Geri Dön

Ara yüzey tabakalı metal-yarı iletken(MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin frekansa ve voltaja bağlı incelenmes

The fabrication of Au/N-S (MS) structures with a thin organic layer and investigation their electrical parameters as function frequency and voltage

PDF İndir

  1. Tez No: 553976
  2. Yazar: AYCAN GÜMÜŞ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SEBAHADDİN ALPTEKİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2019
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Çankırı Karatekin Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

Hazırlanan Au/PVP/n-Si (MPS) yapıların temel elektriksel parametreleri, oda sıcaklığında ölçülen doğru ve ters öngerilim akım voltajı (I-V) ve empedans voltaj (Z-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Hazırlanan yapının yarı-logritmic I-V grafiği iyi bir doğrultma özeliğine sahip olup orta gerilim bölgesinde liner bir davranış sergilemektedir. Bu lineer kısmın eğiminden ve kesim noktasından sırasıyla idealite faktörü (n) ve sıfır-beslem engel yüksekliği (ΦBo) 2,53 ve 0,84 eV elde edildi. Diğer bazı temel elektriksel parametreler olan difuzyon potansiyeli (VD), verici katkı atomların yoğunluğu (ND), Fermi enerji seviyesi (EF) ve engel yüksekliği B (C-V) değerleri, ters öngerilim C-2-V grafiklerinin lineer kısımlarından 1, 10, 100 ve 500 kHz için elde edildi ve tüm bu parametrelerin oldukça frekansa bağlı olduğu gözlendi. B (C-V) değeri artan frekansla neredeyse lineer olarak artmaktadır. Düşük frekanslarda elde edilen yüksek C ve G/ değerleri, PVP/n-Si ara yüzeyinde oluşan arayüzey durumlarının (Nss) varlığına ve onların yaşam sürelerine atfedildi. Çünkü düşük frekanslarada hem dipoller kendi ekseni etrafında dönmeye hem de Nss uygulanan ac sinyalini takip etmesi için yeterince bir zamana sahiptirler. Tüm deneysel sonuçlar, Au/n-Si ara yüzeyinde spin-kaplama yöntemiyle büyütülen PVP tabakasının geleneksel yalıtkan veya oksit tabaka yerine başarıyla kulanılabileceğini göstermektedir.

Özet (Çeviri)

Main electrical parameters of the fabricated Au/PVP/n-S (MPS) structure have been investigated by using the forward and reverse current-voltage (I-V) and impedance-voltage (Z-V) measurements at room temperature. The forward bias semi-logarithmic I-V plot has a good rectifying rate and linear part in the intermediate bias voltage and so both the value of ideality factor (n), zero-bias barrier height (ΦBo)were extracted from the slope and intercept of this linear part as 2.53 and 0.84 eV respectively. The other some main electrical parameters such as values of diffusion potential (VD), density of doping donor atoms (ND), fermi energy level (EF), and barrier height B(C-V) were extracted from the linear parts of reverse bias C-2 vs V plots for 1, 10, 100, and 500 kHz. All these parameters were found strong function of frequency. The value of B(C-V) increases with increasing frequency. The higher value of C and G/ at low frequencies was attributed the existence of surface states (Nss) and their relaxation times. This is because of the Nss and dipoles have enough time to follow external ac signal and can be turned around at low frequencies. Experimental results are indicated that the grown of PVP at Au/n-Si interface by spin coating method can be successfully used instead of traditional an insulator or oxide layer.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    803461

    Preparation of Al/p-Si structures with ZnFe2O4 doped PVA interlayer and investigation of electrical and dielectric properties in wide range of frequency and voltage

    ZnFe2O4 katkılı PVA arayüzey tabakalı Al/p-Si yapıların hazırlanması ve elektriksel ve dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi

    JAAFAR ABDULKAREEM MUSTAFA ALSMAEL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN

  2. Tez No

    472666

    Arayüzey tabakalı metal/yarı iletken (MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel ile dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi

    Preparation metal/semiconductor (MS) structures with interlayer and investigation their electrical and dielectric properties in wide range of frequency and voltage

    SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Kimya MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUZAFFER BALBAŞI

  3. Tez No

    745424

    Arayüzey tabakalı metal-yarıiletken (MS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi

    Preparation of interface layer metal-semiconductor (MS) structures and analysis of electrical characteristics depending on temperature and frequency

    AYSUN ARSLAN ALSAÇ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN

  4. Tez No

    632778

    Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi

    Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer

    AHMET KAYMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE TECİMER

  5. Tez No

    395750

    Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması ve temel elektriksel özelliklerinin ışık altında incelenmesi

    The preperation of Au/PVA:Zn/n-Si (MPS) structures and investigation of main electrical characteristics under illumination

    UMUT AYDEMİR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

Geri Dön