Arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi
Preparation of interface layer metal-semiconductor (MS) structures and analysis of electrical characteristics depending on temperature and frequency
- Tez No: 745424
- Danışmanlar: PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 106
Özet
Bu çalışmada Au/PVA-Fe3O4/n-Si ve Al/PVA- ZnS/p-Si metal-polimer-yarıiletken (MPS) yapıların akım iletim mekanizmaları (CCMs), sıcaklığa bağlı düz beslem akım-voltaj (I-V) ölçümlerinden yararlanılarak incelenmiştir. CCMs belirlemek için yapıların I0 doyma akımı, ФB0 sıfır beslem bariyer yüksekliği n ideallik faktörü gibi elektriksel parametreleri sıcaklığa bağlı olarak belirlenmiştir. ФB0 ve n'nin sıcaklığa bağlılığından metal ile yarıiletken arasında çift gaussian dağılımlı (DGD) bariyer yüksekliğinin varlığı tespit edilmiştir. Sıfır beslem bariyer yüksekliğinin sıcaklıkla doğru, idealite faktörünün ise ters orantılı davranış sergilediği tespit edilmiştir. Modifiye edilmiş Richardson çizimlerinden ФB0 ve A* değerleri Al/PVA- ZnS/p-Si yapısı için yüksek sıcaklık bölgesinde 0.95eV ve 31.64 A/cm2K2 olarak, düşük sıcaklık bölgesinde de 0.3871eV ve 20.996 A/cm2K2 olarak bulunmuştur. Au/PVA-Fe3O4/n-Si yapısı içinse yüksek sıcaklık bölgesinde 1.06 eV ve 115.86 A/cm2K2 olarak, düşük sıcaklık bölgesinde de 1.02 eV ve 77.21 A/cm2K2 olarak bulunmuştur. Yüksek sıcaklık bölgesinde A* için bulunan sonuçların p ve n tipi silikonun teorik değerlerine çok yakın çıkması yapılarda akım iletim mekanizmasının DGD'yle açıklanabileceğini doğrulamaktadır. Ayrıca, Au/PVA-Fe3O4/n-Si (MPS) yapının dielektrik özellikleri dielektrik sabiti, kayıp tanjant, elektrik modülünün gerçek ve sanal kısımları ve elektrik iletkenlik parametreleri, 0.1 kHz - 1 MHz frekans aralığında, oda sıcaklığında incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, the current conduction mechanisms (CCMs) of Au/PVA-Fe3O4/n-Si and Al/PVA-ZnS/p-Si metal-polymer-semiconductor (MPS) structures were investigated by using temperature-dependent direct voltage current-voltage (I-V) measurements. . In order to determine CCMs, electrical parameters such as I0 saturation current, ФB0 zero feed barrier height n ideality factor were determined depending on the temperature. Due to the temperature dependence of ФB0 and n, the existence of a double gaussian distribution (DGD) barrier height between metal and semiconductor was determined. It has been determined that the zero-feed barrier height is directly proportional to the temperature and the ideality factor is inversely proportional to the temperature. The ФB0 and A* values from the modified Richardson drawings were found to be 0.95eV and 31.64 A/cm2K2 in the high temperature region for the Al/PVA-ZnS/p-Si structure, and 0.3871eV and 20,996 A/cm2K2 in the low temperature region. For the Au/PVA-Fe3O4/n- structure, it was found to be 1.06 eV and 115.86 A/cm2K2 in the high temperature region, and 1.02 eV and 77.21 A/cm2K2 in the low temperature region. The results found for A* in the high temperature region are very close to the theoretical values of p and n type silicon, confirming that the current conduction mechanism in structures can be explained by DGD. In addition, the dielectric properties of the Au/PVA-Fe3O4/n-Si (MPS) structure are the dielectric constant, the loss tangent, the real and imaginary parts of the electrical module and electrical conductivity parameters were investigated in the frequency range of 0.1 kHz - 1 MHz, at room temperature.
Benzer Tezler
- Arayüzey tabakalı metal/yarı iletken (MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel ile dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi
Preparation metal/semiconductor (MS) structures with interlayer and investigation their electrical and dielectric properties in wide range of frequency and voltage
SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN
Doktora
Türkçe
2017
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUZAFFER BALBAŞI
- Preparation of Al/p-Si structures with ZnFe2O4 doped PVA interlayer and investigation of electrical and dielectric properties in wide range of frequency and voltage
ZnFe2O4 katkılı PVA arayüzey tabakalı Al/p-Si yapıların hazırlanması ve elektriksel ve dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi
JAAFAR ABDULKAREEM MUSTAFA ALSMAEL
Doktora
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Ara yüzey tabakalı metal-yarı iletken(MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin frekansa ve voltaja bağlı incelenmes
The fabrication of Au/N-S (MS) structures with a thin organic layer and investigation their electrical parameters as function frequency and voltage
AYCAN GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEBAHADDİN ALPTEKİN
- Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi
The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination
UMUT AYDEMİR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi
Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer
AHMET KAYMAZ
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE TECİMER