Geri Dön

MEMS compatible highly doped piezoresistive silicon nanowires: fabrication and electromechanical characterization

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 755894
  2. Yazar: GÖKHAN NADAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Makine Mühendisliği, Mechanical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2022
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Koç Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 152

Özet

Silisyum nanotellerin elektromekanik özellikleri, geleneksel transdüksiyon yöntemlerinin yerini alabilme ve muazzam minyatürleştirme potansiyeli sebebiyle teknolojik ve bilimsel ilgiyi cezbetmektedir. Bu amaçla, ağırlıklı olarak piezorezistivite kullanılmaktadır. Silisyum nanotellerin piezorezistif tepkisi imalat tekniğine, katkılama türüne, katkılama konsantrasyonuna, kristalografik yönelime, sıcaklığa ve neme göre farklılık gösterebilmektedir. Bu tezde, özgül bir nanotel dizi mimarisi dört nokta bükme testi vasıtasıyla çalışılmıştır. Mekanik kuplajlı, dikey silisyum nanotel dizilerinin yeni nesil çınlaçların temel yapıtaşları olduğu hesaba katılmakta ve piezorezistif özellikleri bu cihazların tasarımında anahtar rol oynamaktadır. İki farklı test düzeneği kullanılmıştır. Birinci düzenekte, testten geçirilen cihaz ve taşıyıcı silisyum şerit arasında yapıştırıcı tabaka bulunması vasıtasıyla dolaylı bükme uygulanmaktadır. İkinci düzenek silisyum nanotel dizilerinin doğrudan bükülebilmesine olanak sağlamaktadır. Nanotellerin gerinimini elde etmek için üç boyutlu benzetimler yapılmıştır. Etken ölçüm faktörü dolaylı bükme için -29.2±6.47 (standart sapma), ve doğrudan bükme için -105.37±8.12 (standart sapma) olarak çıkartılmış, testlerde kullanılan yapıştırıcı tabakanın sonuçlara etkisine ilişkin açık bulgu sağlanmıştır. Bu çalışma, dikey istifli silisyum nanotellerin ölçüm faktörü tahminini sağlayan ilk çalışmadır. Ek olarak, bu elektromekanik çalışma, nanotel piezorezistivite karakterizasyonunda doğrudan ve dolaylı bükmenin karşılaştırmalı nicelikselliğini sağlaması sebebiyle değerli bir deneysel kanıt sunmaktadır.

Özet (Çeviri)

Electromechanical properties of silicon nanowires attract technological and scientific interest due to their enormous potential of miniaturization and replacement of conventional transduction schemes. For this purpose, piezoresistivity is mainly employed. Piezoresistive response can differ due to fabrication technique, dopant type, dopant concentration, crystallographic orientation, temperature and humidity. In this dissertation, a specific nanowire array architecture is studied through four-point bending tests. Mechanically coupled vertical silicon nanowire arrays are considered as the building blocks of new generation resonators and their piezoresistivity characteristics play key role in designing such devices. Two different test setups are used. In the first setup indirect bending is induced as an adhesive layer is present between the device under test and a carrier silicon strip. Second setup provides direct bending of silicon nanowire arrays. 3D simulations are carried out to obtain strain of the nanowires. Effective gauge factors are extracted as -29.2±6.47 (standard deviation) for indirect bending, and -105.37±8.12 (standard deviation) for direct bending, providing a clear indication regarding the effect of the adhesive layer used in testing. This work is the first study providing the gauge factor estimation of the vertically stacked silicon nanowires. In addition, this electromechanical study provides substantial experimental evidence as it provides a comparative quantification of direct and indirect bending on nanowire piezoresistivity characterization.

Benzer Tezler

  1. MEMS sensor platform for vital monitoring under mri and intraocular pressure measurement

    Yaşamsal işaretlerin ve göz içi basıncın ölçülmesine yönelik MEMS basınç ölçer platformunun geliştirilmesi

    PARVIZ ZOLFAGHARI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ONUR FERHANOĞLU

  2. Process development for microfabrication of phase reversal CMUT devices for structural health monitoring and development of dynamic characterization processes for mems applications

    Yapısal sağlık izleme için fazı tersine çeviren CMUT cihazlarının mikroüretimi için süreç geliştirilmesi ve MEMS uygulamaları için dinamik karakterizasyon süreçlerinin geliştirilmesi

    MERVE MİNTAŞ KÜÇÜK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. ABDULLAH ATALAR

    DR. MEHMET YILMAZ

  3. Silicon-based nanowires: Top-down fabrication and mechanical behavior

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA YILMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Makine MühendisliğiKoç Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA

  4. Finite element formulations for Kirchhoff-Love microplates

    Kirchhoff-Love mikroplakaları için sonlu elemanlar formülasyonları

    MURAT KANDAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜSNÜ DAL

  5. Mikro işlenmiş kristal silisyum yüzeyinde gözenekli silisyum üretilmesi ve karakterizasyonu

    Formation and characterization of porous silicon on a micro-machined monocrystalline silicon surface

    KUTAY APAYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL