Geri Dön

Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülen XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) üçlü yarıiletkenlerin yapısal karakterizasyonu

Structural characterization XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) ternary semiconductors grown with Bridgman / Stockbarger Technique

  1. Tez No: 740682
  2. Yazar: KÜBRA ALEMDAR DUMAN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 65

Özet

Nano ve optoelektronik teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanın geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanlarının çok olduğu ve karakteristiklerinin tam olarak belirlendiği yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Elde edilen bütün sonuçlar analiz edilerek nano ve optoelektronik teknolojisi için önemli olan bu kristallerin karakteristikleri detaylı olarak araştırılacaktır. XIn2Se4 (X=Mn, Fe vb.) üçlü yarıiletken bileşikleri, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütülecektir. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) ve Enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirilecektir.

Özet (Çeviri)

The importance of semiconductors paving the way for nano and optoelectronic technology has recently been increasing. But, producing them easily and having their vast application fields are most important. For that reason, the crystals having wide application field and their characteristics which are determinated are needed. The characteristics of these crystals which are important fort the nano and optoelecronic technology will be explored in detail by analyzing the all obtained results. XIIIn2Se4 (XII=Mn, Fe, Ni, vb.) ternary semiconductor compounds will be grown in our crystal growth laboratory by the Bridgman-Stockbarger method. The structural and morphological characterizations of the sample will be apllied X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) technique.

Benzer Tezler

  1. Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu

    The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization

    CEVDET COŞKUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU

  2. GaS ikili bileşiğinin modifiye brıdgman/stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal analizi

    Growth and structural analysis of GaS dual compound with modified bridgman / stockbarger technique

    ZÜHAL YANIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  3. GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi

    Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique

    YASİN ÖZTIRPAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  4. InSe ve InSe:Zn yarı iletkenlerin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of InSe and InSe:Zn semiconductors by Bridgman/Stockbarger technique and structural characterizations

    MUHAMMED AKSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  5. Investigation of paramagnetic atom doped layered and nanostructured TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) magnetic semiconductors

    Paramanyetik atom katkılandırılmış katmanlı nanoyapılı TlMX2 (M=Ga, In; X=Se, S) manyetik yarıiletkenlerin incelenmesi

    SERDAR GÖKÇE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FAİK MİKAİLZADE