Geri Dön

Heterojunction photodiode fabricated from TiO2 nanorods deposited on p-Si

P-Si alttaş üzerine büyütülmüş nanoçubuklar ile heteroeklem fotodiyot üretimi

  1. Tez No: 739358
  2. Yazar: BETÜL ŞEKERTEKİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Enerji, Energy
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

Metal oksit malzemelerin heterojunction mühendisliği, yeni optoelektronik cihazlar üretmek için heyecan verici bir fırsat sağlar. Titanyum dioksit (TiO2), ışık deteksiyonu için umut verici bir aday malzemedir. Bu tezin amacı, n-TiO2/p-Si yapısına dayalı olarak titanyum dioksit (TiO2) emiter katman olarak kullanılarak bir p-n heteroeklemli fotodiyot hazırlamaktır. Bu tez çalışmasında, ışık altında üretilen elektronların bir bariyer üzerinden p-Si'den n-TiO2'ye hareket ettiği bir n-TiO2/p-Si p-n heteroeklemli fotodiyot oluşturmak için hidrotermal yöntemle p-Si alttaşlar üzerine n-TiO2 nanoçubukları biriktirildi. Üretilen cihazın kristal yapısı, bant aralığı enerjisi ve bazı önemli elektriksel parametreleri, X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu, UV-Vis spektroskopisi ve akım-voltaj ölçümleri yoluyla belirlendi. Sonuçlar, cihazın ultraviyole ışığa (365 nm) duyarlı olduğunu gösterdi. Üretilen fotodiyot, 1.41A/W maksimum foto-duyarlılığı, 80 foto-duyarlılığı, 8.32x1011 Jones ve 365 nm ultraviyole ışığında 25 ms foto-tepki süresi ile mükemmel foto-duyarlılık gösterdi.

Özet (Çeviri)

Heterojunction engineering of metal-oxide materials provides an exciting opportunity to fabricate novel optoelectronic devices. Titanium dioxide (TiO2) is a promising candidate material for light detection. The objectives of this thesis are to prepare a p-n heterojunction photodiode using titanium dioxide (TiO2) as an emitter layer based on n-TiO2/p-Si structure. In this thesis, we assembled n-TiO2 nanorods deposited on p-Si substrates via hydrothermal method to form a n-TiO2/p-Si p-n heterojunction photodiode where photo-generated electrons travel from p-Si to n-TiO2 over a barrier under illumination. The crystal structure, band gap energy and some important electrical parameters of the fabricated device have been excracted via X-Ray Diffraction, Scanning Electron Microscopy, UV-Vis Spectroscopy and Current-Voltage measurements. The results showed that the device is sensitive to ultraviolet light (365 nm). The fabricated photodiode showed excellent photosensitivity with a maximum photo responsivity of 1.41A/W, photosensitivity of 80, detectivity of 8.32x1011 Jones and a photoresponse time of 25 ms at 365 nm ultraviolet light.

Benzer Tezler

  1. Time-resolved investigations on the charge carrier dynamics of CuBi2O4 and Cu2O photocathodes for photoelectrochemical hydrogen evolution reaction

    Fotoelektrokimyasal hidrojen evrim reaksiyonu için CuBi2O4 ve Cu2O fotokatotların yük taşıyıcı dinamikleri üzerine zamana bağlı incelemeler

    EMİR ARDALI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    EnerjiKoç Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SARP KAYA

  2. Al katkılı n-ZnO/p-Si heterojonksiyon foto diyotun ışığa duyarlılık performansının incelenmesi

    Photosensitivity performance of Al doped n-ZnO/p-Si heterojunction devices

    ÖMER FARUK GÖKTAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ORHAN KAPLAN

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  3. Dimetil sarısı ara yüzey kalınlığının heteroeklem aygıtların elektriksel parametreleri üzerine etkisinin incelenmesi

    Investigation of the effect of the dimethyl yellow interfacial layer' thickness on the electrical parameters of heterojunction devices

    OKTAY KARADUMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ARİFE GENÇER İMER

  4. Bazı nadir toprak elementi katkılı ZnO filmlerinin eldeedilmesi, karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları

    Preparation, characterization and heterojunction applications of ZnO films doped with some rare earth elements

    GONCA İLGÜ BÜYÜK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA ILICAN

  5. Silisyum tabanlı organik-inorganik diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of silicon based organic-inorganic diodes

    DİLEK DUYGU ORAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YASEMİN ÇAĞLAR