Heterojunction photodiode fabricated from TiO2 nanorods deposited on p-Si
P-Si alttaş üzerine büyütülmüş nanoçubuklar ile heteroeklem fotodiyot üretimi
- Tez No: 739358
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
Metal oksit malzemelerin heterojunction mühendisliği, yeni optoelektronik cihazlar üretmek için heyecan verici bir fırsat sağlar. Titanyum dioksit (TiO2), ışık deteksiyonu için umut verici bir aday malzemedir. Bu tezin amacı, n-TiO2/p-Si yapısına dayalı olarak titanyum dioksit (TiO2) emiter katman olarak kullanılarak bir p-n heteroeklemli fotodiyot hazırlamaktır. Bu tez çalışmasında, ışık altında üretilen elektronların bir bariyer üzerinden p-Si'den n-TiO2'ye hareket ettiği bir n-TiO2/p-Si p-n heteroeklemli fotodiyot oluşturmak için hidrotermal yöntemle p-Si alttaşlar üzerine n-TiO2 nanoçubukları biriktirildi. Üretilen cihazın kristal yapısı, bant aralığı enerjisi ve bazı önemli elektriksel parametreleri, X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu, UV-Vis spektroskopisi ve akım-voltaj ölçümleri yoluyla belirlendi. Sonuçlar, cihazın ultraviyole ışığa (365 nm) duyarlı olduğunu gösterdi. Üretilen fotodiyot, 1.41A/W maksimum foto-duyarlılığı, 80 foto-duyarlılığı, 8.32x1011 Jones ve 365 nm ultraviyole ışığında 25 ms foto-tepki süresi ile mükemmel foto-duyarlılık gösterdi.
Özet (Çeviri)
Heterojunction engineering of metal-oxide materials provides an exciting opportunity to fabricate novel optoelectronic devices. Titanium dioxide (TiO2) is a promising candidate material for light detection. The objectives of this thesis are to prepare a p-n heterojunction photodiode using titanium dioxide (TiO2) as an emitter layer based on n-TiO2/p-Si structure. In this thesis, we assembled n-TiO2 nanorods deposited on p-Si substrates via hydrothermal method to form a n-TiO2/p-Si p-n heterojunction photodiode where photo-generated electrons travel from p-Si to n-TiO2 over a barrier under illumination. The crystal structure, band gap energy and some important electrical parameters of the fabricated device have been excracted via X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy, UV-Vis Spectroscopy and Current-Voltage measurements. The results showed that the device is sensitive to ultraviolet light (365 nm). The fabricated photodiode showed excellent photosensitivity with a maximum photo responsivity of 1.41A/W, photosensitivity of 80, detectivity of 8.32x1011 Jones and a photoresponse time of 25 ms at 365 nm ultraviolet light.
Benzer Tezler
- Time-resolved investigations on the charge carrier dynamics of CuBi2O4 and Cu2O photocathodes for photoelectrochemical hydrogen evolution reaction
Fotoelektrokimyasal hidrojen evrim reaksiyonu için CuBi2O4 ve Cu2O fotokatotların yük taşıyıcı dinamikleri üzerine zamana bağlı incelemeler
EMİR ARDALI
- Al katkılı n-ZnO/p-Si heterojonksiyon foto diyotun ışığa duyarlılık performansının incelenmesi
Photosensitivity performance of Al doped n-ZnO/p-Si heterojunction devices
ÖMER FARUK GÖKTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ORHAN KAPLAN
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- Dimetil sarısı ara yüzey kalınlığının heteroeklem aygıtların elektriksel parametreleri üzerine etkisinin incelenmesi
Investigation of the effect of the dimethyl yellow interfacial layer' thickness on the electrical parameters of heterojunction devices
OKTAY KARADUMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER
- Bazı nadir toprak elementi katkılı ZnO filmlerinin eldeedilmesi, karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları
Preparation, characterization and heterojunction applications of ZnO films doped with some rare earth elements
GONCA İLGÜ BÜYÜK
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİHA ILICAN
- Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of silicon based organic-inorganic diodes
DİLEK DUYGU ORAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR
