeriğinin artmasıyla filmlerin boyutları değiştiği gözlemlendi. Cd katkılı filmlerin optik bant aralığının 2,85-3,93 eV arasında değiştiği belirlendi. Filmin element analizi Energy Dispersiyon Spektroskopisi (EDS) tarafından yapıldı. Elementel analiz sonucu, Cd katkılı filmlerde Zn ve S bulunur. SEM ve AFM ölçümleri filmlerin yüzey morfolojisinin Cd katkılamasından etkilendiğini göstermiştir. Sıcak uç tekniği kullanılarak filmlerin elektriksel iletkenlik tipleri n-tipi olarak belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

Zn1-xCdxS films (x=0, 10, 20, 30 and 40) were deposited by the ultrasonic chemical spraying technique (UCST) on the pyrex microscope glass substrate 350±5 °C. Effect of Cd doping on the structural, optical, electrical and morphological, properties of ZnS films has been investigated. X-ray diffraction patterns confirm that the films were polycrystalline cubic nature. The crystallite size of the films changed with increasing the Cd dopant content. The values of the optical band gap of the films were determined to vary between 2,85-3,93 eV by Cd incorporation. The elemental analysis of the film was done by Energy Dispersion Spectroscopy (EDS). The elemental analysis result shows that Cd, Zn and S are present in the films. The SEM and AFM measurements showed that the surface morphology of the films was affected by the Cd doping. The electrical conductivity types of the films were determined to be n-type using the hot-probe technique

Benzer Tezler

  1. Production and characteriztion of (CdZnS: Cu) nanomaterial for x-ray photon detection

    X-ışını fotonu algılamak iҫin (CdZnS: Cu) nanomalzemelerin üretimi ve karakterızasyonu

    AHMED ABDULHASAN HUSSEIN ZARKOOSHI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MURAT KALELİ

  2. An investigation on the luminescence and structural properties of erbium doped cadmiumniobate phosphors

    Er2O3 katkılı CdNb2O6 fosfor tozların sentezi ,microyapı karakterizasyonu ve lüminesans verimleri

    SANAZ GHAFOURI AIAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÖNÜL ÖZEN

  3. SILAR yöntemiyle üretilen Cd katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical properties of Cd doped ZnO thin films produced by SILAR method

    BUKET TURAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR

  4. Ag ve Cd katkılı ve katkısız Mn3o4 ince filmlerin SILAR yöntemiyle büyütülmesi ve süperkapasitör uygulamalarının araştırılması

    Growth of undoped and Ag-Cd doped Mn3O4 thin films by SILAR method and investigation of their supercapacitor applications

    MANSUR ALBAYRAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM

  5. GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması

    Growth of GaTe and GaTe:Cd semiconductors and the investigation of structural and optical properties of them and Schottky diode application

    MEHMET ŞATA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. BEKİR GÜRBULAK