Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülen XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) üçlü yarıiletkenlerin yapısal karakterizasyonu
Structural characterization XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) ternary semiconductors grown with Bridgman / Stockbarger Technique
- Tez No: 740682
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 65
Özet
Nano ve optoelektronik teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanın geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanlarının çok olduğu ve karakteristiklerinin tam olarak belirlendiği yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Elde edilen bütün sonuçlar analiz edilerek nano ve optoelektronik teknolojisi için önemli olan bu kristallerin karakteristikleri detaylı olarak araştırılacaktır. XIn2Se4 (X=Mn, Fe vb.) üçlü yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütülecektir. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirilecektir.
Özet (Çeviri)
The importance of semiconductors paving the way for nano and optoelectronic technology has recently been increasing. But, producing them easily and having their vast application fields are most important. For that reason, the crystals having wide application field and their characteristics which are determinated are needed. The characteristics of these crystals which are important fort the nano and optoelecronic technology will be explored in detail by analyzing the all obtained results. XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) ternary semiconductor compounds will be grown in our crystal growth laboratory by the Bridgman-Stockbarger method. The structural and morphological characterizations of the sample will be apllied X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) technique.
Benzer Tezler
- Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu
The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization
CEVDET COŞKUN
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- GaS ikili bileşiğinin modifiye brıdgman/stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal analizi
Growth and structural analysis of GaS dual compound with modified bridgman / stockbarger technique
ZÜHAL YANIK
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi
Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique
YASİN ÖZTIRPAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- InSe ve InSe:Zn yarı iletkenlerin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu
Growth of InSe and InSe:Zn semiconductors by Bridgman/Stockbarger technique and structural characterizations
MUHAMMED AKSOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
- Investigation of paramagnetic atom doped layered and nanostructured TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) magnetic semiconductors
Paramanyetik atom katkılandırılmış katmanlı nanoyapılı TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) manyetik yarıiletkenlerin incelenmesi
SERDAR GÖKÇE
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FAİK MİKAİLZADE