GaTe ve GaTe:Cd yarı iletkenlerin büyütülmesi, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi ve Schottky diyod uygulaması
Growth of GaTe and GaTe:Cd semiconductors and the investigation of structural and optical properties of them and Schottky diode application
- Tez No: 483646
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kristal büyütme, Optik soğurma katsayısı, Schottky diyodları, Tabakalı yarı iletkenler, Crystal growth, Optical absorption coefficient, Schottky diodes, Layered semiconductors
- Yıl: 2017
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenler, modifiye edilmiş Bridgman - Stockbarger kristal büyütme yöntemi ile elde edilmiştir. Büyütülen yarıiletkenlerin yapısal, morfolojik ve optiksel karakterizasyonları sırasıyla XRD, SEM, EDX, AFM ve soğurma ölçümleri ile yapılmıştır. XRD analizleri sonucunda, GaTe ve GaTe:Cd ikili yarıiletkenlerin monoklinik yapıya sahip oldukları ve Cd katkılaması sonucu pik şiddetlerinin arttığı ayrıca bazılarının azaldığı ve bazı piklerin yeni ortaya çıktığı gözlemlenmiştir. Tavlama sıcaklığının yapı üzerindeki etkisini belirlemek amacıyla büyütülen kristaller çeşitli sıcaklık değerlerinde (100, 200, 300, 350, 400, 500, 600 ve 700ºC) belirlenen süreler (10, 20 ve 30 dak.) boyunca azot gazı ortamında tavlanmış ve tavlamadan hemen sonra XRD analizleri yapılmıştır. GaTe ve GaTe:Cd yarıiletkenleri için EDX tekniği ile elde edilen atomik ağırlığı değerleri ile büyütme esnasında hesaplanıp uygulanan değerler birbirleriyle uyum içinde olduğu belirlenmiştir. Yarıiletkenlerin soğurma ölçümleri 320-10 K aralığında ve 10 K'lik adımlarla alınmış GaTe ve GaTe:Cd ikili bileşiklerine ait sıcaklığın bir fonksiyonu olarak soğurma katsayısı ve yasak enerji aralıkları hesaplanmıştır. GaTe ve Cd katkılı GaTe ikili yarıiletkenlerinden Schottky diyot elde edilmiştir. Elde edilen diyotun akım-voltaj ölçümleri karanlık ortamda, sıcaklığın bir fonksiyonu olarak (25-360 K aralığında) alınmıştır. Alınan ölçümler analiz edilerek diyot için önemli parametreler olan idealite faktörü ve engel yüksekliği hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors were grown by the modified Bridgman-Stockbarger method. The structural, morphological and optical characterizations of the semiconductors grown were performed by XRD, SEM, EDX, AFM and absorption measures, respectively. As a result of the XRD analyses, it was observed that GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors had monoclinic structure; and as a result of Cd doping it was observed that peak intensities increased and that some peaks disappeared and that some peaks appeared. In order to determine the effect of annealing temperature on structure, the crystals grown were annealed in nitrogen gas environment at different temperatures (100, 200, 300, 350, 400, 500, 600 and 700ºC) and in determined periods (10, 20 and 30 min.) and just after annealing XRD analyses were done. For GaTe and GaTe:Cd semiconductors, atomic weight values that were obtained by EDX technique and the values that were calculated during grown and applied were in agreement with one another. The absorption measures of GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors were in the range of 320-10 K and these measures were performed for each 10 K steps. The absorption coefficients and energy band gaps were calculated as a function of temperature for GaTe and GaTe:Cd binary semiconductors. Schottky diode was obtained from GaTe and Cd doped GaTe binary semiconductors. The current-voltaj measures of obtained diode were measured in dark environment as a function of temperature (25-360 K range). Ideality factor and barrier height that are important parameters for diode were calculated by analyzing measurements that taken.
Benzer Tezler
- Development of colloidal alloyed nanocrystals for quantum dot based device applications
Kuantum nokta temelli cihaz uygulamaları için kolloidal alaşım nanokristallerin geliştirilmesi
SEÇİL SEVİM ÜNLÜTÜRK
Doktora
İngilizce
2018
Kimyaİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERDAR ÖZÇELİK
PROF. DR. CANAN VARLIKLI
- Fabrication of junctionless silicon nanowire transistors via mix and match patterning based on field emission scanning probe lithography
Alan-salımlı tarama probu litografisine dayalı karıştır ve eşleştir modelleme ile bağlantısız silisyum nanotel transistörlerin üretimi
MERT ÖZDEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Makine MühendisliğiKoç ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA
- Kısmen açık kapak hali için radyal kapaklı ogee savakların debi katsayılarının karşılaştırılması
Comparison of discharge coefficients for partially-opened radial-gated ogee spillways
MOHAMMED ABDULKAREEM KHALAF KHALAF
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
İnşaat MühendisliğiErciyes Üniversitesiİnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEFARUK HAKTANIR
- Yarı hafif betonun inelastik davranışının incelenmesi
The Effect of mix composition on the inelastic behavior of semi lighitweight concrete
MOHAMMAD AL-AWAWDEH
- Topkapı sarayının biçimlenmesine egemen olan tasarım gelenekleri üzerine bir araştırma (1453-1755)
Research on the role of traditional design sources on the shaping of Topkapı palace (1453-1755)
NADİDE SEÇKİN
