Geri Dön

GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi

Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique

PDF İndir

  1. Tez No: 335072
  2. Yazar: YASİN ÖZTIRPAN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: GaSe:In, Kristal Büyütme, XRD, SEM, EDX, GaSe:In, Crystal Growth, XRD, SEM, EDX
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 73

Özet

Nano teknolojinin ilerlemesinde yarıiletkenlerin önemi giderek artmaktadır. Ancak, kullanılacak yarıiletkenlerin hem kolay elde edilebilir hem de uygulama alanının geniş olması daha da önem arz etmektedir. Bu maksatla, uygulama alanları çok olan ve karakteristikleri tam olarak belirlenen yarıiletkenlere ihtiyaç duyulmaktadır. Güneş enerjisinin depolanması ve kullanılmasında çalışılan başlıca malzemeler arasında yarıiletkenler yer almaktadır. Tezin temel konusu, GaSe:In yarıiletken bileşiğini Bridgman/Stockbarger Metoduyla büyütmek, büyütülen GaSe:In yarıiletkenin yapısal özelliklerini incelemektir. GaSe:In yarıiletken bileşiği, bölümümüz kristal büyütme laboratuvarında, Bridgman-Stockbarger metodu ile büyütüldü. Numunelerin, yapısal ve morfolojik karakterizasyonları X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji ayrımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) teknikleri kullanılarak gerçekleştirildi. XRD sonuçları, büyütülen numunelerin hekzagonal kristal yapıya sahip olduklarını ve In katkılamanın pik şiddetlerini arttırdığını gösterdi. XRD sonuçları kullanılarak, örgü parametreleri GaSe:In için a=b=3,749 (Å), c=15,944 (Å) olarak hesaplandı. XRD sonuçlarından (004), kristal büyüklüğü (3,986 Å), zorlanma derecesi (6,55x10-4 lin-2m-4) and dislokasyon yoğunluğu (4,8830x1014 lin m-2) and birim alan başına kristal sayısı (3,23x1017m-2) değerleri hesaplandı. SEM sonuçlarından, ortalama tanecik büyüklüğünün GaSe:In için 41,746-89,365 nm aralığında olduğu gözlendi.

Özet (Çeviri)

The importance of semiconductors paving the way for nano technology has recently been increased. But, producing them easily and having their vast application fields are most important. For that reason, the crystals having wide application field and their characteristics which are fully determinated are needed. The main topic of this thesis is to grow GaSe:In single crystals by Modified Bridgman/Stockbarger method and to investiage their structural properties. GaSe:In binary semiconductor compound was grown in our crystal growth laboratory by the modified Bridgman-Stockbarger method. The structural and morphological characterizations of the samples were carried out by X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDX) techniques. The XRD results indicated that the grown films had hexzagonal structure and In doping increased the peak intensities. The lattice parameters were calculated to be a=b=3,749 (Å), c=15,944 (Å) for InSe using the XRD results.The calculated lattice constants was found to be a=b=3,749 Å and c=15,944 Å for InSe using the XRD results. The crystallite size (3,986 Å), residual strain (6,55x10-4 lin-2 m-4) and dislocation density (4,8830x1014lin m-2) and number of crystallites per unit area (3,23x1017m-2) values have been calculated using powder XRD results (004). From the SEM results, it was observed that the average grain size values for GaSe:In was between 41,746-89,365 nm.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    58523

    İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    BEKİR GÜRBULAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU

  2. Tez No

    663442

    Tepecik Eğitim ve Araştırma Hastanesine başvuran zehirlenme olgularının geriye dönük analizi

    Başlık çevirisi yok

    ESMERALDA ÇOBAN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    İlk ve Acil YardımSağlık Bilimleri Üniversitesi

    Acil Tıp Ana Bilim Dalı

    DOÇ. FERİYDE ÇALIŞKAN

    UZMAN YEŞİM EYLER

  3. Tez No

    131468

    GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi

    The Influence of the electric field on energy band gap of the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In semiconductors

    ŞULE ŞİŞMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  4. Tez No

    5304

    Düşey borularda su buharının yoğunlaşmasına yoğuşmayan gazların tesiri

    The Effect of the non-condensable gases on the condensation of steam in the vertical pipes

    İSAK KOTCİOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Makine MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Makine Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. A. YÜCEL UYAREL

  5. Tez No

    56808

    Optical properties of gase single crystal and experimental study

    GaSe kristalinin optik özellikleri. Deneysel çalışma

    TEVFİK KEMAL ÖZCAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BÜLENT G. AKINOĞLU

Geri Dön