Geri Dön

GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması

Growth of GaTe and GaTe:Cd semiconductors and the investigation of structural and optical properties of them and Schottky diode application

PDF İndir

  1. Tez No: 483646
  2. Yazar: MEHMET ŞATA
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen yarıiletkenlerin yapısal, morfolojik ve optiksel karakterizasyonları sırasıyla XRD, SEM, EDX, AFM ve soğurma ölçümleri ile yapılmıştır. XRD analizleri sonucunda, GaTe ve GaTe:Cd ikili yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip oldukları ve Cd katkılaması sonucu pik şiddetlerinin arttığı ayrıca bazılarının azaldığı ve bazı piklerin yeni ortaya çıktığı gözlemlenmiştir. Tavlama sıcaklığının yapı üzerindeki etkisini belirlemek amacıyla büyütülen kristaller çeşitli sıcaklık değerlerinde (100, 200, 300, 350, 400, 500, 600 ve 700ºC) belirlenen süreler (10, 20 ve 30 dak.) boyunca azot gazı ortamında tavlanmış ve tavlamadan hemen sonra XRD analizleri yapılmıştır. GaTe ve GaTe:Cd yarıiletkenleri için EDX tekniği ile elde edilen atomik ağırlığı değerleri ile büyütme esnasında hesaplanıp uygulanan değerler birbirleriyle uyum içinde olduğu belirlenmiştir. Yarıiletkenlerin soğurma ölçümleri 320-10 K aralığında ve 10 K'lik adımlarla alınmış GaTe ve GaTe:Cd ikili bileşiklerine ait sıcaklığın bir fonksiyonu olarak soğurma katsayısı ve yasak enerji aralıkları hesaplanmıştır. GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenlerinden Schottky diyot elde edilmiştir. Elde edilen diyotun akım-voltaj ölçümleri karanlık ortamda, sıcaklığın bir fonksiyonu olarak (25-360 K aralığında) alınmıştır. Alınan ölçümler analiz edilerek diyot için önemli parametreler olan idealite faktörü ve engel yüksekliği hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors were grown by the modified Bridgman-Stockbarger method. The structural, morphological and optical characterizations of the semiconductors grown were performed by XRD, SEM, EDX, AFM and absorption measures, respectively. As a result of the XRD analyses, it was observed that GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors had monoclinic structure; and as a result of Cd doping it was observed that peak intensities increased and that some peaks disappeared and that some peaks appeared. In order to determine the effect of annealing temperature on structure, the crystals grown were annealed in nitrogen gas environment at different temperatures (100, 200, 300, 350, 400, 500, 600 and 700ºC) and in determined periods (10, 20 and 30 min.) and just after annealing XRD analyses were done. For GaTe and GaTe:Cd semiconductors, atomic weight values that were obtained by EDX technique and the values that were calculated during grown and applied were in agreement with one another. The absorption measures of GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors were in the range of 320-10 K and these measures were performed for each 10 K steps. The absorption coefficients and energy band gaps were calculated as a function of temperature for GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors. Schottky diode was obtained from GaTe and Cd doped GaTe binary semiconductors. The current-voltaj measures of obtained diode were measured in dark environment as a function of temperature (25-360 K range). Ideality factor and barrier height that are important parameters for diode were calculated by analyzing measurements that taken.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    515892

    Development of colloidal alloyed nanocrystals for quantum dot based device applications

    Kuantum nokta temelli cihaz uygulamaları için kolloidal alaşım nanokristallerin geliştirilmesi

    SEÇİL SEVİM ÜNLÜTÜRK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK

    PROF. DR. CANAN VARLIKLI

  2. Tez No

    753835

    Fabrication of junctionless silicon nanowire transistors via mix and match patterning based on field emission scanning probe lithography

    Alan-salımlı tarama probu litografisine dayalı karıştır ve eşleştir modelleme ile bağlantısız silisyum nanotel transistörlerin üretimi

    MERT ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA

  3. Tez No

    44698

    Çevre kanından G-CSF ile mobilize edilerek toplanan hematopoietik kök hücrelerin ülkemiz koşullarında allogenik kök hücre transplantasyonunda kullanılabilirliğinin araştırılması

    Başlık çevirisi yok

    SEVGİ KALAYOĞLU BEŞIŞIK

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Endokrinoloji ve Metabolizma Hastalıklarıİstanbul Üniversitesi

  4. Tez No

    790256

    Akım sitometride CD45, CD3, CD19 hücre yüzey antijenleri için metot validasyonu prosedürünün uygulanması

    Application of method validation procedure for CD45, CD3 and CD19 cell surface antigens in flow cytometry

    REYHAN IŞIK

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    BiyokimyaSağlık Bilimleri Üniversitesi

    Tıbbi Biyokimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BERRİN BERÇİK İNAL

  5. Tez No

    739989

    Radyal kapaklarda büzülme ve debi katsayısının hesabı

    The calculation of contraction and discharge coefficient of radial gates

    MEHMET SANDALCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MEHMET EMİN SAVCI

Geri Dön