Atmosferik basınç plazma yarıiletken sistemler
Atmospheric pressure plasma semiconductor systems
- Tez No: 750937
- Danışmanlar: PROF. DR. HATİCE HİLAL KURT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Gaz boşalmaları, Plazma hücre, Yarı iletkenler, Gas discharges, Plasma cell, Semiconductors
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Fizik Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Çalışmamızda Dc plazma sistemleri kullanılarak farklı değer ve ölçüm sonuçlarının incelenmesi gerçekleştirilmiştir. Plazma sisteminde farklı yarı iletken malzemeler katot malzemesi olarak kullanılmıştır. SnO2 kaplı cam plaka anot olarak kullanılmıştır. Farklı basınç (p) ve voltaj (V) değerlerinde elektrotlar arası mesafe 50 um, 100 um ve 300 um olarak ayarlanıp teorik araştırmalar yapılmıştır. Voltajlar (V) ve basınçlar (p) değiştirilerek elektron yoğunluğu, uzaysal yük yoğunluğu, göç eden elektron yoğunluğu, elektron akım yoğunlukları, mobilite ve Towsend katsayıları hesaplanmıştır. Her katot için bu sonuçlar tekrarlanmış olup oluşum grafikleri eklenmiştir. Böylece bir plazma sisteminin hangi voltaj-akım karakteristiğine sahip olduğunu ve çalışma aralığını belirlemiş olduk. Yüksek voltaj değerlerinde sistemde kullanılan katot malzemesi işlevini yitirerek hiç istenilmeyen ark bölgesine geçiş yapmıştır. 22 torr, 66 torr, 100 torr, 220 torr, 760 torr basınçlar simülasyona eklenmiştir. Sonuçlar karşılaştırılarak yorumlanmış ve Glow boşalması oluşumları COMSOL Multiphysics programının Plazma modülü ve Dc modülü ile oluşturulmuştur.
Özet (Çeviri)
In our study, different values and measurement results were examined by using Dc plasma systems. Different semiconductor materials were used as cathode material in the plasma system. SnO2 coated glass plate was used as anode. At different pressure (p) and voltage (V) values, the distance between the electrodes was adjusted as 50 um, 100 um and 300 um, and theoretical studies were carried out. Electron density, spatial charge density, migrating electron density, electron current densities, mobility and Towsend coefficients were calculated by changing voltages (V) and pressures (p). These results were repeated for each cathode and formation graphics were added. Thus, we have determined which voltage-current characteristic a plasma system has and its operating range. At high voltage values, the cathode material used in the system lost its function and moved to the undesirable arc region. Pressures of 22 torr, 66 torr, 100 torr, 220 torr, 760 torr have been added to the simulation. The results were interpreted by comparing and Glow discharge formations were created with the Plasma module and Dc module of the COMSOL Multiphysics program.
Benzer Tezler
- Yarıiletken gaz boşalma sisteminde plazma süreçlerinin modellenmesi ve uygulanması
Modeling and application of plasma processes in semiconductor gas discharge system
EVRİM TANRIVERDİ
- Yarıiletken gaz boşalma sisteminde akımın davranışı ve kararlılığı
Stabilization and behavior of current in a semiconductor gas discharge system
EMRAH KOÇ
- Laboratuvar plazmalarının itki gücünün deneysel sonuçları
The experimental results of thrust power of laboratory type plasmas
SERCAN MERTADAM
- Yarıiletken malzemelerin bir mikroplazma hücredeki optik ve elektriksel davranışlarının incelenmesi
Examination of the optical and electrical behaviours of semiconductors in a microplasma cell
ERHAN ONGUN
- Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma sisteminin fotoelektrik ve spektral özellikleri
Photoelectric and spectral properties of photosensitive semiconductor gas discharge system
SEMA KARAKÖSE
